Qui hoạch thực nghiệm

Một phần của tài liệu Nghiên cứu công nghệ xử lý photoresist phế thải (Trang 93 - 94)

- IVĐiều chỉnh

5.1.2 Qui hoạch thực nghiệm

Các yếu tố ảnh hưởng:Blend cao su nghiên cứu là hỗn hợp của nhiều thành phần trong đó có chất đàn hồi, hệ lưu hóa với các thành phần phụ trợ xúc tiến, trợ xúc tiến và phòng lão. Thành phần nhựa photoresist (ZR3R) đưa vào với mục đích làm chất độn gia cường cao phân tử có khả năng làm giảm tính kéo đứt và dãn dài của hệ nhưng làm cho tính bền thời tiết được cải thiện. Nghiên cứu mục 4.1 chỉ ra CSTNgAM trong blend NR hay dầu hạt điều trong blend NBR (ZR1R) được thêm vào có khả năng cải thiện liên kết trong blend và kết quả là cải thiện tính chất cơ lý. Than đen (ZR2R) là thành phần của hệ lưu hóa, có cả vai trò của chất trợ phân tán trong blend. Ba thành phần này được chọn để nghiên cứu tiếp trong khi giữ nguyên các thành phần còn lại. Đi cùng các giá trị này là chế độ gia công đã được hiệu chỉnh trong mục 5.1.1.1 và 5.1.1.2. Như vậy các yếu tố ảnh hưởng trong trường hợp này: ZR1R: là trợ tương hợp CSTNgAM (blend NR) hoặc dầu hạt điều (blend NBR); ZR2R: là than đen; ZR3R: là photoresist.

Các hàm đáp ứng chọn:

YR1R: là giá trị kéo đứt của blend thử nghiệm; YR2R: là giá trị độ dãn dài của blend

Phương trình biểu diễn mối quan hệ có dạng: YR1R = f (ZR1R, ZR2R, ZR3R); YR2R = g(ZR1R, ZR2R, ZR3R)

Chọn miền khảo sát: của các yếu tố trong bảng 5.1. Từ đó xây dựng điều kiện thí

nghiệm.

Chọn phương pháp quy hoạch trực giao cấp I (TYT 2k) thực nghiệm yếu tố toàn phần 2 mức, k yếu tố ảnh hưởng. Phương trình hồi quy có dạng (2.2). Từ hệ tọa độ ZR1R, ZR2R, ZR3Rchuyển đổi sang hệ tọa độ mới không thứ nguyên xR1R, xR2R, xR3Rbằng cách biến đổi tuyến tính theo biểu thức (5.1).

𝑥𝑗 =𝑍1∆𝑍−𝑍𝑗0

𝑗 ; j=1:k (5.1)

Trong đó: 𝑍𝑗0 là mức cơ sở; ∆𝑍𝑗 là khoảng biến thiên của yếu tố. Các công thức tính hồi qui trình bày trong Phụ lục 6. Các thí nghiệm được thực hiện theo chế độ gia công (mục 5.1.1.3) và đo đạc các thông số theo phương pháp trong mục 2.2 chương 2.

Bảng 5.1Đơn thành phần blend nghiên cứu

Thành phần (pkl) NR NBR Cao su 100 100 Than đen (ZR2R) 10 - 40 10 - 40 Axít stearic 2 2 ZnO 5 5 Xúc tiến MBT, DM 1,0 0,5 Xúc tiến DM 1,0 0,5 Xúc tiến TMTD 0,5 0,25 Phòng lão Neozon D và 4020 1,5 1,5 Lưu huỳnh 3 1,5 Nhựa photoresist (ZR3R) 10 - 50 10 - 50 Trợ tương hợp (ZR1R) 1 – 7 (CSTNgAM) 1 – 6 (HD)

Một phần của tài liệu Nghiên cứu công nghệ xử lý photoresist phế thải (Trang 93 - 94)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(197 trang)