So sánh phổ hấp thụ của CLB, DCL và tổ hợp DCL-NED (Hình 3.14) nhận thấy, CLB có cực đại hấp thụ tại bước sóng 291 nm. Sau khi biến tính CLB bằng phản ứng diazo, hợp chất DCL có thêm một đỉnh hấp thụ tại bước sóng 345 nm và phân tử DCL-NED có phổ hấp thụ từ 400-550 nm, cực đại hấp thụ tại 464 nm đóng vai trò là chất nhận. kết hợp với các kết quả khảo sát tính chất quang của các Qds đã khảo sát có thể nhận thấy rằng, với khoảng hấp thụ của NED-DCL từ 400-550 nm, sẽ cho một phần trùng chập với phổ phát xạ của các Qds đây là điều kiện quan trọng xảy ra hiệu ứng FRET.
Như vậy bằng cách tiến hành phản ứng diazo hóa CLB sử dụng NaNO2, pH = 3,
phản ứng tiến hành trong điều kiện nhiệt độ thấp, rồi sau đó sử dụng NaOH điều chỉnh pH = 4 rồi tiến hành cộng hợp với lượng dư NED, tôi đã tạo thành công tổ hợp chất nhận với bước sóng hấp thụ cực đại tại 464 nm. Đây là bước quang trọng trong việc chế tạo sensor từ các Qds sử dụng hiệu ứng FRET xác định CLB.
3.2.3 Đánh giá khả năng liên kết của NED với Qds
Một trong những điều kiện quan trọng của việc ứng dụng hiệu ứng FRET trong phép phân tích quang học là khả năng tạo cầu nối giữa chất cho và tổ hợp chất nhận, đảm bảo duy trì khoảng cách giữa chúng từ 1-10 nm. Trong nghiên cứu này
72
NED một mặt có khả năng liên kết tĩnh điện với các Qds mặt khác có khả năng tạo liên kết chìa khóa với CLB đã được diazo hóa. Tôi đã tiến hành khảo sát khả năng tạo liên kết của NED với Qds bằng cách ủ dung dịch sensor Qds với NED, rồi sau đo tiến hành đo phổ phát xạ của sensor sau khi ủ. Nếu cường độ phát xạ cực đại không thay đổi điều đó cho thấy kích thước của Qds hay nói một cách khác không gian giam giữ lượng tử không tăng, chứng tỏ NED không tạo liên kết với sensor Qds. Nếu phổ phát xạ của sensor đã được ủ với NED có sự dịch chuyển cực đại hấp thụ về phía sóng dài, chứng tỏ NED đã tạo liên kết với sensor Qds. Phổ hấp thụ cũng như cực đại hấp thụ của dung dịch sensor dịch chuyển về phía sóng dài là do, khi NED liên kết với Qds làm bán kính giam giữ năng lượng lượng tử hóa tăng lên, điều này có nghĩa là năng lượng bị giảm đi trước khi phát xạ, do năng lượng giảm dẫn đến bước sóng phát xạ tăng lên.
3.2.3.1 Đánh giá khả năng tạo liên kết của NED với Qds CdTe
Sensor được chế tạo từ Qds CdTe sau khi liên kết với NED được xác cấu trúc hình thái học như hình 3.15.
Hình 3.15. Ảnh TEM của Qds CdTe (trái); CdTe-NED (phải)
Từ ảnh TEM (Hình 3.15) có thể nhận thấy sự tăng kích thước của sensor sau khi được biến tính bằng NED. Chứng tỏ sự hình thành liên kết giữa phân tử NED và Qds. Các liên kết này đảm bảo cho khoảng cách giữa chất cho và nhận huỳnh quang ở mức độ nhỏ nhất có thể để xảy ra hiệu ứng FRET trong sensor.
Phổ phát xạ của Sensor được chế tạo từ Qds CdTe trước khi thêm NED và sau khi được biến tính bởi NED như hình 3.16.
73