c) Phân cực phản hồi collector và emitter
V.4 HỆ SỐ BETA AC VÀ ĐIỆN TRỞ AC CỦA DIODE EMITTER
Hệ số khuyếch đại mà chúng ta sử dụng từ trước đến nay là hệ số khuyếch đại dịng một chiều.
βdc = IC / IB (5-5)
βdc phụ thuộc vị trí điểm Q do sự cong của đặc tuyến IC, IB. Người ta định nghĩa hệ số beta xoay chiều là
β = ic / ib (5-6)
Theo (5-6), hệ số khuyếch đại dịng ac bằng tỷ số giữa dịng collector ac chia cho dịng base ac.
Trên hình 5-8, tín hiệu ac thay đổi quanh điểm Q, do đĩ giá trị của βdc và β cĩ khác nhau.
Về mặt đồ thị, β chính là độ dốc của đường cong IC, IB tại điểm Q. Trong bảng số liệu của nhà sản xuất, βdc được ký hiệu là hFE cịn β được ký hiệu là hfe.
Chúng ta lưu ý rằng các ký hiệu về dịng và thế, nếu viết hoa là dc, cịn viết thường là ac.
Hình 5-8
Hình 5-9
Hình 5-9 cho thấy quan hệ dịng thế của diode emitter. Ta cĩ:
IE=IEQ+ie VBE= VBEQ+vbe
ĐIỆN TRỞ AC CỦA DIODE EMITTER
Trên hình 5-9 sự thay đổi điều hịa của VBE tạo ra sự thay đổi điều hồ của IE. Giá trị đỉnh – đỉnh của ie phụ thuộc điểm Q. Do quan hệ dịng thế emitter là đường cong nên với vbe cố định, dịng ie lớn hơn nếu điểm phân cực Q nằm ở phía cao hơn. Nĩi cách khác, điện trở ac của emitter giảm khi dịng emitter dc tăng.
Điện trở emitter ac được định nghĩa như sau:
r’e = vbe / ie (5-7)
Theo vật lý chất rắn, điện trở ac của emitter cĩ thể tính qua cơng thức đơn giản sau:
r’e = 25mV / IE (5-8)
Sau này sẽ thấy, giá trị của r’e cĩ ảnh hưởng đến hệ số khuyếch đại thế của mạch transistor.