- Hydrua dễ bay hơi: gồm hydrua của bo và tất cả các nguyên tố thuộc
R L Bậc tự do của hệ cân bằng này là:
2.2.2.2. Giải thích tính dẫn điện, cách điện và bán dẫn.
Tính dẫn điện của kim loại là do sự di chuyển của các electron hoá trị
qua mạng lưới kim loại theo một chiều hướng xác định dưới tác dụng của một hiệu số điện thế của dòng điện đặt vào.
Các kim loại dẫn điện tốt vì các electron từ các MO bị chiếm có năng
lượng thấp (vùng hố trị) dễ chuyển lên các MO trống có năng lượng cao hơn
(vùng dẫn) dưới tác dụng của dòng điện và tham gia dẫn điện. Điều này có
nghĩa là trong kim loại giữa vùng hoá trị và vùng dẫn khơng có vùng cấm (hình 2.1-b).
Chất cách điện là chất dưới tác dụng của dòng điện các electron trên các MO bị chiếm không thể chuyển lên các MO trống có năng lượng cao hơn để
tham gia dẫn điện, nghĩa là giữa vùng hoá trị và vùng dẫn có vùng cấm với
∆E > 3 eV. Ví dụ, trong kim cương ∆E = 5,7 eV.
Trong các chất bán dẫn giữa vùng hoá trị và vùng dẫn có ∆E = 0,1÷ 3eV.
Khi có kích thích khơng lớn (nhiệt hoặc dưới tác dụng của các tia có độ dài sóng khơng lớn) các electron trên các MO bị chiếm có thể chuyển lên các MO có năng lượng cao hơn để tham gia dẫn điện. Ví dụ, silic tinh thể kiểu kim
cương là chất bán dẫn (∆E = 1,12 eV).
Độ dẫn điện của kim loại phụ thuộc vào số electron tham gia dẫn điện
trong một đơn vị thể tích và trong một đơn vị thời gian, và số electron này được gọi là số electron hiệu dụng. Ví dụ, mỗi nguyên tử Ag và Cs đều có một
electron hố trị ns có thể tham gia dẫn điện, nhưng bạc có độ dẫn điện cao
hơn nhiều so với cesi và trong 1 cm3 số nguyên tử Ag (5,8.1022) lớn hơn gấp 7
∆E
Vùng các MO có năng lượng cao
Vùng các MO có năng lượng thấp
Độ dẫn điện của hầu hết các kim loại giảm xuống khi nhiệt độ tăng, vì sự
chuyển động nhiệt của các nguyên tử và các electron trong mạng tinh thể
ngăn cản sự chuyển động có hướng của các electron.
Trái lại, đối với đa số chất bán dẫn và cách điện, độ dẫn điện tăng theo
nhiệt độ vì năng lượng nhiệt càng lớn càng kích thích số electron trên các MO
ở vùng hoá trị lên các MO ở vùng dẫn.