bảo vệ chống xung quá độ trong mạng hạ áp

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ DƯƠNG ANH HÀO BẢO VỆ CHỐNG XUNG QUÁ ĐỘ TRONG MẠNG HẠ ÁP NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN - 60520202 S K C0 Tp Hồ Chí Minh, tháng 10/2014 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ DƯƠNG ANH HÀO BẢO VỆ CHỐNG XUNG QUÁ ĐỘ TRONG MẠNG HẠ ÁP NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN MÃ SỐ: 60520202 Tp Hồ Chí Minh, tháng 10/2014 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ DƯƠNG ANH HÀO BẢO VỆ CHỐNG XUNG QUÁ ĐỘ TRONG MẠNG HẠ ÁP NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN MÃ SỐ: 60520202 Hướng dẫn khoa học: PGS.TS QUYỀN HUY ÁNH Tp Hồ Chí Minh, tháng 10/2014 Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh LÝ LỊCH KHOA HỌC I LÝ LỊCH SƠ LƯỢC Họ & tên: Dương Anh Hào Giới tính: Nam Ngày, tháng, năm sinh: 03/10/1978 Nơi sinh: Tp Rạch Giá, Kiên Giang Quê quán: Tp Rạch Giá, Kiên Giang Dân tộc: Kinh Chỗ riêng địa liên lạc: 6B Kp Vĩnh Viễn, phường Vĩnh Hiệp, Tp Rạch Giá, tỉnh Kiên Giang Điện thoại quan: Điện thoại nhà riêng: 0773.700939 E-mail: duonganhhao78@gmail.com II QUÁ TRÌNH ĐÀO TẠO Đại học: Hệ đào tạo: Chính quy Thời gian đào tạo: từ tháng 9/1997 đến tháng 01/2003 Nơi học: Trường Đại Học Cần Thơ Ngành học: Điện tử Tên đồ án, luận án môn thi tốt nghiệp: Ngày & nơi bảo vệ đồ án tốt nghiệp: Người hướng dẫn: III QUÁ TRÌNH CÔNG TÁC CHUYÊN MÔN KỂ TỪ KHI TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC Thời gian Từ 11/2004 đến Nơi công tác Công việc đảm nhiệm Viễn thông Kiên Giang Nhân viên Tp, Hồ Chí Minh, ngày 18 tháng năm 2014 Dương Anh Hào HVTH: Dương Anh Hào i Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh LỜI CAM ĐOAN Tôi cam đoan công trình nghiên cứu Các số liệu, kết nêu luận văn trung thực chưa công bố công trình khác Tp Hồ Chí Minh, ngày 18 tháng năm 2014 Người cam đoan DƯƠNG ANH HÀO HVTH: Dương Anh Hào ii Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh LỜI CẢM ƠN Em xin chân thành cảm ơn đến tất quý Thầy, Cô môn Hệ thống điện Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ thuật TP.Hồ Chí Minh, Trường Đại Học Bách Khoa TP Hồ Chí Minh giúp đỡ tạo điều kiện thuận lợi cho em suốt khóa học Em xin bày tỏ long biết ơn sâu sắc với Thầy PGS.TS Quyền Huy Ánh, người quan tâm, tận tình hướng dẫn giúp em xây dựng hoàn thành luận văn Tôi xin chân thành cảm ơn đến tất bạn bè, đồng nghiệp ủng hộ động viên khoảng thời gian học tập nghiên cứu Thành phố Hồ Chí Minh, ngày 18 tháng năm 2014 Người thực Dương Anh Hào HVTH: Dương Anh Hào iii Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh TÓM TẮT Bảo vệ hệ thống điện xoay chiều hạ áp chống lại tượng áp độ mối quan tâm chủ yếu để bảo đảm chất lượng điện cung cấp, bảo đảm an toàn cho thiết bị Hiện nay, thiết bị điện-điện tử có mức cách điện xung áp thấp ngày sử dụng rộng rãi hệ thống điện Vì vậy, phương pháp hữu hiệu kinh tế để bảo vệ áp cho thiết bị điện-điện tử chọn lắp đặt thiết bị bảo vệ có hiệu bảo vệ cao, khả làm việc lâu dài đáng tin cậy Luận văn sâu nghiên cứu mô hình thiết bị chống áp sét lan truyền đường nguồn hạ áp, cụ thể: Xây dựng mô hình máy phát xung dòng 1/5µs, 4/10µs, 8/20µs, 10/350µs máy phát xung áp 1.2/50µs, 10/700µs Xây dựng mô hình MOV hạ thế, môi trường Matlab với sai số điện áp dư thấp 5% so với liệu cung cấp nhà sản xuất Xây dựng phương trình đặc tuyến liên hệ điện áp dư theo điện áp ngưỡng dòng xung sét MOV hạ đơn đa khối thông dụng, tạo điều kiện thuận lợi cho người sử dụng xác định điện áp dư cách nhanh chóng tương đối xác Xây dựng đặc tuyến liên hệ sai số điện áp ngưỡng hệ số dự trữ MOV đa khối, giúp xác định hệ số dự trữ số MOV mắc song song cách nhanh chóng xác Kết nghiên cứu cung cấp công cụ mô hữu ích cho nhà nghiên cứu, giảng viên, sinh viên trường đại học việc nghiên cứu đáp ứng thiết bị chống áp tác động xung sét lan truyền HVTH: Dương Anh Hào iv Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh ABSTRACT AC low voltage protection systems against overvoltage transient phenomenon is a concern primarily to ensure power supply quality, ensure the safety of the device Currently, the electric-electronic equipment with low voltage impulse insulation level has been widely used in the electrical system Therefore, the effective and most economical surge protection methods for power-electronic equipment is select and install the protective devices which have high efficiency protection, ability to work long-term and reliable This thesis studied in depth the model of surge protector on power lines, namely: Modeling the current surge generator of 1/5μs, 4/10μs, 8/20μs, 10/350μs wave form and the voltage surge generator of 1.2/50μs, 10/700μs wave form Construct the low voltage MOV model in Matlab environment with the residual voltage error of less than 5% compared to the data provided by the manufacturer Construct the equation and the characteristic relationship between the residual voltage, the reference voltage and the surge rated current of low voltage MOV single and multi blocks, creating favorable conditions for the user to quickly determine the residual voltage with fairly accurately Construct the characteristic relationship between residual and reference voltage of the reserve ratio of MOV multiple blocks, to help determine quickly and accurately the reserve ratio and the quantity of parallel MOVs The study results will provide a useful simulation tool for researchers, teachers, and university students in the study of the response of surge protection devices under the impact of the surge lightning on the power lines HVTH: Dương Anh Hào v Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh MỤC LỤC Trang Trang tựa Quyết định giao đề tài Lý lịch khoa học i Lời cam đoan ii Lời cảm ơn iii Tóm tắt iv Mục lục vi Danh sách bảng ix Danh sách hình x Chương Tổng Quan 1.1 Giới thiệu 1.2 Tổng quan thiết bị bảo vệ áp đường nguồn hạ áp 1.2.1 Giới thiệu 1.2.2.Hiện tượng độ 1.2.3.Tỷ lệ xuất hiện tượng độ 1.2.4.Hiện tượng độ tiêu biểu 1.2.5.Bảo vệ độ 1.2.6.Các thiết bị bảo vệ áp 1.Bộ lọc 2.Máy biến áp cách ly 10 3.Khe hở phóng điện 11 4.Diode thác Silic 12 5.Biến trở Oxit kim loại (MOV) 13 1.2.7 So sánh thiết bị bảo vệ áp phổ biến 15 1.2.8.Lựa chọn thiết bị bảo vệ áp 16 1.3.Nhiệm vụ đề tài 16 HVTH: Dương Anh Hào vi Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh 1.4.Phạm vi nghiên cứu 16 1.5.Các bước tiến hành 16 1.6.Điểm luận văn 17 1.7.Giá trị thực tiễn đề tài 17 1.8.Nội dung đề tài 18 Chương 2.Cấu tạo nguyên lý làm việc biến trở Oxit kim loại (MOV) 19 2.1.Cấu tạo 19 2.1.1.Giới thiệu 19 2.1.2 Cấu trúc vi mô 20 2.2.Tính hoạt động biến trở Oxit kim loại (MOV) 23 2.3 Đặc tính V-I 27 2.4.Sơ đồ tương đương 29 2.4.1.Trong vùng dòng điện rò thấp 103A) 32 2.5.Thời gian đáp ứng 32 2.6.Năng lượng cho phép công suất tiêu tán trung bình 33 2.6.1.Năng lượng cho phép 33 2.6.2 Công suất tiêu tán trung bình 35 2.7.Ảnh hưởng nhiệt độ 36 2.8 Các đặc tính MOV hư hỏng thường gặp áp xảy 38 Chương 3.Xây dựng mô hình nguồn phát xung 39 3.1.Các dạng xung không chu kỳ chuẩn phương trình toán chúng 39 3.2.Xây dựng mô hình nguồn phát xung 42 Chương 4.Xây dựng mô hình biến trở Oxit kim loại MOV 48 4.1.Mô hình MOV Matlab 48 4.2.Mô hình MOV hạ đề xuất 50 4.2.1.Khối look-up Table 53 HVTH: Dương Anh Hào vii Luận văn thạc sĩ 15kA 20kA 25kA 40kA 70kA GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh V1.5kA(V) 598 720 845 V3kA(V) 644 769.5 911 V6kA(V) 701 839.7 994 V10kA(V) 764 914.5 1083 V15kA(V) 819.5 981.6 1163 V1.5kA(V) 594.6 710 840 V3kA(V) 636.4 760.6 900 V6kA(V) 688 823 974.5 V10kA(V) 745.5 891.5 1055.5 V15kA(V) 797.7 955 1132 V20kA(V) 839 1005.4 1191.3 V1.5kA(V) 587.2 701 829 V3kA(V) 623.3 744.8 881 V6kA(V) 670 801 948.2 V10kA(V) 720.5 862 1021 V15kA(V) 765 916 1085 V20kA(V) 802 960 1137.5 V25kA(V) 832.6 997.3 1182 V1.5kA(V) 583 696 823 V3kA(V) 618.5 739 874.4 V6kA(V) 663.5 793.3 939 V10kA(V) 709.5 848.8 1005 V15kA(V) 752.4 890.5 1066 V20kA(V) 789.6 945.4 1120 V25kA(V) 816.8 978 1159 V40kA(V) 898.4 1076.5 1276 V1.5kA(V) 554.6 662 782.5 V3kA(V) 589.3 703.7 832.3 V6kA(V) 619.8 740.5 876 V10kA(V) 649 776 918.4 V15kA(V) 673 804.5 953 V20kA(V) 697 833.7 987 V25kA(V) 720 861.8 1020 V40kA(V) 766.5 917.5 1086.8 V50kA(V) 794 950.5 1126 V70kA(V) 835.8 1001 1186 HVTH: Dương Anh Hào Trang 92 Luận văn thạc sĩ 100kA GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh V1.5kA(V) 552.5 660 780 V3kA(V) 585 698.7 826 V6kA(V) 616 736 871 V10kA(V) 645.8 771.8 913.5 V15kA(V) 668 798.5 945 V20kA(V) 690 825 977 V25kA(V) 712 852 1009 V40kA(V) 757.3 906 1073.5 V50kA(V) 785 940 1113 V70kA(V) 824.5 987 1170 V100kA(V) 881.8 1056.5 1252 Từ giá trị điện áp dư vừa tìm được, áp dụng phương pháp sai số bình phương nhỏ (công cụ Cftool Matlab) để xây dựng phương trình đặc tính liên hệ điện áp dư theo điện áp ngưỡng dòng xung sét, trình bày Bảng 5.7 Bảng 5.7 Bảng tổng hợp phương trình liên hệ điện áp dư theo điện áp ngưỡng dòng xung sét MOV đa khối IđmMOV (kA) 10kA 15kA 20kA 25kA Biên độ xung thử (kA) Phương trình liên hệ Vdư Vngưỡng MOV đa khối Hệ số tương quan (r) 1.5kA Vdư = 2.8Vngưỡng – 37.33 0.999 3kA (Cat B) Vdư = 3.067Vngưỡng - 45 0.9989 6kA Vdư = 3.467Vngưỡng – 55.33 0.9989 10kA Vdư = 3.842Vngưỡng – 63.21 0.999 1.5kA Vdư = 2.744Vngưỡng – 33.72 1.0 3kA (Cat B) Vdư = 2.967Vngưỡng - 41 0.9988 6kA Vdư = 3.256Vngưỡng – 50.38 0.9991 10kA Vdư = 3.544Vngưỡng – 54.22 0.9989 15kA Vdư = 3.817Vngưỡng – 61.55 0.9979 1.5kA Vdư = 2.727Vngưỡng – 34.97 0.9988 3kA (Cat B) Vdư = 2.929Vngưỡng -39.78 0.9989 6kA Vdư = 3.183Vngưỡng – 46.92 0.9989 10kA Vdư = 3.444Vngưỡng - 49.72 0.9989 15kA Vdư = 3.714Vngưỡng – 59.91 0.9988 20kA (Cat C) Vdư = 3.914Vngưỡng – 64.57 0.999 1.5kA Vdư = 2.687Vngưỡng – 33.1 0.9989 3kA (Cat B) Vdư = 2.863Vngưỡng – 37.72 0.9989 HVTH: Dương Anh Hào Trang 93 Luận văn thạc sĩ 40kA 70kA 100kA GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh 6kA Vdư = 3.091Vngưỡng – 43.66 0.9989 10kA Vdư = 3.339Vngưỡng – 50.36 0.9989 15kA Vdư = 3.556Vngưỡng – 55.78 0.9989 20kA (Cat C) Vdư = 3.728Vngưỡng – 58.64 0.9989 25kA Vdư = 3.882Vngưỡng – 63.64 0.9989 1.5kA Vdư = 2.667Vngưỡng – 32.67 0.9989 3kA (Cat B) Vdư = 2.843Vngưỡng – 37.95 0.9989 6kA Vdư = 3.061Vngưỡng – 43.21 0.9989 10kA Vdư = 3.283Vngưỡng – 48.48 0.9989 15kA Vdư = 3.484Vngưỡng – 55.26 0.9953 20kA (Cat C) Vdư = 3.671Vngưỡng – 57.89 0.9989 25kA Vdư = 3.802Vngưỡng – 61.01 0.9989 40kA Vdư = 4.196Vngưỡng – 70.14 0.9989 1.5kA Vdư = 2.532Vngưỡng – 29.29 0.9989 3kA (Cat B) Vdư = 2.7Vngưỡng – 34.07 0.9989 6kA Vdư = 2.847Vngưỡng – 37.4 0.9989 10kA Vdư = 2.993Vngưỡng – 42.03 0.9989 15kA Vdư = 3.111Vngưỡng – 45.39 0.9989 20kA (Cat C) Vdư = 3.222Vngưỡng – 46.88 0.9989 25kA Vdư = 3.333Vngưỡng – 49.4 0.999 40kA Vdư = 3.559Vngưỡng – 55.09 0.9989 50kA Vdư = 3.689Vngưỡng – 57.61 0.9989 70kA (Cat D) Vdư = 3.891Vngưỡng – 62.46 0.999 1.5kA Vdư = 2.528Vngưỡng – 30.97 0.9939 3kA (Cat B) Vdư = 2.678Vngưỡng – 33.16 0.9989 6kA Vdư = 2.833Vngưỡng – 38.17 0.9988 10kA Vdư = 2.974Vngưỡng – 40.94 0.9989 15kA Vdư = 3.078Vngưỡng – 42.56 0.9989 20kA (Cat C) Vdư = 3.189Vngưỡng – 46.28 0.9988 25kA Vdư = 3.3Vngưỡng – 49.83 0.9989 40kA Vdư = 3.513Vngưỡng – 53.19 0.9988 50kA Vdư = 3.644Vngưỡng – 56.22 0.999 70kA (Cat D) Vdư = 3.839Vngưỡng – 61.86 0.9988 100kA Vdư = 4.113Vngưỡng – 67.73 0.9989 HVTH: Dương Anh Hào Trang 94 Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Các giá trị điện áp dư vừa tìm Bảng 5.6, xây dựng đặc tuyến quan hệ điện áp dư theo điện áp ngưỡng dòng xung sét MOV đa khối thông dụng, với điện áp ngưỡng: 230Vrms, 275Vrms 320Vrms, TOL = ±10% (Bảng 5.7) Hình 5.28 Đặc tính Vr-Vn MOV đa khối 10kA (2xMOV-8kA) Hình 5.29 Đặc tính Vr-Vn MOV đa khối 15kA (4xMOV-8kA) HVTH: Dương Anh Hào Trang 95 Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Hình 5.30 Đặc tính Vr-Vn MOV đa khối 20kA (5xMOV-8kA) Hình 5.31 Đặc tính Vr-Vn MOV đa khối 25kA (7xMOV-8kA) HVTH: Dương Anh Hào Trang 96 Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Hình 5.32 Đặc tính Vr-Vn MOV đa khối 40kA (12xMOV-8kA) Hình 5.33 Đặc tính Vr-Vn MOV đa khối 70kA (23xMOV-8kA) HVTH: Dương Anh Hào Trang 97 Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Hình 5.34 Đặc tính Vr-Vn MOV đa khối 100kA (32xMOV-8kA) 5.6 Đánh giá ưu, nhược điểm MOV đơn đa khối chống sét lan truyền đường nguồn hạ áp 5.6.1 Về khả tản sét Cần lưu ý thực tế, xác xuất xuất xung sét có biên độ từ 6.5kA trở lên 93%, xác xuất xuất xung sét có biên độ từ 100kA trở lên 1% Do đó, cấu tạo MOV cần chế tạo để có khả chịu xung sét lặp lại biên độ trung bình lớn MOV đơn khối có ưu điểm chịu xung sét đơn có biên độ lớn không thích hợp cho xung sét lặp lại có biên độ trung bình Điều giải thích sau: xuất xung sét trung bình với MOV đơn khối chịu dòng sét lớn MOV không bị phá hủy bên MOV có đường dẫn xác định, sau xuất xung sét lặp lại xung tiếp tục phát triển theo đường dẫn xác định lần trước nhanh chóng bị phá hủy Vì vậy, khả tản xung sét có biên độ lớn không phát huy tác dụng Ngược lại, HVTH: Dương Anh Hào Trang 98 Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh khả chia dòng MOV mắc song song MOV đa khối thích hợp cho việc tản xung sét đơn biên độ lớn xung sét lặp lại có biên độ trung bình 5.6.2 Khả tản nhiệt Độ bền nhiệt yếu tố định đến tuổi thọ thiết bị MOV đơn khối có khả tản nhiệt MOV đa khối, tuổi thọ ngắn 5.6.3 Khả chia tản dòng sét MOV đa khối cấu tạo từ MOV mắc song song, cấu tạo vi chất bên MOV mắc song song khác nhau, nên tính chất điện MOV khác nhau, dẫn đến khả tản sét MOV MOV đa khối không 5.6.4 Khả hiển thị tuổi thọ thiết bị Một đặc điểm quan trọng MOV tuổi thọ bị giới hạn tùy thuộc vào số lần tản sét biên độ sét Nếu chế báo khả tản sét lại MOV độ tin cậy bảo vệ thấp Một MOV có khả tản sét 100kA sau thời gian sẻ suy giảm khả tản sét, ví dụ 20kA người sử dụng không kịp thay thiết bị bảo vệ bị phá hỏng dòng sét có biên độ 25kA MOV đơn khối khả báo khả tản sét lại thiết bị thường có đèn báo tình trạng chung MOV Trong MOV đa khối cho phép hiển thị phần trăm khả tản sét lại (20%, 40%, 60%, 80%, 100%) qua hệ thống đèn LED phân đoạn 5.6.5 Khả dẫn dòng MOV đa khối cấu tạo từ phiến MOV hình tròn hai bề mặt áp chặt hai phiến kim loại phẳng Hai phiến kim loại lại đấu nối chắn với hai chân nối Như diện tích tiếp xúc điện cực kim loại phiến MOV lớn mà khả dẫn dòng sét không bị suy giảm HVTH: Dương Anh Hào Trang 99 Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh 5.6.6 Độ dự trữ an toàn Vì MOV đa khối gồm nhiều phần tử mắc song song nên có độ dự trữ an toàn cao MOV đơn khối xác suất hư hỏng đồng thời tất phần tử xảy 5.6.7 Điện áp dư MOV đa khối có điện áp dư thấp MOV đơn khối 5.6.8 Giá thành MOV đơn khối có giá thành thấp MOV đa khối HVTH: Dương Anh Hào Trang 100 Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh CHƯƠNG KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG NGHIÊN CỨU PHÁT TRIỂN 6.1 Kết Luận Luận văn sâu vào nghiên cứu mô hình thiết bị chống áp sét đường nguồn hạ áp, cụ thể: Xây dựng mô hình máy phát xung dòng 1/5µs, 4/10µs, 8/20µs, 10/350µs máy phát xung áp 1.2/50µs, 10/700µs Xây dựng mô hình MOV hạ thế, môi trường Matlab Kết tổng hợp từ việc mô đáp ứng mô hình MOV hạ loại MOV nhà sản xuất khác nhau, nhận thấy mô hình MOV hạ đề nghị đạt mức sai số tốt (sai số điện áp dư mô hình MOV so với liệu cho nhà sản xuất có giá trị tối đa -4.76%) Bên cạnh đó, thông số cần nhập vào mô hình lại đơn giản, hoàn toàn cung cấp nhà sản xuất Hơn nữa, người sử dụng có khả cập nhật thêm cho mô hình cần Xây dựng phương trình đặc tuyến liên hệ điện áp dư theo điện áp ngưỡng dòng xung sét MOV hạ đơn đa khối thông dụng, tạo điều kiện thuận lợi cho người sử dụng xác định điện áp dư cách nhanh chóng tương đối xác Những MOV đơn khối lắp đặt song song để tăng khả tản dòng sét, hiển thị tuổi thọ thiết bị chống sét lan truyền đường nguồn hạ áp Tuy nhiên, phân dòng MOV mắc song song khác Vì cần xác định hệ số dự trữ sử dụng nhiều MOV đơn khối mắc song song cấu hình thiết bị chống sét lan truyền đường nguồn hạ áp với dòng xung định mức khác HVTH: Dương Anh Hào Trang 101 Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Xây dựng đặc tuyến quan hệ sai số điện áp ngưỡng hệ số dự trữ MOV đa khối, giúp xác định hệ số dự trữ số MOV mắc song song cách nhanh chóng xác Kết nghiên cứu cung cấp công cụ mô hữu ích cho nhà nghiên cứu, giảng viên, sinh viên trường đại học việc nghiên cứu đáp ứng thiết bị chống áp tác động xung sét lan truyền điều kiện thiếu phòng thí nghiệm 6.2 Hướng nghiên cứu phát triển Đề tài tiếp tục phát triển theo hướng lập mô hình thiết bị bảo vệ chống áp sét như: thiết bị bảo vệ sét lan truyền mạng hạ áp chế tạo theo công nghệ TDS, TSG, TDX, HVTH: Dương Anh Hào Trang 102 Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Quyền Huy Ánh, “Bảo vệ chống sét lan truyền đường cấp nguồn tín hiệu”, Tạp Chí Phát Triển Khoa Học & Công Nghệ, Số 4-5, 1999 [2] Quyền Huy Ánh, “Thiết bị chống sét lan truyền đường cấp nguồn”, Tạp Chí Bưu Viễn Thông [3] Quyền Huy Ánh, “Thiết bị chống sét lan truyền đường cấp nguồn theo công nghệ TDS”, Tạp Chí Bưu Viễn Thông, Số 5, 1999 [4] Quyền Huy Ánh, “Chỉ tiêu đánh giá thiết bị chống xung áp”, Tập san Sư Phạm Kỹ Thuật số 11, 9/2000 [5] TCN 68 – 140: 1995 Chống áp, dòng để bảo vệ đường dây thiết bị thông tin [6] Jinliang He, Senior Member, IEEE, Shuiming Chen, Senior Member, IEEE, Rong Zeng, Member, IEEE, Xidong Liang, Zhicheng Gaun, Se-Won Han and Han-Goo Cho, “Electrical paramater statistic analysis anh paralell coordination of Zno varistors in low-voltage protection devices” IEEE Transactions on Power Delivery Vol 20, No 1; January 2005 [7] Alan Chiste, C.E.T, Product Manager and James Funke, P.E Chief Engineer Eaton’s Culter-Hammer Calgary, AB, Canada, “Electronic systems protection via advanced surge protective devices” [8] Yuanfang Wen, Xianglian Yan, Xiaoyu Yi, and Chengke Zhou “Investigation into the equivalent circuit of MOV and the determination of its parameters” IEEE Transactions On Power Delivery, Vol 19, No.3; July 2004 [9] Francois D Martzloff and Thomas F Leedy National Institute of Standards and Technology, “Selecting varistor clamping voltage: lower is not better!” Reprinted with permission from proceeding, 1989 Zurich Symposium [10] D Bonnell – 1995, “Physiscal Property of Ceramic _ Zinc Oxide Varistor” HVTH: Dương Anh Hào Trang 103 Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh [11] Sources of voltage surges [12] Metal Oxide Varistors protective levels, current and energy ratings of parallel varistors [13] Marvin W.Smith, Michael D McCormick “Trainsient Voltage Suppression manual”, Third Edition – General Electric Company –1982, USA [14] Motorola Trainsient Voltage Suppressors /Zener device Data [15] AVX A Kyocera Group Company Siemens Matsushita Components – Metal OxideVaristor – Data Book-1997 “Zinc oxide varistor” [16] IEEE W.G 3.4.11 Modeling of metal oxide surge arrester – IEEE 1992 [17] P Pinceti, M Giannettoni “A simplified model for zinc oxid surge arrester”, IEEE-1999 [18] How to select the best value surge & transeint protection for your mains equiment, Warwich Beech - Erico Lighting Technologies Ltd [19] Surge Protection Products – Erico Lighting Technologies Ltd [20] Transeint voltage suppressor diodes – Semitron Company [21] Littelfuse Varistors - Basic properties terminology and theory – AN9767.1-1999 [22] GLT overview of surge arrester co-ordination for lighting protection of low voltage power circuit –Global Lighting Technologies Ltd [23] Phisical properties of zinc oxide varistors, ABB Power Technology Products [24] Roy B.Carpenter, Dr Yinggang Tu “The secondary effects of lighting activity”, Lighting Eliminators and Consultants, USA [25] Marcus O Durham, Karen D Durham, Robert A Durham “Transeint voltage surge suppression design and correlation”, Member IEEE [26] Manfrad Holzer, Willi Zapsky “Simulation varistor with Pspice” HVTH: Dương Anh Hào Trang 104 Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh [27] Technical Note –TNCR 001,002, …, 0015 - Erico Lighting Technologies Ltd [28] AS 1768-1991 NZS/AS 1768-1991 Lightning Protection – Australian Standard – New Zealand Standard [29] ANSI/IEEE C62.41 –1991 Recommended Practice on Surge Voltages in Low - Voltage Ac Power Circuits [30] CEI/IEC 61643:1998 - 02 Norme Internationale - International Standard surge protective devices connected to low-voltage power distribution systems – Part 1: Performance requirements and testing method HVTH: Dương Anh Hào Trang 105 S K L 0