c) Phân cực phản hồi collector và emitter
V.2 KHUYẾCH ĐẠI PHÂN CỰC EMITTER
TỤ THƠNG DẪN
Hình 5-5
Tụ thơng dẫn tương tự tụ nối bởi vì nĩ hành xử như là hở mạch đối với thành phần dc và ngắn mạch đối với thành phần ac. Nhưng tụ thơng dẫn khơng dùng để nối tín hiệu giữa 2 điểm mà nĩ dùng để tạo ra một đất ac.
được đặt trên R. Nĩi cách khác, điểm E là được nối đất về mặt ac. Trong trường hợp này tụ C gọi là tụ thơng dẫn vì nĩ cho phép nối điểm E với đất về mặt ac. Tụ thơng dẫn cho phép chúng ta nối một điểm nào đĩ với GND mà khơng làm thay đổi Q.
Điều kiện để một tụ được xem là thơng dẫn tốt là XC < 0.1R (5-3)
Khi (5-3) thỏa thì mạch hình 5-5a cĩ thể thay bằng mạch hình 5-5b. KHUYẾCH ĐẠI VDB
Hình 5-6
Hình 5-6 cho thấy một mạch khuyếch đại VDB. Để tính thế và dịng DC, chúng ta tưởng tượng rằng tất cả các tụ đều hở mạch. Khi đĩ mạch tương đương như mạch phân cực VDB. Giá trị dc hay giá trị tĩnh cho mạch này như sau:
VB=1.8V VE=1.1V VC=6.04V IC=1.1mA
Như đã phân tích trên đây, chúng ta dùng các tụ nối để nối thế nguồn với base, nối thế collector với tải. Chúng ta cũng dùng tụ thơng dẫn giữa emitter và đất. Ý nghĩa của tụ này là ở chỗ: Nĩ làm tăng hệ số khuyếch đại thế của transistor so với khi khơng cĩ tụ (các phần sau sẽ phân tích rõ hơn).
Trong hình 5-6, nguồn thế ac là 100µV. Nĩ được đưa vào base. Do tụ thơng dẫn CE tồn bộ thế này được đặt lên diode base emitter. Tại collector chúng ta thu được thế base nhưng đã được khuyếch đại.
DẠNG SĨNG VDB
Trên hình 5-6, nguồn thế ac đầu vào là điều hồ và thành phần dc bằng 0. Thế base là chồng chất của thế ac lối vào và thành phần dc 1.8V. Thế ac ở collector là thế đầu vào đã được khuyếch đại đảo pha chồng chất với thành phần dc bằng 6.04V. Thế trên tải giống như thế collector với thành phần dc bằng 0.