4.2. Khảo sát anode TiO2/CdSe
4.2.4. Hiệu suất pin TiO2/CdSe QDs
Những đặc trƣng của pin đƣợc đo bằng thiết bị đo I – V, Keithley 2400, cƣờng độ chiếu sáng 1000 w/m2.
Bảng 4.1 Thông số của pin mặt trời TiO2/CdSe.
Tên điện cực FF JSC(mA/cm2) VOC (V) η (%)
TiO2/CdSe (150oC) 0.383 0.366 0.170 0.024
TiO2/CdSe (200oC) 0.359 0.325 0.163 0.019
TiO2/CdSe (250oC) 0.291 0.160 0.122 0.006
Từ kết quả đo hiệu suất cho thấy pin TiO2/CdSe cho hiệu suất không cao và giảm dần khi nung ở nhiệt độ cao. Hiệu suất cao nhất của pin đạt 0.024% tại nhiệt độ 150oC, điều này trái ngƣợc với giả thuyết đã đề ra nên chúng tôi kết luận khi nhiệt độ tăng lƣợng CdSe đã bị biến tính nhiều hơn trong quá trình thiêu kết. Ngoài ra, hiệu suất của pin thấp còn có thể do khả năng hấp thụ ánh sáng kém. Bởi vì quá trình hấp phụ trực tiếp của CdSe trên đế TiO2 không cao, màu sắc màng TiO2/CdSe sau khi ngâm (chƣa nung) nhạt, nên cƣờng độ hấp thụ ánh sáng thể hiện qua phổ UV của màng thấp. Khi so sánh phƣơng pháp ngâm với phƣơng pháp thực nghiệm của Yuh- Lang Lee và cộng sự chúng tôi nhận thấy có sự tƣơng đồng, tuy quy trình thực nghiệm có khác nhau nhƣng kết quả việc lắng đọng CdSe trên màng TiO2 đều cho kết quả không cao, nên chúng tôi rút ra nhận xét rằng CdSe khó hấp phụ trực tiếp trên màng TiO2 bằng phƣơng pháp ngâm, nhận xét này cũng đồng thời đúng với kết luận của Jianjun Tian và cộng sự đã đƣa ra trong bài báo của mình. Nhƣ vậy, cần có phƣơng pháp nhằm cải thiện khả năng hấp phụ của CdSe lên TiO2 để tăng hiệu suất pin. Trong nội dung nghiên cứu này, chúng tôi đã sử dụng CdS đóng vai trò trung gian trong việc gắn kết CdSe và TiO2, hình thành cấu trúc đồng nhạy quang CdS/CdSe nhằm mở rộng vùng hấp thụ ánh sáng mặt trời, cải thiện hiệu suất pin.