Phổ phát quang với các đỉnh phát quang dịch về phía bƣớc sóng dài, hình 4.7, cho thấy kích thƣớc chấm lƣợng tử CdSe tăng lên khi tăng thời gian phản ứng. Từ vị trí đỉnh phát quang thay đổi theo thời gian phản ứng, ta có thể thấy chấm lƣợng tử phát
phản ứng giảm đi và đạt giá trị bão hòa khi tiếp tục tăng thời gian phản ứng đến một giá trị nào đó. Điều này đƣợc lí giải nhƣ sau: ở những khoảng thời gian đầu, nồng độ các monomer CdSe trong dung dịch còn cao, các chấm lƣợng tử có điều kiện để phát triển nhanh. Khi thời gian phản ứng càng tăng, nồng độ monomer CdSe trong dung dịch giảm đi, nguồn cung cấp nguyên liệu để chấm lƣợng tử phát triển giảm nên tốc độ lớn của chấm lƣợng tử cũng giảm đi và nó có thể sẽ đạt đến một kích thƣớc ổn định.
Hình 4.8 Đồ thị biễu diễn sự tương quan giữa thời gian phản ứng và vị trí đỉnh phát quang.
4.2. Khảo sát anode TiO2/CdSe
4.2.1. Thời gian ngâm màng TiO2 trong dung dịch chấm lƣợng tử CdSe
Màng TiO2 đƣợc ngâm trong dung dịch chấm lƣợng tử CdSe với thời gian khảo sát từ 3, 5, 18, 20, 22, 24 và 28 giờ.
Hình 4.9 Phổ hấp thụ UV-Vis của màng TiO2/CdSe ở những thời gian ngâm khác nhau (chưa nung)
Chấm lƣợng tử liên kết lên màng càng nhiều thì lƣợng điện tử khuếch tán từ CdSe sang TiO2 càng nhiều, hiệu suất chuyển đổi năng lƣợng pin càng cao. Từ phân tích phổ UV-Vis, hình 4.9, cho thấy thời gian ngâm rất quan trọng để chấm lƣợng tử CdSe hấp thụ lên màng TiO2. Trong luận văn này, chúng tôi chọn thời gian cho độ hấp thu cao nhất là 24h để chế tạo pin.
4.2.2. Ảnh hƣởng quá trình nung chân không lên mẫu
Chúng tôi khảo sát lại quy trình ngâm TiO2/CdSe, nồng độ CdSe 10-4M, với nhiệt độ thay đổi từ 150OC, 200OC và 250OC trong môi trƣờng chân không.