Kết quả sự phủ màng đa lớp Fe/Al trên đế silicon bằng phương pháp phún xạ DC
Hình 4.12 : Ảnh AFM bề mặt màng Fe dày 3 nm phủ trên lớp Al
9 Kết quả cho thấy sự phân bố của các hạt kim loại Fe trên lớp Al khá tốt và cĩ độđồng đều cao, đường kính trung bình khoảng 100 nm.
9 Bằng phương pháp phún xạ DC, cĩ thể phủ màng đa lớp kim loại với mật độ phân bố lớn, độđồng đều cao mà kích thước hạt xúc tác kim loại bé rất thích hợp cho quá trình tổng hợp ống than nano.
Trước tiên, ta khảo sát sự mọc ống than nano trên màng đa lớp kim loại bằng phương pháp lắng đọng nhiệt hơi hĩa học. Mẫu ban đầu là 2 lớp kim loại Fe (~ 1 nm) và Al (15 nm) phủ trên đế Silicon, Fe/Al/Si. Nhiệt độ tổng hợp là 850oC, thời gian mọc CNTs là 10 phút.
Kết quả tổng hợp ống than nano trên màng đa lớp kim loại Fe/Al
c) Mặt cắt
a) b)
72,4 µm
Hình 4.13 : Ảnh SEM của ống than nano tổng hợp trên màng Fe/Al/Si ở mặt thẳng (a,b) và mặt cắt (c), nhiệt độ mọc là 850oC trong 10 phút
30 nm
100 nm 5 nm
98
9 Với màng kim loại Fe phủ bằng phương pháp phún xạ DC, sự tổng hợp ống than nano bằng tCVD thực hiện cho kết quả rất tốt.
9 Ống than nano được tổng hợp cĩ mật độ cao, mọc thẳng hàng và đều đặn.
9 Đường kính của ống than nano ~ 20 – 40 nm.
9 Chiều cao ống than nano mọc trong thời gian 10 phút khoảng 72,4 µm.