.32 Phổ Raman phóng to của TiO2/CdS/CdSe và TiO2/CdS/CdSe/ZnS

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) tổng hợp nano bán dẫn cdse và nghiên cứu các thông số ảnh hưởng lên hiệu suất của pin mặt trời chấm lượng tử (Trang 76 - 78)

Phổ Raman cho ta thấy cấu trúc anatase của màng TiO 2 chiếm ƣu thế có 4 chế đô ̣ dao đô ̣ng trong vùng s ố sóng từ 100 cm-1 tới 800 cm-1 là: 143, 400, 520, và 640 cm−1 phù hợp với tính chất của keo paste TiO2 18-NRT của hãng Dyesol mà chúng tôi sử dụng. Với các dao động ở 300 cm-1 và 596 cm-1 trên phổ Raman TiO2/CdS/CdSe là của CdS với kích thƣớc nano.

Dựa vào phổ Raman ta thấy các mode dao động phonon quang dọc LO (208 cm-1) và 2LO (420 cm-1) đặc trƣng cho dao động của tinh thể CdSe. Vật liệu CdSe khối có đỉnh LO tại số sóng 210 cm-1, có sự dịch chuyển về số sóng thấp (208 cm-1) là do sự giam hãm không gian của các phonon trong các chấm lƣợng tử [26]. Ngoài ra còn có dao động tại 601 cm-1 nhƣng nó đã bị dao động của TiO2 pha anatase chồng lấp.

Theo kết quả nghiên cứu của C.S. Pathak và S. Saravana Kumar [11, 24], đỉnh Raman của ZnS là ở số sóng 259 cm-1 và 350 cm-1, so sánh với kết quả thực nghiệm của nhóm chúng tôi thấy sự không trùng khớp, tuy nhiên theo nghiên cứu của M. Abdulkbadar [17], từng loại vật liệu và kích thƣớc khác nhau thì chế độ chụp Raman cũng sẽ phải khác nhau, cụ thể là nền chụp (môi trƣờng bao quanh hạt nano) và bƣớc sóng laser kích thích. Máy đo Raman Olympus Bx41 của Horiba Jobin Yvon sử dụng bƣớc sóng laser kích thích là 632,81 nm cho chúng tôi vị trí dao động ở 217 cm-1 và 470 cm-1 phù hợp với kết quả của M. Abdulkbadar [17], nên chúng tôi kết luận có thể ZnS đã hình thành.

4.4.4. Cấu trúc màng anode TiO2/CdS/CdSe/ZnS

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) tổng hợp nano bán dẫn cdse và nghiên cứu các thông số ảnh hưởng lên hiệu suất của pin mặt trời chấm lượng tử (Trang 76 - 78)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(86 trang)