... đến kết như: Dung dịch chấmlượngtử PbS chếtạo có tính không ổn định cao, kích thước hạt lớn, không chen sâu vào màng TiO2, tồn bề mặt (hình 5.8, hình 5.14) Trongtrình truyền tải điện tử bị ... bước sóng khoảng 30 00 nm có dịch chuyển bước sóng ngắn Điều khẳng định chếtạo thành công chấmlượngtử PbS Dựa theo lý thuyết khối lượng hiệu dụng Brus tính kích thước chấmlượngtử 2.9 nm ISBN: ... sát dung dịch chấmlươngtử PbS Hình Giản đồ XRD PbS Hình Phổ UV-Vis dung dịch PbS QDs Từ giãn đồ nhiễu xạ tia X (Hình 1), thấy xuất đỉnh nhiễu xạ vị trí 2𝜃 = 25.960, 30 .120, 43. 070, 50.850 , 53. 240,...
... tổng quan chấmlượngtử Chương phương pháp chếtạochấmlượngtử bán dẫn II – IV Chương chếtạochấmlượngtử có cấu trúc lõi vỏ CdSe/CdS theo phương pháp hóa Chương phân tích cấu trúc vi hình thái ... Chí Minh Viện Khoa học Vật liệu, Hà Nội Mục tiêu đề tài là: Chếtạo thành công chấmlượngtử CdSe phương pháp hóadungmôi nhiệt độ sôi cao Đồng thời, khảo sát đánh giá đặc tính chấmlượngtử ... tương ứng phổ với cấu trúc tinh thể nano, tính đồng phân bố kích thước hạt nano Phương pháp nghiên cứu: thực nghiệm chếtạochấmlượngtử CdSe phương pháp hóadungmôi nhiệt độ sôi cao, máy đo...
... 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 Hình 2.2 Hình 2 .3 Hình 2.4 Hình 2.5 Hình 2.6 Hình3. 1 Hình3. 2 Hình3.3Hình3. 4 Hình3. 5 Hình3. 6 Hình3. 7 Trang Các điện tử khối chất rắn ba chiều Mô hình hạt ... lƣợng tử core/double shell CdSe/CdS/ZnS 11 13 14 17 19 24 26 33 34 39 39 42 44 44 45 45 46 47 22 Hình3. 8 23 24 25 Hình 4.1 Hình 4.2 Hình 4 .3 26 Hình 4.4 27 Hình 4.5 28 Hình 4.6 29 Hình 4.7 30 Hình ... 4.7 30 Hình 4.8 31 Hình 4.9 32 Hình 4.10 33 Hình 4.11 34 Hình 4.12 35 Hình 4. 13 36 Hình 4.14 Sự phát quang QD CdSe chếtạo nhiệt độ 2500C 2700C thời điểm phút phút sau phản ứng tạo mầm 49 Hiện...
... TEM) 1 .3. 2.2 Các bước tiến hành chếtạochấmlượngtử CdSe Việc chế tạo chấmlượngtử CdSe tiến hành theo sơ đồ quy trình thí nghiệm mô tả hình 1.5 Hình 1.5 Sơ đồ chếtạochấmlượngtử CdSe ... 1 .3 Khảo sát quy trìnhchế tạo chấmlượngtử CdSe 1 .3. 1 Các phương pháp chế tạo vật liệu nanô 1 .3. 2 Khảo sát quy trìnhchế tạo chấmlượngtử CdSe từ CdO 1 .3. 2.1 Hóa chất dụngcụ ... 1 .3. 2.2 Các bước tiến hành chế tạo chấmlượngtử CdSe 1 .3. 2 .3 Kết thí nghiệm CHƯƠNG II ỨNG DỤNGCHẤMLƯỢNGTỬ CdSe TRONGCHẾTẠO PIN MẶT TRỜI THẾ HỆ MỚI 2.1 Pin mặt trời sở...
... Sơ đồ chếtạochấmlượngtử CdSe/ZnS Hình 2.6 Sơ đồ chếtạochấmlượngtử CdSe/ZnSe/ZnS Hình 2.7 Mô hình cấu trúc cuả phân tử TOP (a), TOPO (b) HDA (c) Hình 2.8 Biến đổi bề mặt chấmlượngtử phương ... tròn chấmlượngtửHình3. 4 Ảnh TEM (a) HR-TEM (b) chấmlượngtử CdSe chếtạo điều kiện nhiệt độ nuôi tinh thể 220 oC thời gian nuôi tinh thể 5' Hình3. 5 Ảnh TEM chấmlượngtử CdSe chếtạo điều ... CdSe/ZnSe 2ML/ZnS xML (x= 13 ML 17 ML) Hình3.18 Giản đồ nhiễu xạ tia X hai loạt mẫu CdSe/ZnSe2ML/ZnS19ML Hình3. 19 Ảnh bột chấmlượngtử CdSe/ZnS ánh sáng đèn tử ngoại Hình 4.1 Phổ hấp thụ chấm lượng...
... Sơ đồ chếtạochấmlượngtử CdSe/ZnS Hình 2.6 Sơ đồ chếtạochấmlượngtử CdSe/ZnSe/ZnS Hình 2.7 Mô hình cấu trúc cuả phân tử TOP (a), TOPO (b) HDA (c) Hình 2.8 Biến đổi bề mặt chấmlượngtử phương ... tròn chấmlượngtửHình3. 4 Ảnh TEM (a) HR-TEM (b) chấmlượngtử CdSe chếtạo điều kiện nhiệt độ nuôi tinh thể 220 oC thời gian nuôi tinh thể 5' Hình3. 5 Ảnh TEM chấmlượngtử CdSe chếtạo điều ... CdSe/ZnSe 2ML/ZnS xML (x= 13 ML 17 ML) Hình3.18 Giản đồ nhiễu xạ tia X hai loạt mẫu CdSe/ZnSe2ML/ZnS19ML Hình3. 19 Ảnh bột chấmlượngtử CdSe/ZnS ánh sáng đèn tử ngoại Hình 4.1 Phổ hấp thụ chấm lượng...
... Sơ đồ chếtạochấmlượngtử CdSe/ZnS Hình 2.6 Sơ đồ chếtạochấmlượngtử CdSe/ZnSe/ZnS Hình 2.7 Mô hình cấu trúc cuả phân tử TOP (a), TOPO (b) HDA (c) Hình 2.8 Biến đổi bề mặt chấmlượngtử phương ... tròn chấmlượngtửHình3. 4 Ảnh HR-TEM chấmlượngtử CdSe chếtạo điều kiện nhiệt độ nuôi tinh thể 220 oC thời gian nuôi tinh thể phút Hình3. 5 Ảnh TEM chấmlượngtử CdSe chếtạo điều kiện nuôi 18 ... pháp chếtạochấm lƣợng tử CdSe với cấu trúc l i v 30 với v dày nhiều lớp v 2.1.1 Giới thiệu phƣơng pháp chếtạochấm lƣợng tử 30 CdSe 2.1.2 Quy trìnhchếtạochấm lƣợng tử CdSe CdSe ZnS 35 2.1.3...
... chấmlượngtử InP InP/ZnS sử dụng khí PH3 IV .3 Chếtạochấmlượngtử In (Zn) P In (Zn) P/ZnS với tác dụngZn 111 Chương V CÔNG NGHỆ CHẾTẠOCHẤMLƯỢNGTỬ CuInS2 V.1 Chếtạochấmlượngtử CuInS2 dung ... HOẶC ZnS VỎ II.1 Chếtạochấmlượngtử CdSe CdZnSe TOPO/HDA II.1.1 Chấmlượngtử CdSe chếtạotừ hợp chất cơ-kim II.1.2 Chếtạochấmlượngtử CdSe từ CdO II.1 .3 Chếtạochấmlượngtử Cd1-xZnxSe ... Cd1-xZnxSe/ZnS II .3 Chếtạochấmlượngtử CdSe CdSe/ZnS diesel Chương III CÔNG NGHỆ CHẾTẠOCHẤMLƯỢNGTỬ BÁN DẪN CdTe, CdSe CdTe(Se)/CdS CẤU TRÚC LÕI/VỎ TRONGMÔI TRƯỜNG NƯỚC III.1 Chếtạochấm lượng...
... este chéo hóa 13 1 .3. 3.1 Ảnh hưởng hàm lượng axit béo tự 13 1 .3. 3.2 Ảnh hưởng nhiệt độ phản ứng 13 1 .3. 3 .3 Ảnh hưởng thời gian phản ứng 14 1 .3. 3.4 Ảnh hưởng tỉ lệ 14 1 .3. 3.5 Ảnh hưởng xúc tác 15 ... ……………… .39 Hình3. 1 Kết nhiễu xạ tia X góc hẹp vật liệu tổng hợp . 43 Hinh3. 2: Đường giải hấp hấp phụ N2 vật liệu .45 Hình3.3 Giản đồ hấp phụ giải hấp NH3 theo chương trình nhiệt độ .47 Hình3. 4 ... ……………………… 31 Hình 2.2 Sơ đồ khối tổng hợp SO42-/ ZrO2 - ZnO ………………………… 32 Hình2 .3: Sự phản xạ tia X mặt tinh thể ……………………………… 34 Hình2 .4: Nguyên lý phép phân tích EDX ……………………………… … 38 Hình 2.5:...
... đa tinh thể CdS Đa tinh thể CdS sauchếtạo sử dụng để tiến hành nuôi đơn tinh thểCụthể sau: cho 30 g đa tinh thể CdS vào thuyền thạch anh nhiệt độ 1050 độ C, quan sát thấy đơn tinh thể CdS ... hướng dẫn: • Phần 1:Lời Mở Đầu • Phần 2: Một số hiệu ứng đặc biệt vật liệu nano • • Phần 3: Công nghệ chếtạochấmlượngtử bán dẫn CdS • Phần 4: Tính chất quang chấmlượngtử bán dẫn CdS • Phần ... cỡ nguyên tử, phân tử cỡ nano mét để tạo vật liệu có cấu trúc nano tính chất mong muốn _ Phương pháp “xuất phát từ to” : Nghiền lượng cao có tính ưu việt dễ thực hiện, c thểchếtạolượng lớn...
... nm 3. 2 Giải pháp chếtạo cấu trúc nano lõi/vỏ CdS/ZnSe Các NC CdS/ZnSe đƣợc chếtạo theo quy trình bƣớc gồm chếtạo lõi 36 CdS, làm lõi CdS sau bọc vỏ ZnSe [ 13] Chếtạo CdS/ZnSe với lõi CdS chế ... 30 Hình3. 1 Phổ hấp thụ phổ huỳnh quang NC CdS 33 Hình3. 2 Phổ hấp thụ phổ huỳnh quang lõi CdS chếtạo nhiệt độ 270oC(a), 290oC(b), 31 0oC(c) theo thời gian phản ứng 34 Hình3.3 ... CdS/ZnSe thay đổi thời gian chếtạo 37 Hình3. 6 Sự thay đổi lƣợng phát xạ theo công suất kích thích mũ 1 /3 NC CdS/ZnSe chếtạo thời gian phút 38 Hình3. 7 Phổ Raman NC CdS/ZnSe...
... xuất chấmlượngtử CdSe 26 2.4 .3 Chếtạochấmlượngtử CdSe từ CdO 26 2.4.4 Cấu trúc chấmlượngtử CdSe 27 2.4.5 Tính chất phát xạ quang chấmlượngtử CdSe 28 2.5 Ứng dụngchấmlượng ... từ như ng tiền chất thân thiện với môi trường Một như ng phương pháp đó là chế tạo CdSe từ CdO 2.4 .3 Chếtạochấmlượngtử CdSe từ CdO Qui trìnhchếtạochấmlượngtử CdSe từ CdO trình ... cứu chấmlượngtử dạng tinh thể xuất phát từ việc gia tăng hiệu suất biến đổi từlượng mặt trời sang lượng điện chếtạo pin mặt trời Từ năm 1986, sauchếtạo thành công chấmlượngtửtừ dung...