... bước sóng khoảng 30 00 nm có dịch chuyển bước sóng ngắn Điều khẳng định chếtạo thành công chấmlượngtử PbS Dựa theo lý thuyết khối lượng hiệu dụng Brus tính kích thước chấmlượngtử 2.9 nm ISBN: ... sát dung dịch chấmlươngtử PbS Hình Giản đồ XRD PbS Hình Phổ UV-Vis dung dịch PbS QDs Từ giãn đồ nhiễu xạ tia X (Hình 1), thấy xuất đỉnh nhiễu xạ vị trí 2𝜃 = 25.960, 30 .120, 43. 070, 50.850 , 53. 240, ... (mA/cm2) 1.0206 Voc (V) FF(%) η(%) 0.2794 0. 135 0 0. 038 5 Hiệu suất thu thấp, vài nguyên nhân ảnh hưởng đến kết như: Dung dịch chấmlượngtử PbS chếtạo có tính không ổn định cao, kích thước hạt...
... đề tài phương pháp nghiên cứu Chương tổng quan chấmlượngtử Chương phương pháp chếtạochấmlượngtử bán dẫn II – IV Chương chếtạochấmlượngtử có cấu trúc lõi vỏ CdSe/CdS theo phương pháp ... liệu, Hà Nội Mục tiêu đề tài là: Chếtạo thành công chấmlượngtử CdSe phương pháp hóa dungmôi nhiệt độ sôi cao Đồng thời, khảo sát đánh giá đặc tính chấmlượngtử phương pháp quang phổ phát quang, ... phổ với cấu trúc tinh thể nano, tính đồng phân bố kích thước hạt nano Phương pháp nghiên cứu: thực nghiệm chếtạochấmlượngtử CdSe phương pháp hóa dungmôi nhiệt độ sôi cao, máy đo phổ quang...
... Phun dung dịch TOPSe vào dung dịch chứa Cd Sản phẩm QD CdSe Sự phát quang QD CdSe chếtạo nhiệt độ 2500C – 30 00C, thời gian – phút Sơđồchếtạochấmlượngtử lõi/vỏ CdSe/CdS Sơđồchếtạochấmlượng ... SẠCH 3. 1 Các quy trình chếtạochấm lƣợng tử lõi vỏ CdSe/CdS 3. 1.1 Quy trình chếtạochấm lƣợng tử CdSe 3. 1.2 Quá trình thực nghiệm chếtạo QD CdSe từ CdO 3. 1 .3 Bọc vỏ cho QD CdSe để tạo thành chấm ... phát triển 2.2 Chếtạochấm lƣợng tửtừ hợp chất TOPO/TOP 2 .3 Chếtạochấm lƣợng tử lõi vỏ 2.4 Chếtạochấm lƣợng đa lớp có cấu trúc giếng lƣợng tử CHƢƠNG 3: CHẾTẠOCHẤM LƢỢNG TỬ CÓ CẤU TRÚC LÕI...
... lƣợng chấm lƣợng tử 1 .3 Các loại chấm lƣợng tử 1 .3. 1 Chấm lƣợng tửchếtạo theo phƣơng pháp quang khắc 1 .3. 2 Chấm lƣợng tửchếtạo theo phƣơng pháp tự mọc ghép 1 .3. 3Chấm lƣợng tử dạng keo chếtạo ... lƣợng tử CHƢƠNG 3: CHẾTẠOCHẤM LƢỢNG TỬ CÓ CẤU TRÚC LÕI VỎ CdSe/CdS THEO PHƢƠNG PHÁP HÓA SẠCH 3. 1 Các quy trình chếtạochấm lƣợng tử lõi vỏ CdSe/CdS 3. 1.1 Quy trình chếtạochấm lƣợng tử CdSe 3. 1.2 ... 2: CÁC PHƢƠNG PHÁP CHẾTẠOCHẤM LƢỢNG TỬ BÁN DẪN II – IV 2.1 Lịch sử phát triển 2.2 Chếtạochấm lƣợng tửtừ hợp chất TOPO/TOP 2 .3 Chếtạochấm lƣợng tử lõi vỏ 2.4 Chếtạochấm lƣợng đa lớp có...
... OPCServer 33 Hình 3: Thiết kế sơđồ quan hệ thực thể CSDL IAS 33 Hình 1: Sơđồ khối hệ MEC 51 Hình 2: Sơđồ cấu trúc Trạm điều khiển i Ship_M 56 Hình 3: Lưu đồ thực lệnh ... CHÍNH MEC 51 3. 1 3. 2 GIỚI THIỆU CHUNG VỀ HỆ MEC 51 THIẾT KẾ PHẦN CỨNG TRẠM ĐIỀU KHIỂN i Ship-M 55 3. 2.1 3. 2.2 3.3 THIẾT KẾ PHẦN MỀM HỆ MEC 57 3. 3.1 3. 3.2 3. 4 Tính kỹ thuật ... 11 Hình 3: Sơđồ nguyên lý hệ thống IMAC L hãng Siemens 13 Hình 4: Sơđồ nguyên lý hệ thống điều khiển máy hãng Siemens 15 Hình 5: Sơđồ nguyên lý PMS Siemens 15 Hình 1: Sơđồ khối...
... LỚP VỎ 3. 1 Kết chếtạochấm lƣợng tử CdSe cấu trúc l i v v dày: 55 CdSe/ZnS, CdSe/ZnSe/ZnS, CdSe/CdS/ZnS 3. 1.1 Chếtạochấm lƣợng tử CdSe 55 3. 1.2 Bọc v ZnS cho chấm lƣợng tử CdSe 63 3.2 Quá ... Sơđồchếtạochấmlượngtử CdSe/ZnS Hình 2.6 Sơđồchếtạochấmlượngtử CdSe/ZnSe/ZnS Hình 2.7 Mô hình cấu trúc cuả phân tử TOP (a), TOPO (b) HDA (c) Hình 2.8 Biến đổi bề mặt chấmlượngtử phương ... nh 3. 17 Giản đồ nhiễu xạ tia X mẫu chấmlượngtử CdSe chấmlượngtử với cấu trúc CdSe/ZnSe 2ML/ZnS xML (x= 13 ML 17 ML) Hình 3.18 Giản đồ nhiễu xạ tia X hai loạt mẫu CdSe/ZnSe2ML/ZnS19ML Hình 3. 19...
... LỚP VỎ 3. 1 Kết chếtạochấm lƣợng tử CdSe cấu trúc l i v v dày: 55 CdSe/ZnS, CdSe/ZnSe/ZnS, CdSe/CdS/ZnS 3. 1.1 Chếtạochấm lƣợng tử CdSe 55 3. 1.2 Bọc v ZnS cho chấm lƣợng tử CdSe 63 3.2 Quá ... Sơđồchếtạochấmlượngtử CdSe/ZnS Hình 2.6 Sơđồchếtạochấmlượngtử CdSe/ZnSe/ZnS Hình 2.7 Mô hình cấu trúc cuả phân tử TOP (a), TOPO (b) HDA (c) Hình 2.8 Biến đổi bề mặt chấmlượngtử phương ... nh 3. 17 Giản đồ nhiễu xạ tia X mẫu chấmlượngtử CdSe chấmlượngtử với cấu trúc CdSe/ZnSe 2ML/ZnS xML (x= 13 ML 17 ML) Hình 3.18 Giản đồ nhiễu xạ tia X hai loạt mẫu CdSe/ZnSe2ML/ZnS19ML Hình 3. 19...
... ) Mạch R1 C1 R3 Khuếch đại R2 L Mạch C2 Hình 3. 2 Sơđồ cấu trúc dao động âm tần RC Sơđồ nguyên lý dao đông âm tần RC đợc thể hình 3.3Trongsơđồ khuếch đại dải rộng dùng bán dẫn gồm hai tầng ... cầu Từ (3- 3) (3- 4) rút ra: KAD Kbd Uht = Ksửa Uđặt (3. 5) Từ biểu thức (3- 5) rút đợc biểu thức tính giá trị Uht nh sau: Uht = Ksua Udat KAD Kbd (3. 6) Thay (3- 6) vào (3- 2) ta có: (3. 7) Ura ... định a) Sơđồ cấu trúc b) Sơđồ phần tử điều chỉnh ĐC Sơđồ chứa máy phát (G) có tần số điện áp UG(); hai phần tử điều chỉnh (ĐC1, ĐC2); khuếch đại xoay chiều (y~); suy giảm (SG); điều chế http://www.ebook.edu.vn...
... LỚP VỎ 3. 1 Kết chếtạochấm lƣợng tử CdSe cấu trúc l i v v dày: 58 CdSe/ZnS, CdSe/ZnSe/ZnS, CdSe/CdS/ZnS 3. 1.1 Chếtạochấm lƣợng tử CdSe 58 3. 1.2 Bọc v ZnS cho chấm lƣợng tử CdSe 66 3. 2 Quá ... Sơđồchếtạochấmlượngtử CdSe/ZnS Hình 2.6 Sơđồchếtạochấmlượngtử CdSe/ZnSe/ZnS Hình 2.7 Mô hình cấu trúc cuả phân tử TOP (a), TOPO (b) HDA (c) Hình 2.8 Biến đổi bề mặt chấmlượngtử phương ... pháp chếtạochấm lƣợng tử CdSe với cấu trúc l i v 30 với v dày nhiều lớp v 2.1.1 Giới thiệu phƣơng pháp chếtạochấm lƣợng tử 30 CdSe 2.1.2 Quy trình chếtạochấm lƣợng tử CdSe CdSe ZnS 35 2.1.3...
... Phần 2: Một số hiệu ứng đặc biệt vật liệu nano • • Phần 3: Công nghệ chếtạochấmlượngtử bán dẫn CdS • Phần 4: Tính chất quang chấmlượngtử bán dẫn CdS • Phần : Kết luận Phần 1: Lời Mở Đầu • ... Nghiền lượng cao có tính ưu việt dễ thực hiện, cóthể chếtạolượng lớn vật liệu mà không cần nung ủ Tuy nhiên cấu trúc tinh thể hạt vật liệu nano bị biến dạng mạng, cần ủ nhiệt sau chếtạo để ... lượng cao hạt có kích thước đồng Thực mẫu nghiền giờ, ủ điều kiện môi trường không khí khoảng nhiệt độtừ 100 độ đến 700 độ C, với thời gian ủ 10, 20, 30 , 45 120 phút Tiêu chí thu vật liệu chấm...