... cu cho thy kớch thc, hỡnh dng v nht l v trớ khụng gian va chm ca cỏc tiu phõn hot ng cng úng vai trũ quan trng Xỏc sut nh hng cú hiu qu va chm c c trng bi i lng entropi hot húa S* s nh hng cú ... ca cỏc tiu phõn phn ng u cú th to thnh sn phm - Vi mt phn ng nht nh, cỏc va chm ch cú hiu qu nng lng ca cỏc tiu phõn va chm phi ln hn nng lng trung bỡnh ca h mt giỏ tr d ti thiu nht nh E* no ... B B A B B Nng lng d ca cỏc tiu phõn va chm dựng lm suy yu liờn kt B B v to A B B, gi l phc cht hot ng Nng lng ti thiu m cỏc tiu phõn tham gia va chm phi cú t c phc hot ng gi l nng lng...
... tỏch nhúm CO: Co2 (CO) 8 + H2 HCo (CO) 4 2HCo (CO) 4 HCo (CO) 3 + CO RCH=CH2 + HCo (CO) 3 RCH2CH 2Co( CO)4 + CO RCH2CH2COCo (CO) 4 + H2 (RCH=CH2)HCo (CO) 3 RCH2CH 2Co( CO)3 RCH2CH2COCo (CO) 4 RCH2CH2CHO + HCo (CO) 4 Vi ... O C O C CO Mn OC OC CO Mn OC C O CO C O Sn phm dime hoỏ tng t i vi Co( CO)4 tn ti dung dch di dng hn hp cõn bng ca ba ng phõn: COCOCO OC Co OC COCoCO OC OC COCOCOCOCoCOCoCOCO O C OC ... Mn2 (CO) 10, Fe2 (CO) 9, Ru2 (CO) 9, Os2 (CO) 9, Co2 (CO) 8, Fe3 (CO) 12, Ru3 (CO) 12, Co4 (CO) 12, [Rh (CO) 4]n, [Ir (CO) 4]n, [Rh (CO) 3]n, c) Cỏc cacbonyl hn hp: Trong thnh phn phõn t ca chỳng ngoi cỏc phõn t CO...
... V+1 < V-1 Do O1 = - V+2 < V-2 Do O2 = - R = 0, S = > Q, /Q giứ trạng thái trước (Q=1, /Q=0) - Transistor ko dẫn ! * Tụ C nạp qua ngưỡng 2Vcc/3: - Lúc này, V+1 < V-1 Do O1 = - V+2 > V-2 Do O2 = ... V-1 Do O1 = - V+2 < V-2 Do O2 = - R = 0, S = > Q, /Q giứ trạng thái trước (Q=0, /Q=1) - Transistor dẫn ! * Tụ C xả qua ngưỡng Vcc/3: - Lúc V+1 > V-1 Do O1 = - V+2 < V-2 (V-2 = 2Vcc/3) Do O2 ... dụng IC 555: Ứng dụng 555 lớn, ứng dụng hay dùng mạch phát xung dùng để đo điện dung Điện dung cảm biến dạng điện dung nối vào mạch, thay đổi làm tần số đầu thay đổi Việc đo tần số với vi điều...
... bảo tốt về độ rỗng va độ thấm Khái niệm va phân loại 1.1 Khái niệm: Hình 2: Sự thay đổi trên bề mặt của bẫy nếp lồi minh họa sự khác nhau giữa net pay va gross pay 1.2 Hệ thống ... Cửu Long Khái niệm va phân loại 1.1 Khái niệm: Bẫy dầu khí là cấu trúc cần thiết nhất định của địa chất thỏa điều kiện để tích tụ dầu khí Khái niệm va phân loại 1.1 ... khí Co tính chất dẻo Sinh kiểu bẫy nếp lồi Uốn nếp Lớp phủ tiếp xúc với Sự thay đổi bề dày-> tầng chứa làm thành xê dịch, mất khép mặt lõm cho chất lưu kín, va t...
... nit Protoxyde nit N2O ch yu hỡnh thnh t cỏc cht trung gian NH v NCO chỳng tỏc dng vi NO: (3.7) NH + NO N O + H NCO + NO N O + CO (3.8) N2O ch yu c hỡnh thnh vựng oxy húa cú nng nguyờn t H ... ph thuc mnh vo ch ti ch ti cao, khớ thi cha nhiu CO2 v hi nc, hn hp cú nhit dung riờng ln, cũn ch ti thp, khớ hi lu ch yu l nit cú nhit dung riờng ng c Diesel tng ỏp, s gia tng ỏp sut dn ... hẩnh khuch tn 3.5.2 M hẩnh tểo NOx Trongtrờng hợp y có th xem sn vt chy ca khng khí vè nhin liu hydrocarbure có 12 chất: H2O, H2, OH, H, N2, NO, N, CO2 , CO, O2, O, Ar Phn ng hóa hc trờng hợp...
... .43 DANH MỤC CÁC CHỮ VIẾT TẮT CDCC: Continuum discretized coulped channels CD: Continuum discretized CC: Coulped channels Av: Average Mid: Midpoint PS: Pseudo – state MỞ ĐẦU Cuộc sống ngày sinh ... trình (3.5) có chứa thành phần Coulomb Trong tính toán [9] người ta thấy chiều cao Coulomb hệ α1 – α2 khoảng chia không cộng hưởng thấp nhiều so với khoảng cộng hưởng Do vùng không cộng hưởng hạt ... mạng điện có Z lớn, lúc Coulomb VCoulomb Z1Z 2e lớn, hạt mang điện muốn r 47 xuyên rào Coulomb để tương tác hạt nhân phải có lượng tương đối cao so với giá trị kT = 1,3 keV Trong biết dùng hàm...
... DiffServ domain với domain khác core node kết nối đến node nội domain (hình 4) 15 Node Domain Edge Core Edge Edge Core Core Core Edge Node Node Hình 4- Ví dụ DiffServ domain Tất node DiffServ domain ... RSVP (Resource Reservation Protocol), IP precedence, DiffServ (differentiated services) MPLS (Multi-Protocol Label Switching) RSVP giao thức dựa vào luồng (flow-based protocol) đảm bảo chất lượng ... DiffServ domain bao gồm tập hợp DiffServ node cung cấp dịch vụ thông thường có tập PHB thực bên node DiffServ domain có hai loại node: node nằm biên gọi edge node domain node nằm bên domain gọi core...
... số: -Đông với thông số: Uđm=220V; Pđm=0.2kw ,nđm=1420vg/ph,I dđm =1.9A, ηđm=60%, Cosφđm=0.8; fđm=50Hz II-Nội dung cần hoàn thành: • Báo cáo tiến độ thực công việc theo tuần • Thuyết minh đề tài: ... điện.Vì vậy, đồ án môn học chếtạo sản phẩm điều kiện tốt giúp chúng em kiểm chứng lý thuyết học Trongđồ án điện tử công suất lần này, chúng em nhận đề tài “Thiết kế hệ thống điều khiển tốcđộ ... nghiên cứu, chúng em chếtạothành công điều khiển điện áp xoay chiều pha đáp ứng yêu cầu đề tài Trong suốt thời gian thực đề tài, chúng em gặp số vướng mắc lý thuyết khó khăn việc thi công sản...
... cos α Uff max.cosα = 1.35.Uff cosα (2-1) Trong : UfN max :Điện áp pha cực đại Uff max :Điện áp dây cực đại Dòng điện trung bình van : Ihd = Khd Id Trong : Ihd , Id : Dòng điện hiệu dụng van ... tục ta có : Ud1 = Ud0.cosα1 ; Ud2 = Ud0.cosα2 ; 48 THIẾT KẾ HỆ THỐNG ĐIỀU CHỈNH TỐCĐỘ ĐỘNG CƠ ĐIỆN MỘT CHIỀU Id Vậy : Ud0.cosα1 = Ud0.cosα2 ; α1 + α2 = 1800 ; Hay : cosα1 + cosα2 = ; suy Nếu α1 ... iT3 + iT1 = iT2 = Id =const (2-9) Từ phương trình ta rút : Ud = - ec (2-10) Do trùng dẫn ( Lc ≠ 0) nên trị trung bình điện áp tải bị giảm ∆Uμ , xác định sau : ∆Uμ = = [cosα - cos(μ+ α) ] (2-11)...
... hòa tan anôt dungdịch NaCl cao nhất; điện cực PbO2 đƣợc chếtạo Ti có phủ lớp SnO2 cóđộ bền hòa tan anôt dungdịch NaCl, Na2SO4 Na3PO4 cao điện cực PbO2/ C (màng PbO2 graphit cacbon) PbO2/ Ti 26 ... cứu cho thấy, điện cực PbO2 đƣợc chếtạo phƣơng pháp điện phân bao gồm hai lớp α -PbO2 β -PbO2 cóđộ bền cao điện cực có lớp β -PbO2; với thời gian điện phân 30 phút, điện cực PbO2có khả trao đổi ... 90 mg/L 2,4-dichlorophenol hệ điện cực Ti/SnO2- Sb2O5/α -PbO2/ β -PbO2 Việc loại bỏ hiệu TOC đạt 36% sau điện phân cho với mật độ dòng mA/cm2 Lớp phủ SnO2 có hoạt tính tƣơng tự nhƣ PbO2 Tại cực...
... VIẾT TẮT ALE PSEN DPTR PCON TMOD TCON IP Register IE LED : Address Latch Enable : Program Store Enable : Data Pointer : Power Control Register : Timer Mode Register : Timer Control Register : Interrupt ... địa bước h) Thanh ghi điều khiển nguồn Thanh ghi điều khiển nguồn PCON có địa 87H chứa bit điều khiển Các bit điều khiển nguồn, nguồn giảm PD nghỉ IDL, hợp lệ tất chip thuộc họ MCS51 PCON không ... DIV AB chia A B, thương số cất chứa A số dư cất ghi B Thanh ghi B xử lí ghi nháp Các bit định địa ghi B có địa từ F0H đến F7H b) Con trỏ stack Con trỏ stack SP ghi 8bit địa 81H SP chứa địa liệu...
... trường phân bố hình sin bề mặt khe từ + Các giá trị điện trở điện cảm coi không đổi Nội dung đề tài nhiều khía cạnh chưa xét đến Do đề tài nhiều vấn đề cần phải hoàn thiện tương lai Kiến nghị Đề ... lượng thực hệ thống nhằm tiếp tục phát triển, hoàn thiện thực hóa đề tài Nội dung luận văn: Với mục tiêu đặt ra, nội dung luận văn bao gồm chương sau: Chương1: Tổng quan điều chỉnh tốcđộ động ... nhiều giải pháp, phạm vi luận văn này, tác giả nghiên cứu giải pháp InstaSpin- FOC (Field oriented control- điều khiển tựa theo từ thông) Giải pháp giúp tự động nhận dạng điều chỉnh tất tốcđộ loại...
... nguồn cung cấp cho động Dotốcđộ động xấp xỉ tốcđộ đồng bộ, nên động làm việc với độ trượt tổn hao công suất trượt mạch rotor nhỏ Tuy nhiên phương pháp phức tạp đắt tiền Trong hệ thống truyền ... tiếp tục phát triển, hoàn thiện thực hóa đề tài Nội dung luận văn: Số hóa Trung tâm Học liệu http://www.lrc-tnu.edu.vn/ Với mục tiêu đặt ra, nội dung luận văn bao gồm chương sau: Chương 1: Tổng ... thông rotor sau: Do cuộn dây stator rotor có cấu tạo đối xứng mặt học nên tất giá trị điện cảm bất biến với hệ tọa độ quan sát Phương trình momen: Phương trình chuyển động: Trong đó: (2.8) mT...
... nguồn cung cấp cho động Dotốcđộ động xấp xỉ tốcđộ đồng bộ, nên động làm việc với độ trượt tổn hao công suất trượt mạch rotor nhỏ Tuy nhiên phương pháp phức tạp đắt tiền Trong hệ thống truyền ... tiếp tục phát triển, hoàn thiện thực hóa đề tài Nội dung luận văn: Số hóa Trung tâm Học liệu http://www.lrc-tnu.edu.vn/ Với mục tiêu đặt ra, nội dung luận văn bao gồm chương sau: Chương 1: Tổng ... tuổi M.D Dalivo Dabrovolxki sau tìm hiểu kết luận Fecrarix tính không triển vọng động không đồng Trong thời gian ngắn ông hoàn thành nghiên cứu động không đồng cung cấp từ hệ ba pha hoàn thành...
... NỘI DUNG I Tiếp cận kháng nguyên II Sự hình thành kháng thể MỞ ĐẦU Kháng nguyên Đáp ứng miễn dịch Kích ... hình thành kháng thể: • Phân tử MHC lớp II bề mặt APC tương tác với phân tử CD4 bề mặt tế bào TH Do tiếp xúc thông qua kháng nguyên làm trung gian tế bào TH kích thích tế bào B sản Interlokin Chất...