Hình 3.3 : CV của dung dịch CuCl2 với axit sulfamic có nồng độ khác nhau
Hình 3.34 Sơ đồ cấu tạo của PMT cấu trúc Al/CIGS/ITO/soda-lime glass
Sau khi pin được chế tạo, hai điện cực của pin là ITO và Al được nối với hai đầu dây dẫn mềm (sử dụng bằng keo bạc), hai đầu dây còn lại, một đầu được nối với điện cực làm việc (WE) và đầu còn lại nối chung với điện cực so sánh (RE) và điện cực đếm (CE) của máy điện hóa. Mặt trên của pin (Glass/ITO) được chiếu rọi bằng đèn halogen có cơng suất tương đương khoảng 140 mW/cm2. Mật độ dòng tối
Điện cực Al
R
Đế thủy tinh Lớp ITO
(dịng đo khi khơng được chiếu rọi) và dòng sáng (dòng đo khi chiếu rọi) được ghi trên máy điện hố dưới dạng phổ điện thế qt vịng (CV), tốc độ quét thế 10 mV/s.
3.4.3.2. Nguyên lý hoạt động của PMT Al/CIGS/ITO/soda-lime glass [1]
Nguyên lý làm việc của pin được mô tả trên sơ đồ cấu trúc vùng năng lượng của chuyển tiếp dị chất CIGS/ITO (hình 3.35)
Hình 3.35: Sơ đồ cấu trúc vùng năng lượng của chuyển tiếp dị chất CIGS/ITO khi
có chiếu sáng trong điều kiện hở mạch.
Khi chuyển tiếp CIGS/ITO được chiếu sáng từ phía điện cực trong suốt ITO với năng lượng hν ≥ Eg (CIGS), các điện tử trong vùng hóa trị của CIGS nhảy lên vùng dẫn để lại lỗ trống. Vì mức năng lượng thấp nhất trên vùng dẫn của CIGS cao hơn mức thấp nhất trên vùng dẫn của ITO, các điện tử vừa sinh ra khuếch tán sang ITO tạo ra hiệu ứng tách hạt tải: lỗ trống tập trung trên CIGS, còn điện tử tập trung trên ITO hình thành một suất điện động nhất định, điện thế hình thành trong trường hợp này tương ứng điện thế hở mạch VOC. Khi nối tắt điện cực Al với ITO dòng điện tử chuyển từ ITO sang điện cực Al, đó chính là dịng ngắn mạch JSC.
3.4.3.3. Khảo sát đặc trưng quang điện
Đặc tính dịng-thế của pin được thể hiện trong hình 3.36, trong đó đường liền nét là giá trị mật độ dòng điện của PMT khi được chiếu sáng, đường nét đứt tương ứng với giá trị mật độ dòng của PMT khi bị che sáng. Từ đặc trưng I-V của một linh kiện dưới dạng đi-ôt cho chúng ta biết thông tin về khả năng truyền hạt tải qua biên tiếp xúc của các chất bán dẫn.
Hình 3.36: Đặc trưng dòng-thế của PMT dựa trên lớp hấp thụ CIGS với hợp thức
Cu(In0.7Ga0.3)Se2 dưới điều kiện chiếu sáng (đường liền nét) và không chiếu sáng (đường nét đứt)
Trong trường hợp của chúng tơi, PMT cũng có cấu trúc dạng đi-ôt với chuyển tiếp p-n dị chất giữa CIGS và ITO. Phép đo I-V trên hệ điện hóa khác với phép đo I- V khơng qt thế thường thực hiện đối với các đi-ôt chỉnh lưu. Phương pháp CV thực hiện trên hệ điện hóa cho chúng ta đường cong I-V có tính bù trừ dịng-thế sinh ra từ hai điện cực của pin dưới tác dụng chiếu sáng. Khi không được chiếu sáng
(đường nét đứt trên hình 3.36), mật độ dịng khơng phụ thuộc vào điện thế chiếu
sáng và có giá trị bằng khơng trong dải điện thế -0,2 đến 0,1 V, điều này cho thấy chuyển tiếp p-n có điện trở vơ cùng lớn. Khi điện thế âm tăng lên dòng cũng tăng theo chứng tỏ chuyển tiếp p-n bị đánh thủng. Khi được chiếu sáng, chuyển tiếp p-n bắt đầu hoạt động, hạt tải (điện tử và lỗ trống) được sinh ra và chuyển động về hai phía đối ngược (hiệu ứng tách hạt tải). Đường liền nét trên hình 3.36 cho thấy PMT hoạt động tương đối tốt. Từ đường cong này chúng ta có thể lấy được các thơng số của pin như: JSC = 51,2 mA/cm2 (mật độ dòng ngắn mạch), VOC = 0,61 V (thế hở mạch), FF = 38,4% (hệ số điền đầy) và η = 8,9% (hiệu suất chuyển đổi). Hiệu suất chuyển đổi quang điện tính theo cơng thức (1.5) đạt giá trị 8,9%. Đối với một linh kiện đơn lớp giá trị của hiệu suất chuyển hóa quang điện này là khá lớn. Điều này về mặt khoa học cũng thể hiện đúng bản chất chuyển tiếp. Tuy nhiên trên thực tiễn chúng tôi sử dụng đèn chiếu sáng là đèn halogen có dải phổ bức xạ ở vùng bước sóng ngắn phong phú hơn rất nhiều so với đèn có phổ tiêu chuẩn 1,5 AM cho nên có hiệu suất cao. Trong trường hợp sử dụng đèn chiếu sáng chuẩn, giá trị η thấp hơn khoảng 20%.
Như vậy, dựa trên sự hiểu biết về cơ chế của lớp CIGS, một sự cân đối thích hợp thơng lượng các thành phần đã được xây dựng trong quá trình lắng đọng ở -0.9 V và từ dung dịch chứa 20 mM CuCl2, 30 mM InCl3, 40 mM Ga(NO3)3 và 20 mM H2SeO3. Màng phát triển trong điều kiện này đã đạt được hợp thức mong muốn CuIn0.70Ga0.30Se2. Kết quả các tính chất quang điện thu được chứng tỏ rằng lớp màng mỏng CIGS chế tạo bằng phương pháp lắng đọng điện hóa một bước hồn tồn có thể sử dụng làm lớp hấp thụ đồng thời là lớp bán dẫn loại p trong chuyển tiếp p-n dị chất với ITO hoặc ZnO trong PMT.
Kết luận chƣơng III
Qúa trình lắng đọng của các màng CuSex, CGS và CIGS đã được nghiên cứu bằng phương pháp Vol-ampe vòng. Riêng màng CuSex còn sử dụng thêm phương pháp cân vi lượng dao động tinh thể thạch anh kết hợp điện hóa. Một số kết quả nghiên cứu chính thu được như sau:
Đã quan sát thấy hiện tượng mất khối lượng khi axit sulfamic có nồng độ cao, dẫn đến sự thay đổi trong thành phần màng và làm cho hình thái bề mặt của mẫu kém khi sử dụng phương pháp EQCM.
Phép đo EDS cho thấy nồng độ Ga phụ thuộc mạnh vào thế lắng đọng và đã đạt đến 20,5% tại điện thế -0,9 V. Từ kết quả CV và EDS chúng tôi thấy rằng việc lắng đọng màng CuGaSe2 trên đế Mo tại điện thế -0,9 V là phù hợp hơn cả.
Axit sulfamic là một chất tạo phức thích hợp để chế tạo màng mỏng hấp thụ CIGS bằng phương pháp lắng đọng điện hóa. Chúng tơi đã thu được màng CIGS có hợp thức gần mong muốn với dung dịch chứa 20-30mM axit sulfamic.
Một sự cân đối thích hợp các thành phần đã được chúng tôi xây dựng trong lắng đọng ở -0,9 V và từ dung dịch chứa 20 mM CuCl2, 30 mM InCl3, 40 mM Ga(NO3)3và 20 mM H2SeO3. Màng lắng đọng trong điều kiện này đã đạt được hợp thức mong muốn CuIn0.70Ga0.30Se2.
Đã chế tạo thành công một tế bào PMT đơn giản với cấu hình Al/CIGS/ITO/soda-lime glass. Với lớp CIGS là hợp thức mong muốn Cu(In0.7Ga0.3)Se2. Dưới điều kiện chiếu sáng, chúng tôi đo được các thông số của
pin như sau: JSC = 51.2 mA/cm2 (mật độ dòng ngắn mạch), VOC = 0.61 V (thế hở mạch), FF = 38.4 % (hệ số điền đầy) và η = 8.9 % (hiệu suất chuyển đổi). Kết quả này cho thấy rằng màng CIGS được chế tạo theo quy trình mà chúng tơi xây dựng hồn tồn có thể ứng dụng làm lớp hấp thụ cho PMT.
KẾT LUẬN CHUNG
Hai phương pháp đo Vol-Ampe vòng và cân vi lượng dao động tinh thể thạch anh được sử dụng để nghiên cứu động học quá trình lắng đọng màng CIGS đã đưa ra các kết quả chính như sau:
1. Bằng phương pháp EQCM, chúng tôi phát hiện ra hiện tượng mất khối lượng khi axit sulfamic có nồng độ cao, dẫn đến sự thay đổi trong thành phần màng và làm cho hình thái bề mặt của mẫu kém.
2. Bằng phương pháp lắng đọng điện hóa, chúng tơi đã chế tạo được các màng hấp thụ CIGS có thành phần ổn định và hợp thức như mong muốn.
3. Một sự cân đối thích hợp các thành phần đã được chúng tôi xây dựng trong lắng đọng ở điện thế -0,9 V và từ dung dịch chứa 20 mM CuCl2, 30 mM InCl3, 40 mM Ga(NO3)3, 20 mM H2SeO3 và 20 mM axit sulfamic. Màng lắng đọng trong điều kiện này đã đạt được hợp thức mong muốn CuIn0.70Ga0.30Se2. 4. Đã chế tạo tế bào PMT cấu trúc Thủy tinh/ITO/CIGS/Al với lớp hấp thụ CIGS
có hợp thức CuIn0.70Ga0.30Se2. Các thơng số hoạt động của pin đo được: hệ số điền đầy, thế hở mạch, dòng đoản mạch, hiệu suất: : 38,4%; 0,61 V; 51,2 mA/cm2 và 8,9%.
Như vậy, màng CIGS được chế tạo theo quy trình mà chúng tơi xây dựng hồn tồn có thể ứng dụng làm lớp hấp thụ cho PMT.
DANH MỤC CÁC CƠNG TRÌNH
KHOA HỌC CỦA TÁC GIẢ LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN ÁN
[I]. Pham Hong Quang, Dang Thi Bich Hop, Ngo Dinh Sang, Tran Hai Duc and Le Tuan Tu (2012), “Effect of sulfamic acid as complexing agent on electrodeposition of CIGS absorber thin film”, Journal of Ceramic Processing Research 13 (2), pp. s318~s322.
[II]. Đặng Thị Bích Hợp, Phạm Hồng Quang, Ngơ Đình Sáng, Lê Tuấn Tú, Đỗ Quang Ngọc, Lại Thanh Thủy (2012), “Nghiên cứu lắng đọng điện hóa màng mỏng CuGaSe2 trên các đế ITO và Mo”, Tạp chí Khoa học và Cơng nghệ 50
(1A), tr. 183 -190.
[III]. Pham Hong Quang, Dang Thi Bich Hop, Ngo Dinh Sang, Nguyen Thi Ngoc
Quynh, Ngo Dung Tuan (2012), “Electrodeposition of Cu(InGa)Se2 Absorber Layer Towards Solar Cell Application”, Tạp chí Khoa học và Cơng nghệ - Đại
học Đà Nẵng 8(57), quyển 3, tr. 170, ISSN số 1859-1531.
[IV]. Dang Thi Bich Hop, Pham Hong Quang, Do Thi Kim Anh, Do Phuc Quan, Ngo Dinh Sang, Ngo Trung Hoc (2013), “Electrochemical quart crystal microbalance study of electrodeposition of copper-selenium thin films”, VNU Journal of Science: Mathematics-Physics 29 (2), pp. 25-32.
[V]. Dang Thi Bich Hop, Pham Hong Quang, Do Thi Kim Anh, Do Phuc Quan
(2014), “Study of the effect of sulfamic acid on formation Cu-Se compounds by CV and EQCM”, VNU Journal of Science: Mathematics-Physics 30 (2), pp. 25-32.
[VI]. Dang Thi Bich Hop, Pham Hong Quang, Duc H. Tran, Do Thi Kim Anh, Do
Phuc Quan, Ngo Dinh Sang and W. B. K. Putri (2015), “EQCM studies of the effect of sulfamic acid on the formation Cu-Se compounds”, Journal of Ceramic Processing Research 16 (1), pp. 5-10.
TÀI LIỆU THAM KHẢO Tiếng Việt
[1]. Ngơ Đình Sáng (2013), Mơ phỏng vật lý linh kiện, chế tạo và khảo sát tính chất một số lớp chính của pin mặt trời thế hệ mới trên cơ sở màng mỏng CIGS, luận án tiến sỹ Vật lý, Trường Khoa học Tự Nhiên, Đại học Quốc gia
Hà Nội.
Tiếng Anh
[2]. Abrantes I. M., Araujo L. V. and Veli D. (1995), “Voltammetric study on copper deposition/dissolution reactions in aqueous chloride solution”,
Minerals Engineering 8 (12), pp. 1467-1475.
[3]. Åke Olin (2005), Chemical thermodynamics of selenium, Elsevier
publisher.
[4]. Allen J. Bard, Roger Parsons and Joseph Jordan (1985), Standard Potentials in Aqueous Solution, CRC Press, 1st edition.
[5]. Archer M. D. (2001), “The past and present. In: Clean electricity from photovoltaics”, London: Imperial College Press, pp. 1–32.
[6]. Artaud M.C., Ouchen F., Martin L., and Duchemin S. (1998), “CuInSe2 thin films grown by MOCVD: characterization, first devices”, Thin Solid Films
324, pp. 115-123.
[7]. Bhattacharya R. N., Batchelor W., Granata J. E., Hasoon F., Wiesner H., Ramanathan K., Keane J., Noufi R. N. (1998), “CuIn1-xGaxSe2-based photovoltaic cells from electrodeposited and chemical bath deposited precursors”, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 55, pp. 83–94.
[8]. Bhattacharya R. N., Batchelor W., Hiltner J. F. and Sites J. R. (1999), “Thin film CuIn1-xGaxSe2 photovoltaic cells from solution based precursor layers”, Appl. Phys. Lett. 75, pp. 1431-1433.
[9]. Bhattacharya R. N., Batchetor W., Wiesner H. et. al. (1998), “14.1% CuIn1-
xGaxSe2 based photovoltaic cells from electrodeposited precursors”, J. Electrochem. Soc. 145, pp. 3435-3440.
[10]. Birkmire R. W. (2001), “Compound polycrystalline solar cells: Recent progress and Y2K perspective”, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 65, pp. 17-28. [11]. Birkmire R.W., Eser E. (1997), “Polycrystalline thin film solar cells: Present
Status and Future Potential”, Annu. Rev. Mater. Sci. 27, pp. 625-653.
[12]. Budevski E., Staikov G., Lorenz W. J. (2000), “Electrocrystallization nucleation and growth phenomena”, Electrochim. Acta 45, pp. 2559–2574. [13]. Calixto M. E., Dobson K. D., McCandless B. E., Birkmire R. W. (2005), “Growth mechanisms of electrodeposited CuInSe2 and Cu(In,Ga)Se2 determined by cyclic voltammetry”, In: Gessert, T., Niki, S., Shafarman, W., Siebentritt, S. (Eds.), Thin-Film Compound Semiconductor Photovoltaics, MRS Symposium Proceedings Series 865, pp. 431–436.
[14]. Callister W. D. (1985), Materials Science and Engineering: An Introduction. Second Edition, John Wiley and Sons, Brisbane.
[15]. Carl W. F. T. Pistorius and Sharp W. E. (1960), “Properties of water; part VI, Entropy and Gibbs free energy of water in the range 10-1000 degrees C and 1-250,000 bars”, Am. J. Sci. 258, pp. 757-768.
[16]. Chassaing E., Grand P. P., Saucedo E., Etcheberry A., Lincot D. (2009), “Electrochemical growth of CuInSe2 compounds on polycrystalline Mo films studied by Raman and impedance spectroscopy”, ECS Trans. 19, pp. 189–195. [17]. Chassaing E., Ramdani O., Grand P. P., Guillemoles J. F., Lincot D. (2008),
“New insights in the electrodeposition mechanism of CuInSe2 thin films for solar cell applications”, Phys. Stat. Sol. 5(c), pp. 3445–3448.
[18]. Christian D. R. Ludwig (2011), Optimising thin-film solar cells by computer
simulations, PhD thesis, Mainz.
[19]. Contreras M. A., Egaas B., Ramanathan K., Hiltner J., SwartzlandeA. r, Hasoon F., and Noufi R. (1999), “Progress Toward 20% Efficiency in
Cu(In,Ga)Se2 Polycrystalline Thin-film Solar Cells”, Prog. Photovolt: Res. Appl. 7, pp. 311–316.
[20]. Dergacheva M. B., Chaikin V. V., Grigoreva V. P., and E. Pantileeva P. (2004), “Electrodeposition of CuSex compounds onto carbon-containing electrodes”, Russian journal of applied chemistry 77(8), pp. 1273–1278. [21]. Devaney W.E., Chen W.S., Stewart J.M., and Mickelsen R.A. (1990),
“Structure and properties of high efficiency ZnO/CdZnS/CuInGaSe2 solar cells”, IEEE Trans. Electron Dev. 37, pp. 428-433.
[22]. Dini J. W. (1992), Electrodeposition- The materials science of coatings and
substrates, Noyes Publications, New York, USA.
[23]. Dominik Rudmann (2004), Effects of sodium on growth and properties of Cu(In,Ga)Se2 thin films and solar cells, PhD thesis, Switzerland.
[24]. Gabor A.M., Tuttle J.R, Albin D.S., Contreras M.A. and Noufi R. (1994), “High-efficiency CuInxGa1-xSe2 solar cells made from (Inx,Ga1-x)2Se3 precursor films”, Appl. Phys. Lett. 65, pp. 198-200.
[25]. Galsstone S. (1960), The Fundamentals of Electrochemistry and Electrodeposition, Book of Franklin publishing, New Jersey.
[26]. Glazov V. M., A. S. Pashinkin and V. A. Fedorov (2000), “Phase equilibria in the Cu-Se system”, Inorg. Mater. 36, pp. 641-652.
[27]. Grätzel M. (2007), “Photovoltaic and photoelectrochemical conversion of solar energy”, Phil. Trans. R. Soc. 365, pp. 993-1005.
[28]. Green M. A. (2009), “The path to 25% silicon solar cell efficiency: history of silicon cell evolution”, Prog. Photovolt. Res. Appl. 17, pp. 183-189. [29]. Hagiwara Y., Nakada T., and Kunioka A. (2001), “ Improved Jsc in CIGS
thin film solarcells using a transparent conducting ZnO: B window layer”,
Sol. Energy Mater. Sol. Cells 67, pp. 267-271.
[30]. Hermann A.M., Gonzalez C., Ramakrishnan P.A., Balzar D., Popa N., Rice B., Marshall C.H., Hilfiker J.N., Tiwald T., Sebastian P.J., Calixto M.E., and Bhattacharya R.N. (2001), “Fundamental studies on large area
Cu(In,Ga)Se2 films for high efficiency solar cells”, Sol. Energy Mater. Sol.
Cells 70, pp. 345-361.
[31]. Hibberd C. J., Chassaing E., Liu W., Mitzi D. B., Lincot D., Tiwari A. N. (2010), “Non-vacuum methods for formation of Cu(In,Ga)(Se,S)2 thin film photovoltaic absorbers”, Prog. Photovolt. Res. Appl. 18, pp. 434–452. [32]. Hibbert D. B. (1993), Introduction to electrochemistry, Macmillan physical
science. MacMillan, Basingstoke.
[33]. Ider M., Pankajavalli R., Zhuang W., Shen J. Y., Anderson T. J. (2014), “Thermochemistry of the Cu2Se-In2Se3 system”, Journal of Alloys and Compounds 604, pp. 363-372.
[34]. Jaffe J. E. and Zunger A. (1984), “Theory of band gap anomaly in ABC2 chalcopyrite semiconductors”, Phys. Rev. B. 29, pp. 1882-1906.
[35]. Joseph Wang (2006), Analytical electrochemistry, Published by John Wiley & Sons, Inc., Hoboken, New Jersey.
[36]. Kaelin M., Rudmann D. and Tiwari A. N. (2004), “Low cost processing of CIGS thin film solar cells”, Solar Energy 77, pp. 749-756.
[37]. Kayes BM, Nie H, Twist R, Spruytte SG, Reinhardt F, Kizilyalli IC (2011), “27.6% conversion efficiency, a new record for single-junction solar cells under 1 sun illumination”, Proceedings of the 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference.
[38]. Kemell M., Saloniemi H., Ritala M. and Leskela M. (2001), “Electrochemical quartz crystal microbalance study of the electrodeposition mechanisms of CuInSe2 thin films”, Journal of The Electrochemical Society 148 (2), pp. C110-C118.
[39]. Kemell M., Saloniemi H., Ritala M., Leskela M. (2000), “Electrochemical quartz crystal microbalance study of the electrodeposition mechanism of Cu2-xSe thin fils”, Electrochimica Acta 45, pp. 3737-3748.
[40]. Kennerth A. Mark (2007), “The quartz crystal microbalance and the electrochemical QCM: Applications to studies of thin film polymer films,
Electron transfer systems, Biological macromolecules, Biosensors, and cells”, Springer Ser Chem Sens Biosens 5, pp. 371– 424.
[41]. Kim W. K., Kim S., Payzant E. A., Yoon S. (2005), “Reaction kinetics of CuInSe2 formation an In2Se3/CuSe bilayer precursor film”, Journal of Physics and Chemistry of Solids 66(11), pp. 1915-1919.
[42]. Kim Woo Kyoung (2006), Study of reaction pathways and kinetics in Cu(InxGa1-x)Se2 thin film growth, PhD. thesis, University of Florida.
[43]. Kroger F. A. (1978), “Cathodic deposition and characterization of metallic or semiconducting binary alloys or compounds”, Journal of The Electrochemical Society 125(12), pp. 2028–2034.
[44]. Lai Y., Liu F., Zhang Z., Liu J., Li Y., Kuang S., Li J., Liu Y. (2009), “Cyclic voltammetry study of electrodeposition of Cu(In,Ga)Se2 thin films”,
Electrochim. Acta 54, pp. 3004–3010.
[45]. Lee S. M., Kim Y. H., Oh M. K., Hong S. I., Ko H. J. and Lee C. W. (2010), “Electrodeposition of Cu(InxGa1-x)Se2 thin film”, J. Korea Electrochem. Soc. 13, pp. 89-95.
[46]. Li J., Liu F., Lai Y., Zhang Z., Liu Y. (2010), “Indium and gallium incorporation mechanism during electrodeposition of Cu(In,Ga)Se thin film”, In: 217th ECS Meeting, Vancouver, pp. 1176-1180.
[47]. Lincot D., Guillemoles J. F., Taunier S. and et. al. (2004), “Chalcopyrite thin film solar cells by electrodeposition”, Sol. Energy 77, pp. 725–737. [48]. Liu J., Liu F., Lai Y., Zhang Z., Li J. and Liu Y. (2011), “Effects of sodium
sulfamate on electrodeposition of Cu(In,Ga)Se2 thin film”, J. Electroanal. Chem. 651, pp. 191-196.
[49]. Ludwig C. D. R., Gruhn T., Claudia F., Tanja S., Johannes W., Peter K. (2010), “Indium-gallium segregation in CuInxGa1-xSe2: an ab initio-based Monte Carlo study”, Phys. Rev. Lett. 105, pp. 025702/1-4.
[50]. Marlot A. and Vedel J. (1999), “Electrodeposition of copper-selenium compounds onto gold using a rotating electrochemical quartz crystal microbalance”, Journal of The Electrochemical Society 146 (1), pp. 177-183. [51]. Massaccesi S., Sanchez S. and Vedel J. (1996), “Electrodeposition of
indium selenide In2Se3”, Electroanal. Chem. 412, pp. 95-101.
[52]. Massaccesi S., Sanchez S., and Vedel J. (1993), “Cathodic deposition of copper selenide films on tin oxide in sulfate solutions”, Journal of the Electrochemical Society 140, pp. 2540-2545.
[53]. Merino J.M., León M., Rueda F., and Diaz R. (2000), “Flash evaporation of chalcogenide thin films”, Thin Solid Films 361-362, pp. 22-27.
[54]. Mishra K. K. and Rajeshwar K. (1989), “A voltammetric study of the electrodeposition chemistry in the Cu+ In + Se system”, Journal of electroanalytical chemistry and interfacial electrochemistry 271(1-2), pp.
279–294.
[55]. Miyake H., Ohtake H., Sugiyama K. (1995), “Solution growth of CuInSe2 from CuSe solution”, Journal of Crystal Growth 156 (4), pp. 404-409. [56]. Monig H., Caballero R., Kaufmann C. A., Schmidt T. L., Lux-Steiner M.
Ch., Sadewasser S. (2011), “Nanoscale investigations of the electronic surface properties of Cu(In,Ga)Se2 thin films by scanning tunneling spectroscopy”, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 95, pp. 1537–1543. [57]. Mooney J. B. and Lamoreaux R. H. (1999), “Spray porolysis of CuInSe2”,
Solar Cells 16, pp. 211-220.
[58]. Nakada T.and Mizutani M. (2002), “18% Efficiency Cd-Free Cu(In, Ga)Se2 Thin-Film Solar Cells Fabricated Using Chemical Bath Deposition