c) Phân cực phản hồi collector và emitter
PHÂN TÍCH AC
Hình 6-17 là mạch tương đương của transistor đang dẫn. Mạch này giống mạch tương đương ac của khuyếch đại transistor hạng A. Bỏ qua r’e thì
A≈1 (6-24)
Trở kháng vào của base bằng zin(base) = βRL (6-25)
Hình 6-17
Hoạt động tổng quát của mạch như sau:
Nửa chu kỳ dương transistor phía trên dẫn, transistor phía dưới ngưng dẫn. Transistor phía trên giống như một mạch lặp lại emitter thơng thường do đĩ thế trên tải bằng thế vào. Ngược lại, nửa chu kỳ âm transistor phía dưới dẫn, transistor phía trên ngưng dẫn. Transistor phía dưới cũng giống như một mạch lặp lại emitter thơng thường do đĩ thế trên tải bằng thế vào.
Đặc điểm của mạch là cĩ trở kháng vào cao nếu như dùng các transistor Darlington.
MÉO XUYÊN TÂM
Hình 6-18
Nếu khơng phân cực cho 2 transistor như mạch hình 6-18, thế ra của bộ khuyếch đại sẽ bị méo khi tín hiệu vào chưa vượt mức ±0.7V. Để tránh sái dạng người ta phân cực nhẹ cho transistor để điểm Q nằm phía trên vùng ngưng dẫn một chút. Thơng thường chọn ICQ bằng 1 đến 5% của IC(sat).
Các cơng thức sau đây áp dụng cho khuyếch đại đẩy kéo hạng B. G = Pout / Pin (hệ số khuyếch đại cơng suất) pout = v2out / 8RL (cơng suất ra ac)
pout(max)= MPP2 / 8RL (cơng suất ra ac tối đa) Pdc =VCCIdc (cơng suất vào dc)
η =(pout / pin). 100% (hiệu suất)
CƠNG SUẤT TIÊU TÁN CỦA TRANSISTOR
Lý tưởng thì cơng suất tiêu tán của transistor hạng B bằng 0 vì khơng cĩ dịng dc. Nếu cĩ phân cực chống méo xuyên tâm thì cơng suất tiêu tán của transistor cũng rất nhỏ.
Khi cĩ tín hiệu vào, cơng suất tiêu tán của transistor trở nên đáng kể. Cơng suất tiêu tán của mỗi transistor trong khuyếch đại đẩy kéo hạng B cĩ thể tính theo cơng thức sau:
PD(max) = MPP2 / 40RL (6-26)