Tạo màng dẫn điện trong suốt bằng phương pháp phún xạ magnetron

ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP HCM TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN - Trần Cao Vinh TẠO MÀNG DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHÚN XẠ MAGNETRON LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ Thành phố Hồ Chí Minh - 2009 ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP HCM TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN - Trần Cao Vinh TẠO MÀNG DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHÚN XẠ MAGNETRON Chuyên ngành: Quang học Mã số: 1.02.18 LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC GS.TS NGUYỄN HỬU CHÍ Thành phố Hồ Chí Minh - 2009 LỜI CẢM ƠN Tôi xin chân thành cảm ơn GS.TS Nguyễn Hửu Chí, người tận tình hướng dẫn thực công trình nghiên cứu Thầy ủng hộ động viên hoàn thành luận án Tôi xin chân thành cảm ơn trợ giúp nhiệt tình Thầy Cô, bạn đồng nghiệp em sinh viên Bộ môn Vật lý Ứng dụng Tôi xin chân thành cảm ơn Đội ngũ cán Phòng thí nghiệm Vật lý Chân không, Phòng thí nghiệm Vật liệu Kỹ thuật cao, Phòng thí nghiệm Khoa học Vật liệu Trường Đại học Khoa học Tự Nhiên - Đại học Quốc Gia Thành phố Hồ Chí Minh tạo điều kiện giúp thực công trình nghiên cứu Cảm ơn Ba Mẹ Trần Vũ – Song Tùng nuôi nấng dạy dỗ nên người Cảm ơn tất thành viên gia đình chung sống thương yêu hòa thuận Cảm ơn Mai Thuận Mai An, người vợ gái bên cạnh nguồn động lực giúp hoàn thành luận án Trần Cao Vinh LỜI CAM ĐOAN Tôi Trần Cao Vinh, nghiên cứu sinh chuyên ngành Quang học trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia Tp HCM, hoàn thành Luận án xin cam đoan số liệu kết nêu Luận án trung thực chưa công bố công trình mà không tham gia Tác giả Trần Cao Vinh 187 MỤC LỤC MỞ ĐẦU CHƯƠNG ÔXÍT DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT 1.1 Các thông số công nghệ đặc trưng TCO .5 1.2 Vật liệu ITO ZnO .10 1.3 Tính chất quang học ôxít dẫn điện suốt (TCO) 12 CHƯƠNG THỰC NGHIỆM VÀ PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU 28 2.1 Phương pháp phún xạ magnetron .28 2.2 Quá trình thực nghiệm phép đo .28 2.3 Xác định tính chất quang học màng mỏng ITO GZO từ phổ truyền qua mô hình hàm điện môi 28 CHƯƠNG MÀNG MỎNG ITO 28 3.1 Giới thiệu 28 3.2 Xác định tính chất quang học màng ITO từ phổ truyền qua .28 3.3 Ảnh hưởng trình chế tạo lên tính chất điện quang màng ITO phương pháp phún xạ magnetron dc 28 3.4 Cơ chế chuyển đổi định hướng ưu tiên mặt tinh thể trình tăng trưởng màng mỏng ITO 28 3.5 Tăng cường định hướng tinh thể ITO theo mặt (222) dựa lớp đệm ZnO lớp đệm ITO 28 3.6 Kết luận 28 CHƯƠNG MÀNG MỎNG GZO 28 4.1 Giới thiệu 28 4.2 Chế tạo bia gốm dẫn điện GZO 28 4.3 Sự hình thành ion âm phún xạ từ bia ZnO pha tạp 28 4.4 Xác định tính chất quang học màng GZO từ phổ truyền qua 28 4.5 Ảnh hưởng trình chế tạo lên tính chất điện quang màng GZO phương pháp phún xạ magnetron RF 28 4.6 Kết luận 28 KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ 28 DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH 28 TÀI LIỆU THAM KHẢO 28 DANH MỤC CÁC BẢNG MỞ ĐẦU CHƯƠNG ÔXÍT DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT CHƯƠNG THỰC NGHIỆM VÀ PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU Bảng 2.1 Các thông số hàm điện môi Drude mở rộng Lorentz CHƯƠNG MÀNG MỎNG ITO Bảng 3.1 Các số hàm điện môi thủy tinh Bảng 3.2 Giá trị thông số hàm điện môi ITO Bảng 3.3 Điện trở suất độ truyền qua với khoảng cách bia-đế khác Bảng 3.4 Tính chất điện màng ITO với áp suất phún xạ khác Bảng 3.5 Tính chất quang màng ITO với áp suất phún xạ khác Bảng 3.6 Tính chất điện màng ITO với công suất phún xạ khác Bảng 3.7 Tính chất quang màng ITO với công suất phún xạ khác Bảng 3.8 Tính chất điện màng ITO chế tạo nhiệt độ đế khác Bảng 3.9 Tính chất quang màng ITO với nhiệt độ đế khác phủ màng Bảng 3.10 Tính chất điện màng ITO chế tạo với độ dày khác Bảng 3.11 Tính chất quang màng ITO với độ dày khác phủ màng Bảng 3.12 Tính chất điện màng ITO chế tạo với lượng ôxi khác Bảng 3.13 Tính chất quang màng ITO với lượng ôxi khác phủ màng Bảng 3.14 So sánh hệ số dãn nở nhiệt đàn hồi vật liệu màng đế sử dụng Bảng 3.15 Tính chất điện màng ITO chế tạo nhiệt độ phòng, sau ủ nhiệt môi trường không khí Bảng 3.16 So sánh tính chất quang điện màng ITO chế tạo nhiệt độ phòng nung 300oC không khí với màng ITO chế tạo nhiệt độ 350oC chân không Bảng 3.17 Độ biến dạng màng ITO với mặt (222) (400) Bảng 3.18 So sánh tính chất quang điện màng ITO /ZnO/glass với màng ITO/glass Bảng 3.19 So sánh tính chất quang điện màng ITO/O-ITO/glass với màng ITO/glass CHƯƠNG MÀNG MỎNG GZO Bảng 4.1 Độ kết khối vật liệu bia GZO AZO Bảng 4.2 Giá trị thông số hàm điện môi GZO Bảng 4.3 Tính chất điện màng GZO chế tạo với khoảng cách bia-đế khác Bảng 4.4 Tính chất điện màng GZO với áp suất phún xạ khác Bảng 4.5 Tính chất quang màng GZO với khoảng cách bia-đế khác Bảng 4.6 Tính chất quang màng GZO với áp suất phún xạ khác Bảng 4.7 Tính chất điện màng GZO với công suất phún xạ khác Bảng 4.8 Tính chất quang màng GZO với công suất phún xạ khác Bảng 4.9 Tính chất điện màng GZO chế tạo nhiệt độ đế khác Bảng 4.10 Tính chất quang màng GZO chế tạo nhiệt độ đế khác Bảng 4.11 Tính chất điện quang màng GZO chế tạo với độ dày khác Bảng 4.12 Sự thay đổi điện trở suất GZO theo điều kiện ủ nhiệt Bảng 4.13 Khảo sát độ bền nhiệt màng GZO KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH TÀI LIỆU THAM KHẢO DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ MỞ ĐẦU CHƯƠNG Hình 1.1 ÔXÍT DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT Dạng phần thực phần ảo độ cảm điện χve tính từ mô hình dao động điện tử liên kết Hình 1.2 Mô hình cấu trúc với vùng dẫn vùng hóa trị parabol ngăn cách vùng cấm Eg0 không pha tạp (a); sau pha tạp nặng vùng cấm quang học mở rộng hiệu ứng Burstein-Moss (b); cấu trúc vùng bị nhiễu loạn thu hẹp tán xạ hệ nhiều hạt (c) Vùng gạch đậm ký hiệu trạng thái bị chiếm Dịch chuyển quang học xảy vectơ sóng Fermi [83] CHƯƠNG THỰC NGHIỆM VÀ PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU Hình 2.1 Phân bố từ trường quĩ đạo điện tử bề mặt cathode phẳng Hình 2.2 Mô tả hệ phún xạ magnetron phẳng Hình 2.3 Sự phân bố phún xạ magnetron cân chế độ dc rf Hình 2.4 Thế phún xạ cathode magnetron dc rf theo công suất phóng điện bia ZnO áp suất 0.8 Pa Hình 2.5 Vận tốc lắng đọng magnetron dc rf theo công suất phóng điện Hình 2.6 Sự phụ thuộc vận tốc phủ theo lượng ion bắn phá Hình 2.7 Sự phụ thuộc mật độ dòng ion bão hòa lên đế theo áp suất Ar với bia ZnO công suất 50 W Hình 2.8 Sự phụ thuộc công suất nhiệt đế phún xạ dc rf bia ZnO vào: a) Áp suất làm việc Hình 2.9 b) Công suất phóng điện Các giai đoạn dung kết Hình 2.10 Quy trình tạo bia phún xạ phương pháp dung kết Hình 2.11 Hệ tạo màng Univex 450 Hình 2.12 Mô hình bố trí bia đế thực nghiệm Hình 2.13 Biểu diễn mô hình phụ thuộc tần số va chạm điện tử vào tần số CHƯƠNG Hình 3.1 MÀNG MỎNG ITO Phổ đo phổ mô đế thủy tinh với bố trí phép đo truyền qua Hình 3.2 Hàm điện môi, chiết suất hệ số tắt đế thủy tinh Marienfeld xác định từ phổ truyền qua Hình 3.3 Phổ đo truyền qua phổ tính toán màng ITO đế thủy tinh từ mô hình Drude mở rộng + Lorentz Hình 3.4 Giá trị theo bước sóng phần thực phần ảo hàm điện môi, chiết suất hệ số tắt màng ITO thu từ mô hình Drude mở rộng + Lorentz Hình 3.5 Bình phương hệ số hấp thụ theo lượng photon tính từ hệ số tắt κ dạng bờ hấp thụ ITO Hình 3.6 Sự phụ thuộc tần số va chạm điện tử độ linh động điện tử màng ITO theo bước sóng photon kích thích Hình 3.7 Điện trở suất ITO thay đổi theo khoảng cách bia – đế Hình 3.8 Điện trở suất, nồng độ độ linh động điện tử màng ITO với áp suất Ar khác phủ màng Hình 3.9 Phổ truyền qua phản xạ màng ITO với áp suất Ar khác phủ màng Hình 3.10 Chiết suất hệ số tắt màng ITO với áp suất Ar khác phủ màng Hình 3.11 Tính chất điện màng ITO theo mật độ công suất phún xạ Hình 3.12 Phổ truyền qua phản xạ màng ITO với công suất khác phủ màng Hình 3.13 Chiết suất hệ số tắt màng ITO với công suất khác phủ màng Hình 3.14 Hệ số hấp thụ màng ITO với công suất khác phủ màng Hình 3.15 Điện trở suất, nồng độ độ linh động điện tử màng ITO chế tạo với nhiệt độ đế khác Hình 3.16 Giản đồ nhiễu xạ màng ITO khảo sát nhiệt độ đế khác cho thấy tăng trưởng tinh thể rỏ rệt xảy TS > 150oC Hình 3.17 Phổ truyền qua màng ITO chế tạo với nhiệt độ đế khác Hình 3.18 Phổ truyền qua phản xạ màng ITO chế tạo với nhiệt độ đế khác Hình 3.19 Chiết suất hệ số tắt màng ITO với nhiệt độ đế khác phủ màng Hình 3.20 Dịch chuyển bờ hấp thụ màng ITO chế tạo với nhiệt độ đế khác Hình 3.21 Điện trở suất, nồng độ độ linh động điện tử màng ITO chế tạo với độ dày khác Hình 3.22 Giản đồ nhiễu xạ màng ITO theo độ dày khác Hình 3.23 Phổ truyền qua phản xạ màng ITO chế tạo với độ dày khác Hình 3.24 Chiết suất hệ số tắt màng ITO với độ dày màng khác Hình 3.25 Sự thay đổi hệ số hấp thụ màng ITO gần bờ hấp thụ với độ dày màng khác Hình 3.26 Giản đồ nhiễu xạ tia X màng ITO điều kiện nhiệt độ đế áp suất riêng phần ôxi khác Hình 3.27 Điện trở suất, nồng độ độ linh động điện tử màng ITO chế tạo với hàm lượng ôxi khác Hình 3.28 Phổ truyền qua phản xạ màng ITO chế tạo với hàm lượng ôxi khác Hình 3.29 Chiết suất hệ số tắt màng ITO chế tạo với hàm lượng ôxi khác 172 ~ 25 - 29 cm2V-1s-1) Với độ dày d > 400 nm, điện trở suất màng đạt giá trị thấp, tính chất điện, quang, cấu trúc màng GZO tốt phún xạ nhiệt độ đế thấp (Ts ~ 50oC), độ truyền qua trung bình T ~ 83% vùng bước sóng 400 - 700 nm, phản xạ hồng ngoại µm R ~ 84%, giản đồ nhiễu xạ cho thấy màng phát triển theo trục c vuông góc mặt đế với định hướng ưu tiên (002) Điều cho thấy phương pháp phún xạ rf cho lượng tạo màng cao, dẫn đến tính chất màng ổn định 173 KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ KẾT LUẬN Luận án chứng tỏ mô hình hàm điện môi dựa lý thuyết cổ điển Drude mở rộng dao động Lorentz mô tả tốt phổ đo truyền qua màng mỏng ITO GZO Mô hình Lorentz sử dụng luận án lần áp dụng để tính toán dịch chuyển bờ hấp thụ màng ITO GZO Để mô tả xác phổ quang học vùng hồng ngoại gần màng ITO GZO với nồng độ điện tử lớn cần phải đưa vào lý thuyết cổ điển Drude phụ thuộc tần số va chạm điện tử vào tần số kích thích theo biểu thức: γ (ω ) = γ L − (γ L − γ H ) ⎡arctan ⎛ ω − ω Cross ⎞ + π ⎤ π ⎢ ⎣ ⎜ ⎝ ∆ω ⎟ ⎠ ⎥⎦ Trong luận án, biểu thức đưa vào trình tính toán nhằm biểu diễn mối quan hệ tần số Drude ωN tần số va chạm điện tử γL (hay γdc) trình dẫn chiều: ω2N = eN dc µ dc γ dc = γL ε0 ρ dc ε Từ mô hình xây dựng tính toán rút thông số quang học đặc trưng chiết suất n 0.55µm, bờ hấp thụ Eg khối lượng hiệu dụng điện tử vùng dẫn me* : Màng ITO: n = 1.86 ÷ 1.91; Màng GZO: n = 1.85 ÷ 1.92; Eg = (4.2 ÷ 4.3) eV; me* = (0.33 ÷ 0.34) me Eg = 4.1 eV; me* = (0.30 ÷ 0.34) me Luận án đề xuất chế mới, khác với tác giả nước ngoài, nhằm lý giải cạnh tranh mặt tinh thể (222) (400) màng ITO chế tạo phương pháp phún xạ dựa nguyên lý: hệ nhiệt động biến đổi theo xu hướng giảm lượng toàn phần Năng lượng toàn phần đóng góp chủ yếu từ lượng biến dạng lượng bề mặt tinh thể 174 Luận án đưa chế để lý giải nguyên nhân hình thành dòng ion âm từ bia phún xạ tượng ion hóa bề mặt Hiện tượng đặc biệt xảy bia ôxít hợp chất có pha tạp nguyên tố có độ điện âm thấp công thoát điện tử thấp Cơ chế thực nghiệm cho thấy màng chế tạo từ bia ZnO pha tạp Ga chịu tác động bắn phá ion âm, màng có tính chất dẫn điện tốt so với màng chế tạo từ bia ZnO pha tạp Al điều kiện phún xạ Luận án khảo sát tập hợp đầy đủ ảnh hưởng thông số kỹ thuật điển hình phương pháp phún xạ magnetron (như áp suất phún xạ, mật độ công suất phún xạ, nhiệt độ đế, xử lý nhiệt sau phủ, ) lên tính chất quang điện màng ITO GZO Trong điều kiện tối ưu, kết đạt độ truyền qua trung bình T vùng 400 – 700 nm, độ phản xạ hồng ngoại R µm, điện trở suất ρ, nồng độ điện tử N độ linh động điện tử µ là: Màng ITO: T ~ 80% R ~ 90% ρ ~ 1.1x10-4 Ω.cm N ~ 1.1x1021 cm-3 Màng GZO: T ~ 84% ρ ~ 3.0x10-4 Ω.cm µ ~ 53 cm2V-1s-1 R ~ 84% N ~ 7.2x1020 cm-3 µ ~ 28 cm2V-1s-1 Luận án đưa phương thức chế tạo màng ITO suốt cao, điện trở suất thấp đặc biệt cấu trúc tinh thể màng có đơn hướng [222] Với màng ITO đơn hướng [222], kết đạt độ truyền qua trung bình T vùng 400 – 700 nm, độ phản xạ hồng ngoại R µm, điện trở suất ρ, nồng độ điện tử N độ linh động điện tử µ là: T ~ 80% R ~ 87% ρ ~ 1.2x10-4 Ω.cm N ~ 1.0x1021 cm-3 µ ~ 49 cm2V-1s-1 Luận án đưa qui trình chế tạo vật liệu gốm dẫn điện ZnO pha tạp Ga có chất lượng tốt, phương pháp dung kết hỗn hợp ôxít nhiệt độ cao Bia gốm với mật độ 94% mật độ khối tính toán lý thuyết cho vận tốc phún xạ 175 cao 18Å/s mật độ công suất W/cm2 Màng GZO chế tạo từ bia gốm có độ bền nhiệt lên đến 4000C môi trường ôxi hóa cao KIẾN NGHỊ Hàm điện môi dựa mô hình Drude mở rộng dao động Lorentz cần thử nghiệm với loại màng mỏng dẫn điện suốt khác để đánh giá tính tổng quát lý thuyết áp dụng Ngoài mô hình Drude Lorentz, cần đưa vào bổ sung thêm mô hình vật lý khác để mô tả đóng góp vào hàm điện môi từ trình tán xạ, hấp thụ gây điện tử tự do, màng chế tạo xốp, mật độ khối thấp, màng có nhiều tạp chất Cần có thêm phân tích so sánh tính chất quang điện màng mỏng ITO đơn hướng [222] màng ITO có định hướng khác Cần có khảo sát đo đạc dòng phát xạ ion âm để chứng minh biểu thức định lượng chế phát xạ vết đưa 176 DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH Các công trình đăng tạp chí khoa học: Trần Tuấn, Nguyễn Hửu Chí, Phan Bách Thắng, Trần Cao Vinh, Lê Văn Ngọc (2002), “Chế tạo màng dẫn điện suốt ZnO phương pháp phún xạ phản ứng DC magnetron từ bia kim loại Zn”, Tạp chí Phát triển Khoa học Công nghệ - ĐHQG Tp HCM, Tập 5, Số 3&4-2002, trang 45-50 Trần Cao Vinh, Nguyễn Hửu Chí, Nguyễn Văn Đến, Cao Thị Mỹ Dung, Dương Quang Long (2005), “Tạo màng ZnO pha tạp Ga phún xạ magnetron RF”, Tạp chí Phát triển Khoa học Công nghệ - ĐHQG Tp HCM, Tập 8, Số 32005, trang 5-10 Trần Cao Vinh, Nguyễn Hửu Chí, Cao Thị Mỹ Dung, Đinh Thị Mộng Cầm (2005), “Tạo màng mỏng ITO thủy tinh có lớp đệm ZnO”, Tạp chí Phát triển Khoa học Công nghệ - ĐHQG Tp HCM, Tập 8, Số 4-2005, trang 2127 Cao Thị Mỹ Dung, Trần Cao Vinh, Nguyễn Hửu Chí (2007), “Ảnh hưởng pha tạp Ga lên tính chất điện màng ZnO tạo phương pháp phún xạ magnetron”, Tạp chí Phát triển Khoa học Công nghệ - ĐHQG Tp HCM, Tập 10, Số 3-2007, trang 37 – 40 Báo cáo Hội nghị Khoa học: Cao Thị Mỹ Dung, Trần Cao Vinh, Nguyễn Hửu Chí, Lê Thị Thúy Diễm, “Chế tạo màng đa lớp ZnO-Ga/Ag/ZnO-Ga phương pháp phún xạ magnetron”, Báo cáo Hội nghị Khoa học Trường ĐH Khoa học Tự nhiên – ĐHQG Tp HCM, Lần V, Tháng 11/2006 Trần Cao Vinh, Tạ Thị Kiều Hạnh, Cao Thị Mỹ Dung, “Tổng hợp CuCr1xMgxO2 dạng khối cho tạo màng mỏng bán dẫn loại p phương pháp phún 177 xạ”, Báo cáo Hội nghị Khoa học Trường ĐH Khoa học Tự nhiên – ĐHQG Tp HCM, Lần V, Tháng 11/2006 Cao Thị Mỹ Dung, Trần Cao Vinh, Nguyễn Hửu Chí, “Ảnh hưởng pha tạp Ga lên tính chất điện màng ZnO tạo phương pháp phún xạ magnetron”, Tuyển tập báo cáo hội nghị Vật lý toàn quốc lần thứ VI, 2005 Tập 3, trang 1289-1292 Trần Cao Vinh, Nguyễn Hửu Chí, Cao Thị Mỹ Dung, Tạ Thị Kiều Hạnh, “Sự tăng trưởng tinh thể với định hướng ưu tiên màng mỏng ITO phương pháp phún xạ magnetron”, Tuyển tập Báo cáo Hội nghị Vật lý Chất rắn Toàn quốc – Lần V, Tháng 11/2007, trang 325-328 Tạ Thị Kiều Hạnh, Trần Cao Vinh, Cao Thị Mỹ Dung (2008), “Ảnh hưởng pha tạp ôxít Mg đến tính chất dẫn điện loại p vật liệu khối màng mỏng CuCrO2”, Tuyển tập Báo cáo Hội nghị Vật lý Chất rắn Toàn quốc – Lần V, Tháng 11/2007, trang 540-543 Trần Cao Vinh, Cao Thị Mỹ Dung, Tạ Thị Kiều Hạnh (2008), “Dielectric function modelling of optical spectra of thin ZnO:Ga films”, (“Mô hình hàm điện môi cho phổ quang học màng mỏng ZnO pha tạp Ga”, Tuyển tập Báo cáo Hội nghị Quang học Quang phổ Toàn quốc - Lần V, Nha Trang, 10- 14/9/2008) Trần Cao Vinh, Tạ Thị Kiều Hạnh, Cao Thị Mỹ Dung, Lê Thụy Thanh Giang, Phạm Duy Phong (2008), “Tính chất quang điện màng ITO định hướng tinh thể [222] đế thủy tinh”, Báo cáo Hội nghị Khoa học Trường ĐH Khoa học Tự nhiên – ĐHQG Tp HCM , Lần VI, 14/11/2008 Nội dung luận án đóng góp vào đề tài khoa học: Chủ nhiệm đề tài cấp Bộ: "Kim loại hóa màng dẻo phương pháp phún xạ magnetron theo chế độ liên tục", Mã số: B2001-18-07 178 Chủ nhiệm đề tài cấp Bộ: "Tạo màng dẫn điện suốt phương pháp phún xạ magnetron", Mã số: B2002-18-23 Tham gia đề tài cấp Nhà nước (NCCB): "Nghiên cứu màng mỏng vô định hình quang phổ dao động nhiễu xạ tia X", Mã số: 440904 Tham gia đề tài cấp Nhà nước (NCCB): "Nghiên cứu chế tạo vật liệu cấu trúc Nano", Mã số: 400506 Chủ nhiệm đề tài cấp ĐHQG (cấp Bộ): "Nghiên cứu chế tạo màng mỏng bán dẫn suốt loại p", Mã số: B2008-18-44 179 TÀI LIỆU THAM KHẢO Tiếng Việt: Tạ Thị Kiều Hạnh (2008), “Ảnh hưởng pha tạp ôxít Mg đến tính chất dẫn điện loại p vật liệu khối màng mỏng CuCrO2”, Tuyển tập Báo cáo Hội nghị Vật lý Chất rắn Toàn quốc lần 5, trang 540 – 543 Lê Trấn, Nguyễn Hửu Chí (2004), “Sự thành lập ion âm ôxygen hệ phún xạ magnetron dc với bia ZnO”, Tạp chí Phát triển Khoa học & Công nghệ ĐHQG - Tp HCM Tập (1), trang 15 – 18 Phạm Phú Yên, Huỳnh Đức Vinh, Kỹ thuật sản xuất gốm sứ, Hà Nội (1995) Tiếng Nga: Добреуоь Л.Н (1964), Эмиссионнаф Электроника, М-Л.,.смр 189 Tiếng Anh: Akkad F.E (2000), “Effect of Substrate Temperature on the Structural, Electrical and Optical Properties of ITO Films Prepared by RF Magnetron Sputtering”, Phys Stat Sol 177, pp 445 – 452 Albertsson J (1989), “Atomic displacement, anharmonic thermal vibration, expansivity and pyroelectric coefficient thermal dependences in ZnO”, Acta Crystallographica B 45, pp.34 – 40 Ataev B M (1995), “Highly conductive and transparent Ga – doped epitaxial ZnO films on sapphire by CVD”, Thin Solid Films 260, pp 19 – 20 Baer W S (1967), “Faraday rotation in ZnO: Determination of the electron effective mass”, Physical Review 154, pp 785 – 789 Beena D (2007), “Influence of substrate temperature on the properties of laser ablated indium tin oxide films”, Solar Energy Materials and Solar Cells 91, pp.1438 – 1443 10 Bellingham J R (1992), “Intrinsic performance limits in transparent conducting oxides”, J Mater Sci Lett 11, pp 263 – 265 11 Berggren K F., Sernelius B E (1981), “Band-gap narrowing in heavily doped many-valley semiconductors”, Physical Review B 24, pp 1971 – 1986 12 Bhattacharyya D (1996), “Effect of substrate on the structural and optical properties of chemical-bath-deposited CdS films”, Thin Solid Films 288, pp 176 – 181 13 Boiadjiev S I (2007), “Preparation and properties of RF sputtered indium–tin oxide thin films for applications as heat mirrors in photothermal solar energy conversion”, Thin Solid Films 515, pp 8465 – 8468 180 14 Boycheva S (2007), “Structural, optical and electrical peculiarities of r.f plasma sputtered indium tin oxide films”, Thin Solid Films 515, pp 8469 – 8473 15 Brehme S (1999), “Free-carrier plasma resonance effects and electron transport in reactively sputtered degenerate ZnO:Al films”, Thin Solid Films 342, pp 167 – 173 16 Brewer S H (2002), “Optical properties of indium tin oxide and fluorinedoped tin oxide surfaces: correlation of reflectivity, skin depth, and plasmon frequency with conductivity”, Journal of Alloys and Compounds 338, pp 73 – 79 17 Cebulla R (1998), “Al–doped zinc oxide films deposited by simultaneous rf and dc excitation of a magnetron plasma: Relationships between plasma parameters and structural and electrical film properties”, J Appl Phys 83(2), pp 1087 – 1095 18 Chen M (2000), “Intrinsic limit of electrical properties of transparent conductive oxide films”, J Phys D: Appl Phys 33, pp 2538 – 2548 19 Choi C G (1995), “Effects of oxygen partial pressure on the microstructure and electrical properties of indium tin oxide film prepared by d.c magnetron sputtering”, Thin Solid Films 258, pp 274 - 278 20 Chopra K L (1983), “Transparent Conductors – A Status Review”, Thin Solid Films 102, pp – 46 21 Coutts T J (2000), “Characterization of Transparent Conducting Oxides”, MRS Bulletin 25(8), pp 58 – 65 22 Cullity B D (1978), Elements of X – Ray Diffraction, Addison – Wesley Publishing Company, Inc., USA 23 Cuomo J J (1977), “Origin and Effects of Negative Ions in the Sputtering of Intermetallic Compounds”, IBM J Res Develop., November Communication, pp 580 – 583 24 Cuomo J J (1978), “Significance of negative ion formation in sputtering and SIMS analysis”, J Vac Sci Tech 15, pp 281 – 287 25 De A (2007), “Study of annealing time on sol–gel indium tin oxide films on glass”, Materials Characterization 58, pp 629 – 636 26 Deesirapipat Y (2005), “Effects of MgO-Buffer Layer on the Structural and Optical Properties of Polycrystalline ZnO Films Grown on Glass Substrate”, Jpn J Appl Phys 44, pp 5150-5155 27 Edwards P P (2004), “Basic materials physics of transparent conducting oxides”, Dalton Trans., The Royal Society of Chemistry UK, pp 2995 – 3002 181 28 Ellmer K (2000), “Magnetron sputtering of transparent conductive zinc oxide: relation between the sputtering parameters and the electronic properties”, J Phys D: Appl Phys 33, pp R17–R32 29 Exarhos G J (2007), “Discovery-based design of transparent conducting oxide films”, Thin Solid Films 515, pp 7025 – 7052 30 Fallah H R (2007), “Influence of heat treatment on structural, electrical, impedance and optical properties of nanocrystalline ITO films grown on glass at room temperature prepared by electron beam evaporation”, Physica E 39, pp 69 – 74 31 Fan John C C., (1977), “X-ray photoemission spectroscopy studies of Sndoped indium-oxide films”, J Appl Phys 48, pp 3524-2531 32 Gordon R G (2000), “Criteria for Choosing Transparent Conductors”, MRS Bulletin 25(8), pp 52 – 57 33 Gupta L (1989), “Band gap narrowing and the band structure of tin – doped indium oxide films”, Thin Solid Films 176, pp 33 – 44 34 Hamberg I., (1984), “Band-gap widening in heavily Sn-doped In2O3”, Physical Review B 30, pp 3240 – 3249 35 Hamberg I., (1986), “Evaporated Sn-In2O3 films: Basic optical properties and applications to energy-efficient windows”, J Appl Phys 60(11), pp R123 – R159 36 Heavens O S (1955), Optical properties of Thin Solid Films, Butterworths Scientific Publication, London 37 Hosono H., (2007), “Recent progress in transparent oxide semiconductors: Materials and device application”, Thin Solid Films 515, pp 6000 – 6014 38 Ishibashi K (1992), “Mass spectrometric ion analysis in the sputtering of oxide targets”, J Vac Sci Technol A 10, 1718 – 1722 39 Jin Z C., Hamberg I., Granqvist C G (1988), “Optical properties of sputter – deposited ZnO:Al thin films”, J Appl Phys 64(10), pp 5117 – 5131 40 Jung Y S (2003), “Development of indium tin oxide film texture during DC magnetron sputtering deposition”, Journal of Crystal Growth 259, pp 343 – 351 41 Kamei M (1994), “Heteroepitaxial growth of tin-doped indium oxide films on single crystallline yttria stabilized zirconia substrates”, Appl Phys Lett 64, pp 2712 – 2714 42 Kamei M (1995), “Origin of characteristic grain-subgrain structure of tindoped indium oxide films”, Thin Solid Films 259, pp 38 – 45 182 43 Kaminsky M (1965), Atomic and Ionic Impact Phenomena on Metal Surfaces, Springer – Verlag, Berlin 44 Khawaja E E (2000), “Simple method for determining the optical constants of thin metallic films from transmittance measurements”, Thin Solid Films 358, pp 166 – 171 45 Kim H (1999), “Indium tin oxide thin films for organic light–emitting devices”, Appl Phys Lett 74, pp 3444 – 3446 46 Kim H (2000), “Effect of film thickness on the properties of indium tin oxide thin films”, J Appl Phys 88, pp 6021 – 6025 47 Kim H (2002), “Highly oriented indium tin oxide films for high efficiency organic light-emitting diodes”, J Appl Phys 91, pp 5371 – 5376 48 Kim J H (2008), “Heat generation properties of Ga doped ZnO thin films prepared by rf-magnetron sputtering for transparent heaters”, Thin Solid Films 516, pp 1330 – 1333 49 Kittel C (2003), Introduction to Solid State Physics, 7th Ed., John Wiley & Sons, Inc., Singapore 50 Kraus J D (1992), Electromagnetics, 4th Ed., Mc-Graw Hill, USA 51 Kukla R (1990), “A highest rate self-sputtering magnetron”, Vacuum 41, pp 1968 – 1970 52 Lai F (2007), “Determination of optical constants and thicknesses of In2O3:Sn films from transmittance data”, Thin Solid Films 515, pp 7387–7392 53 Lide D R (2003), CRC Handbook of Chemistry and Physics, 84th Edition CRC Press Boca Raton, Florida, USA 54 Losurdo M (2001), “Modifications of c-Si/a-Si:H/indium tin oxide heterostructures upon thermal annealing”, J Appl Phys 90, pp 6505 – 6512 55 Manifacier J C (1976), “A simple method for the determination of the optical constants n, k and the thickness of a weakly absorbing thin film”, J.Phys E: Sci Instrum 9, pp 1002 – 1004 56 Mergel D (2002), “Dielectric modeling of optical spectra of thin In2O3:Sn films”, J Phys D: Appl Phys 35, pp 794 – 801 57 Minami T (1982), “Highly conductive and transparent zinc oxide films prepared by rf magnetron sputtering under an applied external magnetic field”, Appl Phys Lett 41, pp 958 – 960 58 Minami T (1985), “Group III Impurity Doped Zinc Oxide Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering”, Jpn J Appl Phys 24, pp L781 – L784 183 59 Minami T (2000), “Highly transparent and conductive rare earth-doped ZnO thin films prepared by magnetron sputtering”, Thin Solid Films 366, pp 63 – 68 60 Minami T (2008), “Substitution of transparent conducting oxide thin films for indium tin oxide transparent electrode applications”, Thin Solid Films 516, pp 1314 – 1321 61 Miyazaki M., (1997), “Properties of Ga-doped ZnO films”, Journal of NonCrystalline Solids 218, pp 323 – 328 62 Mryasov O N., Freeman A J (2001), “Electronic band structure of indium tin oxide and criteria for transparent conducting behavior”, Physical Review B 64, 233111, pp 1-3 63 Nakaya (2001), “Organic electroluminescent device and preparation method with ITO electrode (111) orientation”, United State Patent, No 6188176 64 Nalwa Hari Singh (2001), Handbook of Thin Film Materials, Academic Press, USA 65 National Institute of Standards and Technology, “Hall Effect Measurements”, "http://www.eeel.nist.gov/812/hall.html" 66 Neerinck D G (1996), “Depth profiling of thin ITO films by grazing incidence X-ray diffraction”, Thin Solid Films 278, pp 12 – 17 67 Nelder J A., Mead R (1965), “A simplex method for function minimization”, Comput J 7, pp 308 – 313 68 Nyaiesh A R (1981), “The dependence of deposition rate on power input for dc and rf magnetron sputtering” Vacuum 31, pp 315 – 317 69 Ohhata Y (1978), “Optical properties of rf reactive sputtered tin-doped In2O3 films”, Thin Solid Films 59, pp 255 – 261 70 Ohring M (2002), Materials Science of Thin Films, 2nd Ed., Academic Press, NewYork 71 Ohta H (2002), “Surface morphology and crystal quality of low resistive indium tin oxide grown on yittria-stabilized zirconia”, J Appl Phys 91, pp 3547 – 3550 72 Okuya M (2007), “ITO thin films prepared by a microwave heating”, Thin Solid Films 515, pp 8656 – 8659 73 O’Leary S K., Johnson S R., Lim P K (1997), “The relationship between the distribution of electronic states and the optical absorption spectrum of an amorphous semiconductor: An empirical analysis”, J Appl Phys., 82(7), pp 3334 – 3340 184 74 Pauw L J van der (1958), “A methode of measuring specific resistivity and Hall effect of dics of arbitrary shape”, Philips Res Repts 13(1), pp – 75 Pelleg J (1991), “Reactive-sputter-deposited TiN films on glass substrates”, Thin Solid Films 197, pp 117 - 128 76 Penning F M (1936), “Glow discharge at low pressure between coaxial cylinders in an axial magnetic field”, Physica 3, pp 873 – 894 77 Power B D (1966), High vaccum pumping equipment, Chapman and Hall Ltd., London 78 Qiao Z (2006), “Dielectric modeling of transmittance spectra of thin ZnO:Al films”, Thin Solid Films 496, pp 520 – 525 79 Reitz J R (1993), Foundation of electromagnetic theory, 4th Ed., Addison Wesley, USA 80 Roth A P (1982), “Band-gap narrowing in heavily defect-doped ZnO”, Physical Review B 25, pp 7836 – 7839 81 Sato K (1995), United State Patent, No 5458753 82 Schaffer J P (1999), The Science And Design Of Engineering Materials, 2nd Ed., McGraw – Hill, New York 83 Sernelius B E (1986), “Band-gap tailoring of ZnO by means of heavy Al doping”, Physical Review B 37, pp 10244-10248 84 Smith D L (1995), Thin-Film Deposition: Principles & Practice, McGraw Hill, USA 85 Smith F M (1958), “Measurement of Sheet Resistivities with the Four – Point Probe”, The Bell System Technical Journal, pp 711 – 718 86 Smith R.W (1997), “A kinetic Monte Carlo simulation of fiber texture formation during thin-film deposition”, J Appl Phys 81, pp 1196 - 1203 87 Solieman A (2006), “Modeling of optical and electrical properties of In2O3:Sn coatings made by various techniques”, Thin Solid Films, 502, 205 – 211 88 Song D (2002), “Investigation of lateral parameter variations of Al-doped zinc oxide films prepared on glass substrates by rf magnetron sputtering”, Solar Energy Materials & Solar Cells 73, – 20 89 Swanepoel R (1983), “Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon”, J Phys E: Sci Instrum 16, pp 1214 – 1222 90 Szczyrbowski J (1989), “Bendable silver-based low emissivity coating on glass”, Solar Energy Mater 19, pp 43 – 53 185 91 Tadayyon S M (1999), “Work function modification of indium–tin–oxide used in organic light emitting devices”, J Vac Sci Tech A 17, pp 1773 – 1778 92 Taga N (1996), “Electrical properties of heteroepitaxial grown tin-doped indium oxide films”, J Appl Phys 80, pp 978 – 984 93 Taga N (2000), “Electrical properties and surface morphology of heteroepitaxial-grown tin-doped indium oxide thin films deposited by molecular-beam epitaxy”, J Vac Sci Tech A 18, pp 1663 – 1667 94 Tarsa E J (1993), “Pulsed laser deposition of oriented ln2O3 on (001) InAs, MgO and yttria-stabilized zirconia”, Appl Phys Lett 62, pp 2332 – 2334 95 Teghil R (2007), “Femtosecond pulsed laser deposition of nanostructured ITO thin films”, Materials Science and Engineering C 27, pp 1034 – 1037 96 The International Centre for Diffraction Data – ICDD, JCPDS Card No 36 – 1451 97 The International Centre for Diffraction Data – ICDD, JCPDS Card No 06 – 0416 98 Theiss W., Scout 98, Hard and Software for Optical Spectroscopy, Dr Bernhard-Klein-Str 110, 52078 Aachen, Germany, www.mtheiss.com 99 Thilakan P (2001), “Investigations on the crystallisation properties of RF magnetron sputtered indium tin oxide thin films”, Thin Solid Films 388, 34 – 40 100 Thornton J A (1977), “High Rate Thick Film Growth”, Rev Mater Sci 7, pp 239 – 260 101 Thornton J A (1978), “Cylindrical Magnetron Sputtering”, Thin Film Processes, Academic Press Inc., New York, pp 75 – 110 102 Thornton J A (1978), “Magnetron sputtering: basic physics and application to cylindrical magnetrons”, J Vac Sci Technol 15, pp 171 – 178 103 Tominaga K (1982), “Energy analysis of high-energy neutral atoms in sputtering of ZnO and BaTiO3”, Jpn J Appl Phys 21, pp 688 – 695 104 Tominaga K (1988), “Radiation Effect due to Energetic Oxygen Atoms on Conductive Al-Doped ZnO Films”, Jpn J Appl Phys 27, pp 1176 – 1180 105 Tominaga K (1998), Transparent conductive ZnO film preparation by alternating sputtering of ZnO:Al and Zn or Al targets”, Thin Solid Films 334, 35 – 39 106 Tsurumi T (1999), “Electric properties of Zinc oxide epitaxial films grown by Ion-beam sputtreing with oxygen- radical irradiation”, Jpn J Appl Phys 38, pp 3682 – 3688 186 107 Viespe C (2007), “ITO thin films deposited by advanced pulsed laser deposition”, Thin Solid Films 515, pp 8771 – 8775 108 Waits R K (1978), “Planar Magnetron Sputtering”, J Vac Sci Technol 15, pp 179 – 187 109 Waits R K (1978), “Planar Magnetron Sputtering”, Thin Film Processes, Academic Press Inc., New York, pp 131 – 173 110 Wang C (2007), “Characteristics of ITO films fabricated on glass substrates by high intensity pulsed ion beam method”, Journal of Non–Crystalline Solids 353, pp 2244 – 2249 111 Weiher R L (1963), “Thermal Expansion of Indium Oxide”, J Applied Physics 34, pp 1833 – 1834 112 Weiher R L (1966), “Optical Properties of Indium Oxide”, J Appl Phys 37, pp 299 – 300 113 Weijtens C H L (1991), “Influence of annealing on the optical properties of indium tin oxide”, Thin Solid Films 196, pp l – 10 114 Wendt R., Ellmer K (1997), “Thermal power at a substrate during ZnO:Al thin film deposition in a planar magnetron sputtering system”, J Appl Phys 82(5), pp 2115 – 2122 115 Wittkowski T (2001), “Elastic properties of indium tin oxide films”, Thin Solid Films 398, pp 465 – 470 116 Wu C C (1997), “Surface modification of indium tin oxide by plasma treatment: An effective method to improve the efficiency, brightness, and reliability of organic light emitting devices”, Appl Phys Lett 70, pp 1348 – 1350 117 Wu W -F (1997), “Mechanical properties of r.f magnetron sputtered indium tin oxide films”, Thin Solid Films 293, pp 244 – 250 118 Yeom G Y (1989), "Cylindrical Magnetron Discharges: I Current-Voltage Characteristics for dc and rf Driven Discharge Sources", J Appl Phys 65(10), pp 3816 – 3824 119 Yi C H (1995), “Oriented Tin-Doped Indium Oxide Films on Preferred Oriented Polycrystalline ZnO Films”, Jpn J Appl Phys 34, pp 1638 – 1642 120 Ying X (1990), “Fitting of transmission data for determining the optical constants and thickness of optical films”, J Appl Phys 67, pp 2056 – 2059 121 Zeng K (2003), “Investigation of mechanical properties of transparent conducting oxide thin films”, Thin Solid Films 443, pp 60 – 65 [...]... mong đợi như là màng dẫn điện trong suốt để thay thế ITO Tuy nhiên, trong trường hợp màng ZnO có pha tạp Al (AZO), để nhận được điện trở ở mức 10-4 Ω.cm trên đế thủy tinh bằng phương pháp phún xạ thì đòi hỏi đế phải được thiết kế một cách đặc biệt như đế phải được đặt vuông góc với bề mặt bia Tốc độ tạo màng trong trường hợp này không cao hơn 5 Å/s [2] Trong lĩnh vực sản suất, vận tốc tạo màng thấp là... lực học; đưa ra cách thức chế tạo màng ITO có định hướng ưu tiên mạnh (texture) theo mặt tinh thể (222) cần thiết cho ứng dụng OLED Nghiên cứu GZO trong luận án bao gồm việc chế tạo vật liệu gốm dẫn điện cho bia phún xạ (target); chế tạo và khảo sát các tính chất quang và điện, tính chất tinh thể của GZO theo các điều kiện tạo màng điển hình trong phương pháp phún xạ magnetron rf, theo điều kiện xử... thiết bị điện tử hay quang điện tử trong đó các tiếp xúc dị thể được chế tạo dựa trên các TCO như điện cực cho OLED, pin mặt trời, sensor quang học hoặc các thiết bị điện tử, quang điện tử dựa trên chuyển tiếp p-n trong suốt như điốt, transistor, điốt phát quang, laser, đầu dò UV, các ứng dụng trong màn hình trong suốt, mạch tích hợp trong suốt, Do đó ngoài những yêu cầu về tính dẫn điện trong suốt, ... Hà Nội, nghiên cứu và chế tạo thành công ITO bằng phương pháp bốc bay chùm tia điện tử; tập thể của Giáo sư Nguyễn Hửu Chí, Thạc sĩ Lê Trấn và các cộng sự của Trường Đại học Khoa học Tự nhiên – Đại học Quốc gia Tp Hồ Chí Minh, nghiên cứu và chế tạo thành công ZnO pha tạp Al bằng phương pháp phún xạ magnetron Bằng phương pháp phún xạ cathode, cao tần magnetron, nhiều tập thể khoa học trên thế giới như... nghị khoa học chuyên ngành trên thế giới 5 CHƯƠNG 1 ÔXÍT DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT 1.1 Các thông số công nghệ đặc trưng của TCO Đặc trưng cơ bản của màng TCO là có đồng thời độ dẫn điện tốt và độ truyền qua cao trong vùng ánh sáng khả kiến Khả năng dẫn điện, độ trong suốt và nhiều tính chất khác phụ thuộc vào đặc điểm trong cấu trúc màng TCO được chế tạo Cấu trúc vô định hình, đa tinh thể hay đơn tinh thể,... theo công suất phún xạ Hình 4.21 Phổ truyền qua và phản xạ của màng ITO chế tạo với công suất khác nhau khi phủ màng Hình 4.22 Chiết suất và hệ số tắt của màng ITO chế tạo với công suất khác nhau khi phủ màng Hình 4.23 Sự dịch chuyển bờ hấp thụ của màng GZO theo công suất phún xạ từ 20 W đến 180 W Hình 4.24 Điện trở suất, nồng độ và độ linh động điện tử của màng GZO khi được chế tạo với nhiệt độ đế... mũi dò, đo độ dày Stylus, … cũng được sử dụng kết hợp với phương pháp phân tích quang học Nghiên cứu ITO trong luận án bao gồm việc chế tạo và khảo sát các tính chất quang và điện, tính chất tinh thể theo các điều kiện chế tạo điển hình trong phương pháp phún xạ magnetron dc, theo điều kiện xử lý nhiệt và rút ra điều kiện tối ưu của phương pháp; đề ra cơ chế giải thích sự tăng trưởng các mặt tinh thể... biệt của vật liệu này là khả năng dẫn điện gần như kim loại nhưng lại trong suốt trong vùng khả kiến tương tự như các chất điện môi Do đặc điểm này mà vật liệu TC xuất hiện trong hầu hết các ứng dụng ở đó tính dẫn điện và trong suốt cao được đồng thời yêu cầu Rất nhiều ứng dụng điện tử, quang điện tử dựa trên vật liệu TC đã được nghiên cứu phát triển Những thiết bị dạng màng mỏng bao gồm: chống ngưng... hơi nước cho cửa sổ máy bay, phương tiện cơ giới; màng chắn tĩnh điện, màn chắn nhiễu điện từ; gương phản xạ nhiệt cho cửa sổ và bóng đèn nhiệt; điện cực trong suốt cho màn hình hiển thị tinh thể lỏng (LCD), màn hình plasma, màn điện sắc; đi-ốt phát quang hữu cơ (OLED), điện cực cho pin mặt trời dựa trên Si vô định hình; các tiếp xúc bán dẫn cho ứng dụng điện tử trong suốt Các công nghệ đang phát triển... < xung laser Vận tốc của quá trình là rất quan trọng trong tính chi phí CVD trong không khí, bay hơi chân không, phún xạ magnetron có vận tốc phủ màng cao và khả năng phủ màng có diện tích lớn CVD ở áp suất thấp có chi phí thiết bị cao hơn so với CVD trong khí quyển Phương pháp Sol-gel có vận tốc tạo màng thấp do các bước làm khô và ủ nhiệt màng, trong khi xung laser chỉ phù hợp cho những đế có diện ... 2.1.2 Phương pháp phún xạ magnetron phẳng dc rf Nguồn phún xạ magnetron phẳng sáng chế từ năm 70 kỷ trước Không lâu sau phún xạ magnetron trở thành phương pháp phổ biến để tạo màng kim loại màng. .. gồm việc chế tạo vật liệu gốm dẫn điện cho bia phún xạ (target); chế tạo khảo sát tính chất quang điện, tính chất tinh thể GZO theo điều kiện tạo màng điển hình phương pháp phún xạ magnetron rf,... - Trần Cao Vinh TẠO MÀNG DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHÚN XẠ MAGNETRON Chuyên ngành: Quang học Mã số: 1.02.18 LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC GS.TS NGUYỄN HỬU