... TiaX Sự nhiễuxtiaXtinhthể chất rắn Các phương pháp nhiễux Cấutrúctinhthể Mạng đảo CấutrúctinhthểTinhthểx p tuần hoàn không gian nguyên tử phân tử Tinhthể = Mạng tinh ... 2. Lê Công Dưỡng Kỹ thuật phântíchcấutrúctia Rontghen Chương I : Kỹ thuật Rontghen Chương II : Phântíchcấutrúc đơn tinhthể Chương III : Phântíchcấutrúc đa tinhthể 3. Lê khắc ... Mở đầu NhiễuxtiaX kỹ thuật mạnh để đồng vật thể kết tinh Phương pháp cho thông tin khác * Kích thước hạt vật liệu đa tinhthể * Mức độ đònh hướng ưu tiên hạt Bài giảng gồm phần Tinhthể chất...
... THỨC NHIỄUX CỦA VULF – BRAGG NHẬN X T CHUNG Để nghiên cứu cấutrúctinhthể ta phải chiếu vào tinhthểx có bước sóng nhỏ hay bằngo khoảng cách nguyên tử tinh thể, tức là: λ ≤ A ⇒ tia X, tia ... λmax = 2.1010 m ẢNH NHIỄUX Ảnh nhiễux gồm loạt vết nhiễux Các vết thểtính đối x ng tinhthể theo cách đònh hướng tinhthể lúc chụp Phương pháp Laue thường dùng để x c đònh hướng trụctinh ... thức nhiễux Vulf – Bragg: Chiếu chùm tiaX song song đơn sắc (có λ x c đònh) lên tinhthể góc trượt θ họ mặt mạng Chùm tiaXphảnx mặt thuộc họ góc θ Ta có: I Các tiaphảnx từ mặt mạng (tia...
... pháp tuyến mẫu đo tia tới X góc phân giác tia tới tianhiễuxX o góc tạo phƣơng pháp tuyến họ mặt phẳng nhiễuxtia tới X góc tạo tia tới X phƣơng ngang góc tạo tianhiễux phƣơng ngang ... Nguyên lý phântích đƣờng nhiễux 19 2.7.1 Nguyên lý x c định mặt nhiễux hkl 19 2.7.2 X c định đỉnh nhiễux từ mặt nhiễux thu đƣợc 22 2.7.3 X c định số hkl mặt nhiễux ... Hình 2.9: Đơn vị nhiễux 20 Hình 2.10: X c định liệu nhiễux mặt nhiễux 22 Hình 2.11: Tính lƣơng nhiễux 25 Hình 2.12: Nhiễux thô vật liệu ba pha 26 Hình 2.13: Giản đồ nhiễux ba pha cần...
... Nhiễux điện tử Nhiễux điện tử vùng lựa chọn - SAED Nhiễux điện tử Nhiễux chùm điện tử hội tụ Nhiễux điện tử lượng thấp Nhiễux điện tử lượng cao Nhiễux điện tử tượng ... tượng sóng điện tử nhiễux mạng tinhthể chất rắn Nhiễux tuân theo công thức Bragg: 2dsinθ=nλ Nguyên lý tạo ảnh nhiễux điện tử Cha đẻ phương pháp phântíchcấutrúcnhiễux điện tử ZINOVII ... cấutrúc nguyên tử Nhận hình ảnh nhiễux thích hợp phântích hình học Ước lượng x c cường độ nhiễux - phảnx Sử dụng cơng thức thích hợp để tính tốn lại cường độ phảnx tới yếu tố cấu...
... tíchcấutrúctinhthể vật rắn” làm khóa luận tốt nghiệp Mục đích chọn đề tài - Tìm hiểu tính chất đặc trưng tia X, nguồn phát xtiaX - Ứng dụng nhiễuxtiaXphântíchcấutrúctinhthể vật ... , phân bố vết nhiễux Vì vết nhiễux nằm đường lớp, giao tuyến đường lớp với đường const x c định vị trí vết nhiễux 2.2.2.3 X c định số mặt phảnx ảnh nhiễux đơn tinhthể xoay a) X c ... tích mạng 32 Chƣơng PHÂNTÍCHCẤUTRÚC ĐA TINHTHỂ 3.1 Tƣơng tác tiaX với mặt mạng tinhthể 3.1.1 Phương trình Bragg Khi chiếu tiaX vào vật rắn tinhthể xuất tianhiễux với cường độ hướng...
... (nhân cho chuỗi gồm số tròn) Ví dụ 2: Câu 1, đề thi ngày 27-3-2007 Sau dùng thướt đo ảnh nhiễux , ta x c định đ ược góc theta lập bảng sau: Ví dụ tương tự ví dụ Ví dụ 3: Thắc mắc nội dung: thanhlam1910_2006@yahoo.com ... số trùng với chuỗi s loại mạng nh nói -Chỉ số Miller tính sở biết s biết họ mặt có khả cho tianhiễux Thắc mắc nội dung: thanhlam1910_2006@yahoo.com Thắc mắc nội dung: thanhlam1910_2006@yahoo.com...
... tinhthể phơng pháp nhiễuxtiaX Kĩ thuật nhiễuxtiaX 1.1 Nguyên lý cấu tạo thiết bị phântíchcấutrúc phơng pháp nhiễuxtiaXPhântíchcấutrúc phơng pháp nhiễuxtiaX đợc tiến hành cách ... đẳng .34 Chơng III phântíchcấutrúctinhthể phơng pháp nhiễuxtiax .36 Kü tht nhiƠu xtiaX .36 1.1 Nguyên lý cấu tạo thiết bị phântíchcấutrúctiaX .36 1.2 ... ghi nhận đợc tianhiễux Dùng nhiễux kế để nghiên cứu đơn tinhthể ta giải đợc vấn đề nh: + X c định x c số mạng + X c định đợc đơn tinhthể + Đo đợc cờng độ tíchphân vạch nhiễux 47 + Kiểm...
... thiệu tiaX Các phương pháp phântíchtinhthểtiaX Máy nhiễuxtiaX Ứng dụng Ưu, nhược điểm GIỚI THIỆU VỀ TIAX + Năm 1985 Rontghen phát hện tiaX + Năm 1912 Ông giải thíc tượng nhiễuxtiaX ... lên thể sống, gây hại cho sức khỏe GIỚI THIỆU VỀ TIAX • Cách tạo tia X: CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂNTÍCHNHIỄUXTIAXNhiễux đơn tinhthể a) Phương pháp laue b) Phương pháp đơn tinhthể quay Nhiễu ... nhiềutinhthể có tính định hướng ngẫu nhiên để có lượng mẫu lớn hạt có đinh hướng thỏa mãn điều kiện nhiễux Bragg MÁY NHIỄUXTIAX • Phương pháp nhiễux bột 3 MÁY NHIỄUXTIAXCấu tạo...
... nhận cấutrúc thực phẩm Kết cấu Thị giác Cấutrúc Cảm giác x c giác Cảm nhận cấutrúc Thao tác miệng Cảm giác vận động Thính giác Thuộc tính cảm quan Phântíchcấutrúc thực phẩm Phântíchcấutrúc ... NỘI DUNG ● Tìm hiểu cấutrúc thực phẩm ● Phântíchcấutrúc thực phẩm ● Phương pháp Mơ tả Cấutrúc (Texture Profile – TP) Tìm hiểu cấutrúc thực phẩm Định nghĩa cấutrúc ? Nhóm 1: “định hướng ... Khác Phương pháp phântíchcấutrúc cảm quan ● Phương pháp Mô tả Cấutrúc ● Phương pháp Phântích Mơ tả Định lượng ● Phương pháp Quang phổ Cảm quan Phương pháp Mô tả CấuTrúc (Texture Profile –...
... thuyết ϑ góc tia tới tianhiễux , λ bước sóng tiaX Biên độ tianhiễux phụ thuộc vào góc nhiễux b) NhiễuxtiaXtinhthể Khi tiaX chiếu qua tinh thể, nút mạng trở thành tâm phát tiaX thứ cấp ... tượng nhiễuxtiaX Ảnh ghi được gọi ảnh nhiễuxtinhthể Hiện tượng nhiễuxtinhthể quan sát giải thích Max Von Laue vào năm 1912 (Nobel vật lí năm 1914) TiaXTianhiễux Ảnh nhiễux ... nhiễux (đã x c định trước) chiếu tiaX qua tinhthể đo cường độ tiaphảnx (chú ý, nguồn tiaX detecter đặt cố định tinhthể xoay ba chiều khơng gian) Ngày nay, trình đo nhiễuxtiaX tự động...
... pháp thay liên hoàn Cụ thể sau: Số liệu kỳ phân tích: F1= f(a1,b1,c1,d1) = a1xb1xc1xd1 Số liệu kỳ gốc : F0 = f(a0,b0,c0,d0) = a0xb0xc0xd0 ∆F = F1-F0 = a1xb1xc1xd1-a0xb0xc0xd0 Mức độ ảnh hưởng nhân ... nghiƯp 2.2.3 Phântíchcấutrúc nguồn vốn cơng ty §Ĩ thấy đầy đủ thực trạng tài công ty, việc phântíchcấutrúc tài sản ta cần phântíchcấutrúc nguồn vốn công ty Cấutrúc nguồn vốn thể sách tài ... PHẦN CƠ SỞ LÝ LUẬN VỀ PHÂNTÍCHCẤUTRÚC VÀ CÂN BẰNG TÀI CHÍNH DOANH NGHIỆP 1.1 Khái niệm ý nghĩa phântíchcấutrúc cân tài doanh nghiệp 1.1.1 Khái niệm ý nghĩa phântíchcấutrúc tài doanh nghiệp...
... khoảng cách tương quan hai cấutrúc gây tượng nhiễux Phương pháp tán xtiaX góc nhỏ nghiên cứu cấutrúc có kích thước từ nm - 1m 1.5 THỰC NGHIỆM ĐO TÁN XTIAX GÓC NHỎ (2) ETFE Graft-ETFE ... GHÉP MẠCH BỨC X Hàm tương quan chiều 1.5 THỰC NGHIỆM ĐO TÁN XTIAX GÓC NHỎ Kout Mẫu ) Kin TiaX tới () 2θ Kin Góc < 50 Vector tán x q = Kout -Kin 4 q sin 2: Góc tán x kin kout ... VÀ NGUYÊN LÝ TÁN XTIAX GÓC NHỎ 1.1 PIN NHIÊN LIỆU 1.2 VẬT LIỆU CHẾ TẠO MÀNG DẪN PROTON 1.3 PHƯƠNG PHÁP GHÉP MẠCH BỨC X 1.4 CẤUTRÚC LAMELLAR 1.5 NGUYÊN LÝ ĐO TÁN XTIAX GÓC NHỎ HÀM TƯƠNG...
... lớn (Wide Angle X- ray Scattering WAXS) nhiễuxtiaX (X- ray Diffraction – XRD) Những tiaX tán x với góc < 50 gọi tán x góc nhỏ ngược lại gọi tán x góc lớn nhiễuxtiaX (Hình 1.1) Gần ... TÁN XTIAX GÓC NHỎ Trong phântíchcấutrúc vật liệu sử dụng phương pháp tán xtiaX người ta thường chia làm loại tán xtiaX góc nhỏ (Small Angle X- ray Scattering SAXS) tán xtiaX góc ... xtiaX góc nhỏ siêu nhỏ Sau trình bày số nguyên lý tán xtiaX góc nhỏ 6 1.1 Tán xtiaXNhiễuxtiaX kết kết hợp hai tượng khác nhau: (1) Sự tán xtiaX với điện tử riêng lẻ vật liệu tinh...
... điều hoà ảnh hưởng tham số cấutrúc hợp kim thu từ p h ổ cấutrúctinh t ế hấp thụ tiaX (XAFS)” tập trung vào nghiên cứu tính chất quan trọng hệ vật chất phương pháp XAFS phương pháp đại phát ... cấutrúc fee bcc c X y dựng hệ số phi điểu hoà đế x c định thay đổi biên độ công thức dịch pha phổ XAFS phi điểu hồ D Tiến hành tính số cho sơ hợp kim hai thành phần A 1X CU| x (fee) FexW | .x ... ự c n d i i ệ m O 1Ũ I MỞ ĐẦU Pháncấutrúctinh tế cúa hấp thụ tiaX (XAFS: X- rav Absorption Fine Structure) trứ thành môt phương pháp dại đe x c định cáutrúc [1], tính chất nhiệt động [2],...
... phẳng 5.2 Phântích mẫu clanhke Đặt Cu-vec chứa mẫu clanhke (5.1) lên bệ mẫu chuẩn vòng tròn trung tâm nhiễux Goniometer Chế độ đo: theo chế độ đo loại máy nhiễuxtia X; riêng với nhiễux sử ... bị phântíchnhiễuxtia X, sau nghiền trộn mẫu, tiến hành tạo mẫu phântích 4.3 Chuẩn bị mẫu hỗn hợp: Cân khoảng 1,7 gam clanhke xi măng poóc lăng 0,3 gam chất chuẩn CaF2 gia công (4.1), x c ... định: C 3S = 7,23; C2S = 28,08; C3A = 3,79; C4AF = 5,24; Tỷ số (Inc / ICaF2) đo giản đồ nhiễuxtiaX mẫu phântích trên; Hàm lượng CaF2 ( CCaF2 ) cố định 15% Báo cáo thử nghiệm Báo cáo thử nghiệm...
... XRD Máy XRD thiết bị ứng dụng tượng nhiễuxtiaX để phântíchcấutrúc vật liệu Hiện thiết bị phântíchXRD thiết bị khơng thể thiếu việc nghiên cứu cấutrúc vật liệu Tùy theo phương pháp phân ... phântích tùy theo đối tượng phântích mà có loại máy XRD khác như: máy XRD bột, máy XRD đơn tinhthể quay, máy XRD đơn tinh thể, tích hợp thiết bị Cấu tạo máy XRD gồm phận như: đầu phát tia X, ... Mo - Kα Zn 0,108 31 Nhiễux Bragg Bragg đưa mơ hình lý thuyết nhiễux để giải thích cho nhiễuxcấutrúctinhthể vật liệu Trong để nhiễuxtiaX xảy hiệu quang lộ hai tia A B phải số nguyên...
... tinhthể Bƣớc sóng Góc nhiễux F Độ bán rộng (rad) rad deg 180 0,9. d F cos Kết luận Lý thuyết tiaXNhiễuxtiaX Máy XRDX lý phổ Hình thành Loại bỏ Các phuong pháp Cấu ... Bragg cho chùm tianhiễux quan sát đƣợc Muốn thỏa mãn đl Bragg phải có 2d, mà tinhthể d cỡ Å nên thấy tƣợng nhiễuxtiaX (không thấy tƣợng nhiễux ánh sáng nhìn thấy tia ) Một mặt ... phẳng phảnxphần nhỏ chùm tiaX tới, khơng mặt phẳng phảnx hết, khơng để mặt phẳng sau phảnx nhƣ khơng có tƣợng giao thoa Máy XRD B C Giá đỡ A Vòng giác kế Đầu phát tiaX Detector...
... • • Giới thiệu tiaXPhântíchcấutrúctinhthểnhiễuxtiaX - Công thức Bragg Máy nhiễuxtiaX Các phương pháp phântíchtiaX Ứng dụng Ưu, nhược điểm GIỚI THIỆU VỀ TIAX • Năm 1895 Rơntghen ... Phương pháp phântíchtiaXNhiễuxtiaXPhântíchcấutrúc rắn, vật liệu… Huỳnh quang tiaX Xác định hàm lượng nguyên tố có mẫu PHÂN TÍCH CẤU TRÚC TINH THỂ BẰNG NHIỄU XẠ TIAX • Max von Laue: ... Phương pháp nhiễux bột cho phép x c định thành phần pha, tỷ phần pha, cấutrúctinhthể (các tham số mạng tinh thể) dễ thực ỨNG DỤNG Máy nhiễuxtiaX dùng để phântíchcấutrúctinhthể nhanh...
... 4.2: Phổ XRD vật liệu 10SnO2-90SiO2: xEr3+ với x = 0,4% mol nung nhiệt độ 120oC, 400oC, 600oC, 800oC 1000oC Trang 59 Luận văn thạc sĩ Hình 4.3: Phổ XRD vật liệu 10SnO2-90SiO2: xEr3+ với x = 0,8% ... 8.0 Nhận x t: Kết thu tương đối phù hợp với kết tính tốn kích thước trung bình hạt SnO2:Er3+ vật liệu 10SnO2-90SiO2: xEr3+ (với x = 0.8% 1.0% mol) nung 800oC 1000oC dựa theo phổ nhiễuxXRD mục ... Hai x gây chuyển mức lượng tương ứng S3/2 4I15/2 4F9/2 4I15/2 ion Er3+, cường độ hai x phụ thuộc vào nhiệt độ nồng độ pha tạp Kết chứng tỏ rằng, phát x vật liệu chủ yếu ion Er3+ hòa tan tinh...