4.1. Khảo sát chấm lƣợng tử CdSe chế tạo đƣợc
4.1.3. Ảnh hƣởng của tỉ lệ Cd:Se đến tính chất chấm lƣợng tử CdSe
Trong luận văn này, chúng tôi khảo sát sự thay đổi tỉ lệ tiền chất Cd : Se ảnh hƣởng nhƣ thế nào tới chấm lƣợng tử.
Tỉ lệ Cd : OA = 1 : 4.1, Se : TOP = 1 : 2.23, nhiệt độ phản ứng là 180OC, thời gian phản ứng 5 phút, vận tốc khuấy từ 400 vòng / phút.
Tỉ lệ Cd : Se khảo sát lần lƣợt là: 1.5 : 1 (dƣ cation)
1 : 1
1 : 1.5 (dƣ anion)
(a) (b)
Hình 4.3 (a) và (b) Dung dịch chấm lượng tử CdSe khi thay đổi tỉ lệ Cd : Se
(b)
Hình 4.4 (a) Phổ hấp thụ UV-Vis và (b) phổ phát quang của các mẫu chấm lượng tử CdSe khi thay đổi tỉ lệ Cd : Se
Khi lƣợng anion nhiều hơn cation trong thành phần chấm lƣợng tử (Cd : Se < 1), hình (a), đỉnh phổ hấp thụ dịch về phía bƣớc sóng dài tƣơng ứng kích thƣớc hạt lớn hơn và đỉnh exciton đầu tiên không thể hiện rõ so với khi lƣợng cation nhiều hơn anion. Kích thƣớc hạt tính theo công thức (4.2) của ba tỉ lệ trên lần lƣợt là 2.59 nm, 2.65 nm, 2.7 nm.
Phổ huỳnh quang có độ rộng tăng lên, điều này có thể đƣợc giải thích khi tỉ lệ Cd : Se < 1, bên cạnh dải huỳnh quang do chuyển dời exciton có thể đã hình thành dải huỳnh quang rộng do tái hợp điện tử - lỗ trống liên quan tới các trạng thái sai hỏng hoặc không hoàn hảo của mạng tinh thể, đây có thể là các nút khuyết cation sinh ra do dƣ anion đã tạo thành các mức acceptor, tham gia vào quá trình tái hợp điện tử-lỗ trống, các trạng thái bẫy lỗ trống này làm tăng tiết diện bắt hạt tải, huỳnh quang exciton giảm, huỳnh quang do tái hợp qua các bẫy lỗ trống tăng [5].