Nghiên cứu cơ chế phản ứng của gốc etinyl (C2H) với phân tử silan (SiH4 )

Các cơ chế phản ứng của gốc etinyl (C2 H) với phân tử silan (SiH4) được nghiên cứu bằng phương pháp phiếm hàm mật độ (DFT) B3LYP với bộ hàm cơ sở 6-311++G(d,p) và 6-311++G(3df,2p). Từ đó thiết lập được bề mặt thế năng của hệ phản ứng.

LIÊN NGÀNH HĨA HỌC - CƠNG NGHỆ THỰC PHẨM Nghiên cứu chế phản ứng gốc etinyl (C2H) với phân tử silan (SiH4) Study mechanism on the reaction of ethynyl radical (C2H) with silane molecular (SiH4) Vũ Hoàng Phương, Lê Văn Thủy Email: hphuong_hp@yahoo.com Trường Đại học Sao Đỏ Ngày nhận bài: 24/9/2018 Ngày nhận sửa sau phản biện: 19/12/2018 Ngày chấp nhận đăng: 27/12/2018 Tóm tắt Các chế phản ứng gốc etinyl (C2H) với phân tử silan (SiH4) nghiên cứu phương pháp phiếm hàm mật độ (DFT) B3LYP với hàm sở 6-311++G(d,p) 6-311++G(3df,2p) Từ thiết lập bề mặt hệ phản ứng Kết tính tốn cho thấy sản phẩm phản ứng là: SiH3 + C2H2, HCCSiH3 + H, C2H4 + SiH, HHCCSiH2 + H, HSiCHCH2 + H, SiCH2 + CH3, SiCH2CH2 + H, SiCHCH3 + H, SiH3 + HHCC Tuy nhiên, hình thành SiH3 + C2H2, C2H4 + SiH thuận lợi Nghiên cứu đóng góp cho hiểu biết chế phản ứng gốc etinyl với nhiều gốc tự phân tử nhỏ khí đốt cháy Từ khóa: Cơ chế phản ứng; thuyết phiếm hàm mật độ (DFT); gốc etinyl; silan Abstract The reaction mechanism of the ethynyl radical and silane has been studied by the Density Functional Theory (DFT) using the B3LYP functional in conjunction with the 6-311++G(d,p) and 6-311++G(3df,2p) basis sets The potential energy surface (PES) for the C2H+SiH4 system was also established Calculated results indicate that products of this reaction can be: SiH3 + C2H2, HCCSiH3 + H, C2H4 + SiH, HHCCSiH2 + H, HSiCHCH2 + H, SiCH2 + CH3, SiCH2CH2 + H, SiCHCH3 + H, SiH3 + HHCC However, the formation of SiH3 + C2H2 and C2H4 + SiH is the most favorable This study is a contribution to the understanding of the reaction mechanisms of the ethynyl radical with many small radicals and molecules in the atmosphere and combustion chemistry Keywords: Reaction mechanism; density functional theory (DFT); ethynyl radical; silane GIỚI THIỆU CHUNG Hiện nay, việc tạo gốc tự hay hợp chất hoạt động hóa học cao, kiểm sốt tính chất xem xét ảnh hưởng chúng bầu khí cháy luôn chủ đề thu hút quan tâm nhiều trung tâm nghiên cứu giới Gốc tự nguyên tử hay nhóm nguyên tử có chứa electron độc thân có khả phản ứng cao Một gốc tự đặc biệt quan tâm gốc etinyl (C2H) Etinyl sinh nhiều trình tự nhiên nhân tạo, bao gồm khoảng khơng gian sao, khí hành tinh giàu hidrocacbon hành tinh Titan hay trình đốt cháy nhiên liệu hữu cơ, Người phản biện: PGS.TS Ngô Sỹ Lương TS Hồng Thị Hịa q trình oxi hóa hidrocacbon thiếu oxi, vài q trình tổng hợp sản phẩm hữu [1, 2] Gốc etinyl xác định có liên quan đến phản ứng cháy nhiên liệu hữu cơ, trình cracking nhiệt cracking xúc tác Nó sinh phân tử chất hữu cơ, đặc biệt hidrocacbon bị phân cắt thành nhiều phần tử nhỏ tác dụng chất oxi hóa nhiệt độ Mặc dù gốc etinyl tồn khoảng thời ngắn, lại đóng vai trị then chốt hình thành polyaxetilen số hợp chất thơm Cụ thể C2H tác dụng với axetilen (C2H2) tạo thành phân tử C4H2, gốc C4H3 Trong chuỗi phản ứng với phân tử C2H2, người ta thu polyaxetilen, với phân tử C2H2 thu benzen (C6H6), gốc phenyl (C6H5) Tiếp theo hợp chất thơm, gốc thơm khác Các phân tử gốc thơm dùng chất Tạp chí Nghiên cứu khoa học - Đại học Sao Đỏ, ISSN 1859-4190 Số 4(63).2018 75 NGHIÊN CỨU KHOA HỌC để tổng hợp polime chứa vịng thơm (PAHs) [3] Về cấu tạo, C2H có obitan chứa electron độc thân nguyên tử cacbon phía ngồi, obitan cịn lại lấp đầy electron, thêm liên kết C – C liên kết ba (chứa hai liên kết π bền), nguyên tử C trạng thái lai hóa sp Chính vậy, khả phản ứng gốc etinyl cao Trong gốc etinyl có hai trung tâm phản ứng chính: nguyên tử C chứa electron chưa ghép đôi hệ liên kết π Nên tác nhân dễ dàng công vào hai trung tâm phản ứng C2H tồn khí hành tinh giàu hidrocacbon hành tinh Titan, khoảng khơng gian, đám mây tối đen Đây mơi trường đặc biệt có nhiệt độ thấp áp suất thấp Trong môi trường nhiệt độ thấp, hàng rào lượng thường yếu tố ảnh hưởng lớn đến tốc độ phản ứng Đối với phản ứng khơng có rào cản (năng lượng hoạt hóa thấp), phản ứng C2H có thuận lợi nhiều so với phản ứng thơng thường có hàng rào lượng đáng kể Phản ứng gốc etinyl (C2H) với số chất axetilen (C2H2) [4], CH4, C2H6, C3H8, C2H4, C3H6 [5], hidro (H2) [1, 6], amoniac (NH3) [7], hidrohalogenua (HX) [8] nhiều cơng trình nghiên cứu lý thuyết thực nghiệm Tuy nhiên, chưa có cơng trình nghiên cứu lý thuyết phản ứng gốc etinyl (C2H) với silan (SiH4) Bên cạnh đóng vai trị quan trọng nhiều ngành công nghiệp vi điện tử, chất ổn định cho vật liệu composit, sản suất pin mặt trời , silan (SiH4) chất khí có tính độc hại, dễ bắt cháy khơng khí nước nên thực tế hồn tồn xảy phản ứng C2H SiH4 Chính vậy, báo cáo lựa chọn nghiên cứu phản ứng gốc C2H phân tử SiH4 Hi vọng kết tính tốn thu cung cấp kiện đầu vào cho nghiên cứu lí thuyết sâu làm tài liệu tham khảo cho nhà hóa học thực nghiệm PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU Đối với hệ nghiên cứu phản ứng gốc etinyl phân tử silan nội dung cần khảo sát bao gồm: - Từ cấu trúc chất phản ứng (RA), phân tích khả mà phản ứng xảy - Tối ưu hóa cấu trúc chất phản ứng (RA), trung gian (IS), trạng thái chuyển tiếp (TS), sản phẩm tạo thành (P) - Dùng phương pháp HF để khảo sát sơ cấu trúc TS, IS, sau làm xác phương pháp B3LYP/6-311++G(3df,2p), tính lượng điểm đơn cấu tử tính thơng số nhiệt động chúng - Thiết lập bề mặt đầy đủ dựa lượng tương quan - Giải thích chế phản ứng, xác định đường phản ứng ưu tiên sản phẩm dễ hình thành Trên sở nội dung cần nghiên cứu trên, lựa chọn phương pháp, phần mềm tính tốn hóa học lượng tử phù hợp cho đối tượng nghiên cứu Về phần mềm tính tốn, sử dụng Gaussian 09 [9] kết hợp phần mềm hỗ trợ như: Gaussview, Chemcraft Với phương pháp hóa học lượng tử, dùng thuyết phiếm hàm mật độ (DFT) B3LYP với hàm sở 6-311++G(d,p) 6-311++G(3df, 2p) KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 3.1 Dự đoán chế phản ứng Dựa vào cấu tạo tạo hóa học gốc etinyl phân tử silan (Phân tử SiH4 có cấu tạo tứ diện, nguyên tử Si lai hóa sp3 C gốc C2H lai hóa sp), phản ứng gốc C2H SiH4 dự đoán xảy theo bốn hướng sau: Hình Các hướng phản ứng C2H SiH4 Trong đó: + Hướng a: Nguyên tử Si cơng vào ngun tử C có electron tự (C1) + Hướng b: Nguyên tử H công vào nguyên tử C1 + Hướng c: Nguyên tử Si công vào nguyên tử C (C2) + Hướng d: Nguyên tử H công vào nguyên tử C2 Trong bốn hướng phản ứng trên, hướng a b dự đoán xảy dễ dàng hướng c, d vì: cơng vào ngun tử C1 chứa orbital có electron độc thân với khả phản ứng cao thuận lợi so với nguyên tử C2 76 Tạp chí Nghiên cứu khoa học - Đại học Sao Đỏ, ISSN 1859-4190 Số 4(63).2018 LIÊN NGÀNH HĨA HỌC - CƠNG NGHỆ THỰC PHẨM Phản ứng C2H với SiH4 tạo thành sản phẩm, kí hiệu từ P1 đến P9, theo đường phản ứng sau: RA1 CO1 TS1/2 TS1/P9 P9 TS2/P1 IS2 TS2/3 TS2/4 P1 TS2/P2 IS3 TS3/P2 P2 đó: RA: chất phản ứng; TS: trạng thái chuyển tiếp; IS: sản phẩm trung gian; P : sản phẩm phản ứng; CO: phức chất hoạt động TS3/4 TS4/5 IS4 TS3/6 IS5 CO2 P3 TS6/P4 P4 TS6/7 TS7/P8 IS7 TS5/7 P5 TS7/P5 TS8/P7 P7 tham số cấu trúc (bao gồm dạng hình học phân tử, độ dài liên kết, góc liên kết, tần số dao dộng) chất phản ứng, sản phẩm trung TS7/8 IS8 Dùng phương pháp B3LYP với hàm sở 6-311++G(3df,2p) để tối ưu hóa cấu trúc, xác định TS4/6 IS6 P8 TS5/P3 gian, trạng thái chuyển tiếp, sản phẩm TS8/P6 P6 Hình Các đường phản ứng C2H SiH4 tạo thành hệ chất nghiên cứu Kết đưa hình Tạp chí Nghiên cứu khoa học - Đại học Sao Đỏ, ISSN 1859-4190 Số 4(63).2018 77 NGHIÊN CỨU KHOA HỌC Hình Hình học số cấu trúc (độ dài liên kết (Å), góc liên kết (0) Các giá trị tham số cấu trúc cho biết thay đổi góc, độ dài liên kết ứng với việc tạo phức chất hay sản phẩm trung gian, trạng thái chuyển SiH4 + C2H → HHCCSiH2 + H (4) SiH4 + C2H → HSiCHCH2 + H (5) tiếp, sản phẩm Như vậy, kết luận có phù SiH4 + C2H → CH3 + SiCH2 hợp với dự đoán chế ban đầu hay không SiH4 + C2H → SiCH2CH2 + H Dựa kết thu tạo thành SiH4 + C2H → SiCHCH3 + H (8) SiH4 + C2H → SiH3 + HHCC (9) sản phẩm phản ứng hình 3, dự đốn có đường phản ứng: SiH4 + C2H → C2H2 + SiH3 (1) SiH4 + C2H → HCCSiH3 + H (2) SiH4 + C2H → C2H4 + SiH (3) (6) (7) Như nhận xét trên, hướng công thuận lợi vào nguyên tử C1, dự đoán sản phẩm phản ứng (1) (3) ưu tiên 78 Tạp chí Nghiên cứu khoa học - Đại học Sao Đỏ, ISSN 1859-4190 Số 4(63).2018 LIÊN NGÀNH HĨA HỌC - CƠNG NGHỆ THỰC PHẨM 3.2 Xây dựng bề mặt năng, giải thích chế phản ứng lượng tương đối chất trung gian, trạng Bề mặt đầy đủ hệ nghiên cứu C2H SiH4 thiết lập dựa việc tính gian phản ứng Bề mặt biễu diễn thái chuyển tiếp sản phẩm theo hệ chất tham hình Hình Bề mặt (PES) hệ phản ứng Trên bề mặt hệ phản ứng gốc etinyl với silan, có hai phức chất trung gian kí hiệu CO1 CO2 Để cho gọn trạng thái chuyển tiếp TS I/J kí hiệu gọn tương ứng I/J Các sản phẩm trung gian IS2, IS3, IS4… kí hiệu gọn tương ứng: 2, 3, 4… Các sản phẩm tạo thành kí hiệu từ P1, P2, P3… P9 tương ứng với sản phẩm đường phản ứng Từ kết tính lượng dao động điểm khơng lượng điểm đơn xác định lượng tương quan với mức lượng hệ chất tham gia phản ứng ban đầu C2H + SiH4 qui ước Khi gốc C2H công vào phân SiH4, trước tiên tạo phức CO1 Phức có liên kết C-Si hình thành có độ dài lớn 5,012 Å nên bền vững Năng lượng phức chênh lệch với hệ chất tham gia phản ứng không nhiều (-0,4 kcal/mol) Phức CO1 khơng bền nhanh chóng bị phản ứng thơng qua TS 1/2 (-6,63 kcal/mol) tạo chất trung gian tương ứng IS2 (-64,5 kcal/mol) Từ IS2 có khả phản ứng để tạo thành chất trung gian IS3 (-72,03 kcal/mol) hai sản phẩm P1, P2 Sản phẩm P1 (-44,54 kcal/mol) có lượng thấp hình thành từ IS2 thơng qua TS 2/ P1 (-38,98 kcal/mol) theo sơ đồ: → CO1 RA1   → IS2 → P1 Thông số độ dài liên kết Si-C1 thay đổi từ TS1/2 (2.395 A0) → IS2 (1.876 A0) → TS 2/P1 (2.666 A0) chứng tỏ có q trình tạo thành chất trung gian trước liên kết bị kéo dài TS 2/ P1 để cắt đứt tạo sản phẩm phân tử trung hòa C2H2 gốc tự SiH3 Kết tính xác nhận có tạo thành chất trung gian hoàn toàn phù hợp Sản phẩm P2 (-33,45 kcal/mol) hình thành thơng qua hai đường khác Ngoài đường tạo thành từ IS2 thơng qua TS 2/P2 (-30,92 kcal/mol) cịn qua đường khác tạo thành từ IS3 thông qua TS 3/P2 (-31,78 kcal/mol) Tạp chí Nghiên cứu khoa học - Đại học Sao Đỏ, ISSN 1859-4190 Số 4(63).2018 79 NGHIÊN CỨU KHOA HỌC Dễ nhận thấy TS 3/P2, liên kết C2-H bị kéo dài 2.079 A0 để chuẩn bị cắt đứt tạo sản phẩm phân tử HCCSIH3 (P2a) gốc H Sản phẩm P3 (-45,3 kcal/mol) hình thành thơng qua nhiều giai đoạn trung gian IS3 - IS4 IS5 có lượng thấp nên sản phẩm trung gian tương đối bền vững Đặc biệt có hình thành phức chất bền vững CO2 (-64,95 kcal/mol) RA1 IS2 TS2/3 P3 IS3 TS3/4 IS4 TS4/5 IS5 TS5/P3 CO2 TS2/4 Chính vậy, P3 sản phẩm có lượng thấp (thấp P1) đường phản ứng qua nhiều IS, TS, cịn sản phẩm P1 có lượng cao không nhiều qua hai TS nên P1 sản phẩm chiếm ưu so với sản phẩm khác Sự tạo thành sản phẩm P4 (-12,69 kcal/mol): IS3 TS3/4 IS4 TS4/6 IS6 TS6/P4 P4 TS3/6 Thông qua sơ đồ phản ứng nhận thấy trình hình thành sản phẩm P4 qua hai chất trung gian IS4 (-82,66 kcal/mol) IS6 (-51,6 kcal/mol) IS4 có lượng thấp bề mặt chứng tỏ có độ bền lớn cấu trúc khác Trong đó, TS 6/P4 (-11,62 kcal/mol) có lượng tương đối cao so với TS khác Chứng tỏ hình thành sản phẩm khó khăn Trong trình hình thành sản phẩm P5 (-16,45 kcal/ mol), P8 (-16,22 kcal/mol) thông qua IS7 (-62,86 kcal/ mol) tạo thành P5 qua TS có lượng thấp, tạo thành P8 lại phải qua TS có lượng cao (18,96 kcal/mol) nên P8 sản phẩm khó tạo thành Sản phẩm P9 (-2,19 kJ/mol) có lượng cao so với sản phẩm khác, tạo thành từ đường thông qua TS 1/P9 (2,79 kJ/mol) Nên P9 sản phẩm khó tạo thành Tuy nhiên, so sánh với sản phẩm P8 P9 sản phẩm ưu tiên qua TS có lượng thấp Sản phẩm P6 (-34,34 kcal/mol), P7 (-18,56 kcal/mol) hình thành từ IS8 thông qua TS 8/P6 (-28,76 kcal/mol) TS 8/P7 (-13,13 kcal/mol) So sánh giá trị lượng sản phẩm hàng rào lượng, sản phẩm P6 chiếm thứ tự ưu tiên P7 Như vậy, từ hệ chất ban đầu C2H SiH4, tồn tiến trình phản ứng, qua hai TS tương ứng 1/P9 (2,79 kcal/mol) 7/P8 (18,96 kcal/mol) có lượng tương đối cao lượng chất tham gia phản ứng nên hình thành hai sản phẩm P9, P8 khó khăn Nhưng xét điều kiện phản ứng đốt cháy nhiệt độ cao với mức hàng rào lượng đó, hệ chất phản ứng vượt qua để tạo thành sản phẩm P1÷P9 Nhận xét bề mặt năng: Dựa vào bề mặt (PES) hệ phản ứng ta nhận thấy: Đường phản ứng có TS có hàng rào lượng thấp qua TS nhất, kết luận mặt động học sản phẩm P1 chiếm ưu Đường phản ứng có hàng rào lượng cao nhất, việc tạo sản phẩm P8 tương đối khó khăn mặt động học Kết phù hợp với dự đoán ban đầu ưu tiên sản phẩm tạo thành Nhận xét mặt nhiệt động học: Các thông số nhiệt động hiệu ứng nhiệt ΔH, đẳng áp đẳng nhiệt ΔG xác định lý thuyết Các giá trị phản ứng hình thành sản phẩm từ P1÷P9 bảng Giá trị ∆H thực nghiệm tham khảo chênh lệch nhỏ so với giá trị tính theo lý thuyết (thể P1, P3 hai sản phẩm ưu tiên nhất) C2H + SiH4 → C2H4 + SiH (P3) ∆H = -43,5 kcal/mol (lý thuyết -44,7 kcal/mol) C2H + SiH4 → C2H2 + SiH3 (P1) ∆H = -41,9 kcal/ mol (lý thuyết -44,4 kcal/mol) Kết chứng tỏ việc sử dụng phương pháp tính hồn tồn phù hợp thông tin đưa báo hoàn toàn đáng tin cậy Hiệu ứng nhiệt đẳng áp đẳng nhiệt có giá trị âm nên chúng thuận lợi mặt nhiệt động học Bảng Các thông số nhiệt động học hệ phản ứng ΔHo(kcal/mol) Đường phản ứng Kết tính Thực nghiệm [12] ΔGo(kcal/mol) P1 (SiH3 + C2H2) -44,4 -41,9 -44,6 P2 (HCCSiH3 + H) -33,6 P3 (C2H4 + SiH) -44,7 -31,6 -43,5 80 Tạp chí Nghiên cứu khoa học - Đại học Sao Đỏ, ISSN 1859-4190 Số 4(63).2018 -46,0 LIÊN NGÀNH HĨA HỌC - CƠNG NGHỆ THỰC PHẨM ΔHo(kcal/mol) Đường phản ứng Kết tính P4 (HHCCSiH2 + H) -12,8 -10,9 P5 (HSiCHCH2 + H) -16,6 -14,9 P6 (SiCH2 + CH3) -34,3 -35,9 P7 (SiCH2CH2 + H) -19,2 -16,4 P8 (SiCHCH3 + H) - 2,1 -4,6 P9 (SiH3 + HHCC) -14,6 -12,8 Kết tính tốn hồn tồn phù hợp với tính tốn dựa vào lượng tương đối sản phẩm so với hệ chất ban đầu bề mặt (PES) KẾT LUẬN Đã thiết lập toàn chế phản ứng, cấu trúc trung gian, trạng thái chuyển tiếp, sản phẩm xác định dạng hình học Chín sản phẩm tạo thành gồm SiH3 + C2H2, HCCSiH3 + H, C2H4 + SiH, HHCCSiH2 + H, HSiCHCH2 + H, SiCH2 + CH3, SiCH2CH2 + H, SiCHCH3 + H, SiH3 + HHCC hình thành từ hệ chất ban đầu giải thích cách chi tiết đầy đủ Trong số sản phẩm tạo thành P1 (SiH3 + C2H2), P3 (C2H4 + SiH) hai sản phẩm dễ hình thành qua TS có lượng thấp, cịn sản phẩm P8 (SiCHCH3 + H) khó tạo phải vượt qua hàng rào lượng cao lượng hệ chất tham gia phản ứng Các thông số nhiệt động hiệu ứng nhiệt nhiệt động tính tốn So sánh với kết thực nghiệm tham khảo hai đường phản ứng ưu tiên (đường phản ứng 1, 3) cho kết chênh lệch 2,76% với sản phẩm 5,97% với sản phẩm 1, điều chứng tỏ tính tốn lý thuyết hồn tồn đáng tin cậy TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Paul J Dagdigiana (2018) Interaction of C2H with molecular hydrogen: Ab initio potential energy surface and scattering calculations The Journal of Chemmistry Physics 148, 024304 [2] B Gans, G A Garcia, F Holzmeier, J Krüger, A Röder, A Lopes, C Fittschen, J.-C Loison, and C Alcaraz (2017) Communication: On the first ionization threshold of the C2H radical J Chem Phys 146, 011101 Thực nghiệm [12] ΔGo(kcal/mol) [3] AT Le, GE Hall, TJ Sears (2016) The near – infrared spectrum of ethynyl radical Journal of Chemical physics 145,074306 [4] Da Silva, W B.;* Albernaz, A F (2016) Kinetic Mechanism Study of Reaction C2H + C2H2 via TST Rev Virtual Quim, (2), p 394-404 [5] Manas Ranjan Dash and B Rajakumar* (2015) Abstraction and addition kinetics of C2H radicals with CH4, C2H6, C3H8, C2H4, and C3H6: CVT/SCT/ ISPE and hybrid meta-DFT methods Phys.Chem Chem.Phys., Vol 17, p 3142-3156 [6] Jozef Peeters, Benny Ceursters, Hue Minh Thi Nguyen and Minh Tho Nguyen (2002) The reaction of C2H with H2: Absolute rate coefficient measurements and ab initio study Journal of Chemical Physics, Vol 116, No 9, p 3700-3709 [7] Shaun A Carl,* Rehab M.I Elsamra, Raviraj M Kulkarni, Hue M.T Nguyen, and Jozef Peeters (2004) No Barrier for the Gas-Phase C2H + NH3 Reaction The Journal of Physical Chemistry, Vol 108, No 17, p 3695-3698 [8] Hue Minh Thi Nguyen, Asit K Chandra, Shaun A Carl, and Minh Tho Nguyen (2005) Quantum chemical study of hydrogen abstraction reactions of the ethynyl radical with hydrogen compounds (C2H + HX) J Molecular Structure: Theochem, 732 (1-3), p 219-224 [9] M.J Frisch, G.W Trucks, H.B Schlegel, J.A Pople (2009) Gaussian, Inc., Pittsburgh PA [10] Frank Jensen (2007) Introduction to Computational Chemistry Second edition, John Wiley & Sons, Ltd [11] Shaun A Carl, Hue Minh Thi Nguyen, Rehab Ibrahim M Elsamra, Minh Tho Nguyen, and Jozef Peeters (2005) Journal of Chemical Physics 122, 114307 [12] David R Lide CRC Handbook of Chemistry and Physics Internet Version 2005 Tạp chí Nghiên cứu khoa học - Đại học Sao Đỏ, ISSN 1859-4190 Số 4(63).2018 81 ... PHÁP NGHIÊN CỨU Đối với hệ nghiên cứu phản ứng gốc etinyl phân tử silan nội dung cần khảo sát bao gồm: - Từ cấu trúc chất phản ứng (RA), phân tích khả mà phản ứng xảy - Tối ưu hóa cấu trúc chất phản. .. độ phản ứng Đối với phản ứng khơng có rào cản (năng lượng hoạt hóa thấp), phản ứng C2H có thuận lợi nhiều so với phản ứng thơng thường có hàng rào lượng đáng kể Phản ứng gốc etinyl (C2H) với. .. hóa học gốc etinyl phân tử silan (Phân tử SiH4 có cấu tạo tứ diện, nguyên tử Si lai hóa sp3 C gốc C2H lai hóa sp), phản ứng gốc C2H SiH4 dự đoán xảy theo bốn hướng sau: Hình Các hướng phản ứng C2H