c) Phân cực phản hồi collector và emitter
VI.10 PHÂN CỰC KHUYẾCH ĐẠI ĐẨY KÉO HẠN GB
Khĩ khăn nhất khi thiết kế mạch khuyếch đại đẩy kéo hạng B là đặt điểm Q gần vùng ngưng dẫn. Hình 6-19a cho thấy mạch phân cực bằng cầu chia thế. Để tránh sái dạng xuyên tâm người ta phân cực nhẹ cho cặp transistor với VBE ≈ 0.6V đến 0.7V. Nhưng cĩ một khĩ khăn là dịng collector rất nhạy với thay đổi của thế VBE . Số liệu của transistor cho thấy nếu VBE tăng 60mV thì dịng collector cĩ thể tăng 10 lần. Thường người ta thay điện trở bằng biến trở để chọn điểm Q phù hợp. Nhưng nĩ vẫn khơng giải quyết được vấn đề nhiệt độ. Điểm Q cĩ thể rất tốt tại nhiệt độ phịng nhưng nĩ sẽ thay đổi khi nhiệt độ thay đổi (điều này là khơng tránh khỏi tại tầng cơng suất). Với cách phân cực như hình 6-19a thì giả sử nhiệt độ tăng mà thế phân cực base khơng đổi (trong khi VBE giảm) sẽ làm tăng nhanh chĩng dịng collector, kết quả là transistor sẽ bị chết do quá nhiệt.
Hình 6-19
Cần phải bù lại thế phân cực base của transistor khi nhiệt độ thay đổi. Giải pháp là dùng mạch diode bù như hình 6-19b. Tính chất của diode bù phải giống như diode emitter của transistor. Nếu nhiệt độ tăng 10C thì thế trên diode bù giảm 2mV. Do đĩ mạch sẽ cĩ tác dụng bù nhiệt độ. Thực tế là khi nhiệt độ tăng thế phân cực sẽ giảm, do đĩ dịng collector cũng sẽ giảm.
Ví dụ: Cho mạch khuyếch đại đẩy kéo hạng B như hình 6-20. Tính dịng collector tĩnh và hiệu suất cực đại của mạch.
Giải: Dịng phân cực qua diode bù bằng Ibias = (20V –1.4V)/ 2(3.9K) = 2.38mA
Đây chính là giá trị của dịng collector tĩnh do hiệu ứng gương dịng điện.
Dịng collector bão hồ bằng Ic(sat) = VCEQ / RL = 10V / 10 = 1A
Hình 6-20
Giá trị trung bình của dịng collector bằng Iav = Ic(sat)/π = 1A / π = 0.318A
Dịng collector tổng bằng
Idc = 2.38mA + 0.318A =0.32A Cơng suất vào dc bằng
Pdc = (20V)(0.32A)= 6.4W Cơng suất ra ac cực đại bằng
Pout(max) = MPP2/8RL = (20V)2 / 8.10 = 5W Hiệu suất của mạch bằng
Chương VII