Chúng tôi sử dụng 2-aminoethanethiol (AET) để amin hóa bề mặt chấm lượng tử, vì phân tử AET có nhóm thiol (–SH) có ái lực mạnh với lớp vỏ ZnS của chấm lượng tử và có nhóm amin.
Quy trình amin hóa bề mặt chấm lượng tử:
1. Pha dung dịch AET 10M (228mg AET; 200µl CH3OH)
2. Hòa tan QDs trong 100µl dung dịch chloroform (nồng độ QDs 12mg/ml) 3. Thêm 80µl AET 10M, trộn đều, rung lắc200 vòng/phút trong 2 giờ ở nhiệt
độ phòng.
Kiểm tra khả năng phân tán trong nước của chấm lượng tử sau khi amin hóa bề mặt
Sau phản ứng amin hóa bề mặt, thêm vào mỗi ống phản ứng 40µl nước. Ống đối chứng (mẫu chấm lượng tử khi chưa chức năng hóa bề mặt) cũng được thêm 40µl nước. Lắc đều các thành phần trong các ống, quan sát xem QDs có tách khỏi pha chloroform và phân tán vào pha nước không.
Tinh sạch chấm lượng tửđã amin hóa bề mặt
Sau phản ứng, trong dung dịch chứa TOP, TOPO, HDA và AET dư, vì thế cần tinh sạch những chất dư trên ra khỏi QDs đã phản ứng. Chấm lượng tử sau khi amin hóa bề mặt tan kém trong CH3OH và chloroform, trong khi các tạp chất liệt kê ở trên lại tan tốt trong CH3OH. Vậy nên ta dùng rượu CH3OH để tinh sạch chấm lượng tử.
Thêm vào dung dịch phản ứng 1ml rượu CH3OH (QDs sau khi biến đổi bề mặt không tan trong rượu). Ủ ở nhiệt độ –200C trong 10 phút, li tâm 10000 vòng/phút trong 2 phút, loại bỏ dịch nổi, giữ kết tủa ta được QDs biến đổi bề mặt đã tinh sạch. Chấm lượng tử được tinh sạch khi dùng để thực hiện các phản ứng tiếp theo sẽ cho kết quả tốt hơn. Chấm lượng tử được làm khô ở nhiệt độ phòng, bảo quản 4oC nơi tránh ánh sáng,
Kết quả amin hóa bề mặt chấm lượng tử được phân tích bằng phương pháp FTIR (xem mục 2.2.3).