biến tính bằng PDADMAC pH C0 (ppm) Ce(TB (ppm) H (TB) (%) SD 3 10,0 1,863 81,37 2,52 4 10,0 0,812 91,88 2,21 5 10,0 1,005 89,95 0,01 6 10,0 1,608 83,92 0,40 7 10,0 1,791 82,09 6,94 8 10,0 3,056 69,44 2,05 9 10,0 3,965 60,35 1,44 10 10,0 3,503 64,97 2,80 11 10,0 3,479 65,21 2,90
Hình 3.19. Ảnh hưởng của pH đến khả năng loại bỏ CEF của vật liệu silica biến tính bằng PDADMAC biến tính bằng PDADMAC
Kết quả trong Bảng 3.8 và Hình 3.19 cho thấy, hiệu suất xử lý CEF tăng khi
tăng pH của dung dịch từ 3 đến 4 và giảm dần từ pH =5 đến pH =11. Tại pH = 4 thì
điện tích âm ở pH > pK3 = 3,73. Từ pH <4 hiệu suất xử lý CEF giảm vật liệu nanosilica có thể bị hịa tan một phần đồng thời tồn tại của CEF ở dạng lưỡng cực. Ở pH = 4 đến pH = 7 hiệu suất xử lý giảm không nhiều trong khi ở pH > 7. Hiệu suất xử lý giảm nhiều do CEF luôn mang điện âm trong khi ảnh hưởng cạnh tranh của OH- tăng ở pH >7. Do vậy, pH tối ưu để hấp phụ là 4 được chọn cho các thí
nghiệm tiếp theo.
3.6.3. Khảo sát ảnh hưởng của nồng độ muối KCl khi hấp phụ CEF
Nền muối có ảnh hưởng lớn tới khả lực tương tác tĩnh điện giữa CEF và vật liệu SiO2 biến tính bằng PDADMAC. Do đó, khảo sát nồng độ muối KCl rất quan trọng.
Tiến hành khảo sát nồng độ muối KCl tại các nồng độ 0mM; 0.1mM; 1mM; 10mM; 50mM; 100mM trên vật liệu SiO2 sau khi được biến tính bằng PDADMAC kháng sinh CEF nồng độ 10,0 ppm tại pH=4 và thời gian hấp phụ trong 120 phút
Các kết quả khảo sát ảnh hưởng của nền muối KCl được làm lặp và lấy hiệu suất trung bình với độ lệch chuẩn thể hiện trong Bảng 3.9 và Hình 3.20.