e) Laser diode (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation)
III.8 ĐIỂM LÀM VIỆC VÀ CÁC CHẾ ĐỘ CỦA TRANSISTOR
Mỗi mạch transitor cĩ một đường tải. Cho một mạch transistor bất kỳ cĩ thể tính dịng bão hịa và thế ngưng dẫn. Chúng chính là các điểm tương ứng trên trục tung (IC(sat) ) và trên trục hồnh (VCC ) của đường gánh.
Hình 3-16 chỉ ra một mạch phân cực base với RB=500KΩ. Đường tải đi qua IC(sat) = 5mA và VCC = 15V (thế giữa C và E khi transistor ngưng dẫn).
Giả sử transistor là lý tưởng, dịng base bằng IB=15V/500KΩ = 30µA.
Hình 3-16
Nếu hệ số khuếch đại dịng là 100 thì dịng collector bằng IC=100.30µA= 3mA
Thế VCE của transitor bằng VCE= 15V-(3mA)(3KΩ) = 6V
Vậy transistor trên mạch hình 3-16 cĩ điểm làm việc Q xác định bởi hai tham số
IC= 3mA và VCE= 6V
Gọi là điểm Q (quiscent) vì nĩ xác định bởi thế và dịng DC (tĩnh) của transistor. Điểm Q của transistor cĩ thể thay đổi vì nhiều lý do. Chẳng hạn hệ số khuyếch đại dịng thay đổi từ 50 đến 150 nhưng IB khơng đổi và bằng 30µA thì dịng IC thay đổi từ 1.5mA đến 4.5mA và vì vậy thế VCE sẽ thay đổi từ 10.5V đến 1.5V. Nếu βdc thay đổi nhiều hơn nữa, điểm Q cĩ thể rơi vào vùng bão hồ hoặc ngưng dẫn và transistor trong mạch sẽ khơng cịn khuyếch đại tín hiệu nữa.
Rõ ràng là điểm Q của mạch phân cực base rất nhạy với sự thay đổi của βdc . Người ta cĩ thể khắc phục nhược điểm này bằng các mạch phân cực loại khác.
Cĩ 2 chế độ làm việc của các transistor là: ♦ Chế độ khuyếch đại
♦ Chế độ cơng tắc (switch)
Trong chế độ khuyếch đại, điểm Q phải ở trong vùng tác động dưới mọi điều kiện. Trong chế độ switch, transistor chuyển giữa 2 trạng thái bão hồ và ngưng dẫn. Việc phân tích hoạt động của transistor ở chế độ switch sẽ được trình bày trong phần sau đây.