Cảm biến enzyme HRP-SAM/AuNPs-SPCE xác định H2O2

Một phần của tài liệu Nghiên cứu và chế tạo cảm biến sinh học trên cơ sở công nghệ polyme in phân tử ứng dụng phát hiện một số phân tử nhỏ (protein, kháng nguyên, kháng sinh) (Trang 103 - 105)

Chúng tôi tiến hành quét thế tuần hoàn (CV) từ -0,9 V đến + 0,8 V vs. Ag/AgCl với tốc độ quét là 10 mV/s trong 1 mL dung dịch PBS pH 6,0 với các nồng độ H2O2

khác nhau. Đặc trưng dòng-thế của cảm biến enzyme HRP-SAM/AuNPs-SPCE được trình bày trên hình 4.12.

84

Hình 4.12. Đường đặc trưng dòng thế của cảm biến enzyme HRP-SAM/AuNPs-SPCE tại các nồng độ H2O2 khác nhau.

Tại môi trường PBS (pH 6,0) trên đặc trưng dòng-thế của cảm biến không có píc khử. Tuy nhiên, khi cho cảm biến tiếp xúc với môi trường có chứa H2O2 thì trên đặc trưng dòng thế bắt đầu xuất hiện píc khử tại điện áp Epc = -0,46 V vs. Ag/AgCl (píc khử đặc trưng của enzyme HRP. Điều này khẳng định rằng, chúng tôi đã cố định được enzyme HRP lên điện cực SAM(p-ATP)/AuNPs-SPCE. Cường độ dòng khử tăng lên theo nồng độ H2O2tương ứng với sốlượng phản ứng khử H2O2 của HRP xảy ra. Như vậy, p-ATP đã vận chuyển electron một cách hiệu quả từ tâm hoạt tính của enzyme đến bề mặt đế. Sau đó, chúng tôi tiến hành khảo sát ảnh hưởng của tốc độ quét đến khảnăng hoạt động điện hóa của cảm biến tại nồng độ H2O2 là 1 mM (xem hình 4.13). Khi tăng tốc độquét, cường độ píc khử(Ipc) tăng tỷ lệ thuận với căn bậc hai của tốc độquét theo đúng phương trình Randles-Sevcik:

Trong đó:

v là tốc độ quét thế;

A là diện tích của điện cực; n là số điện tử trao đổi; C là nồng độ chất điện ly; D là hệ số khuếch tán.

Điều này cho thấy quá trình điện hóa xảy ra trong dung dịch đo là quá trình khuếch tán.

85

Hình 4.13. Ảnh hưởng của tốc độ quét đến khả năng hoạt động điện hóa của cảm biến enzyme HRP/SAM/AuNPs-SPCE tại nồng độ H2O2 là 1 mM.

Một phần của tài liệu Nghiên cứu và chế tạo cảm biến sinh học trên cơ sở công nghệ polyme in phân tử ứng dụng phát hiện một số phân tử nhỏ (protein, kháng nguyên, kháng sinh) (Trang 103 - 105)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(181 trang)