Phân loại bộ hàm cơ sở

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu khả năng hấp thụ một số phân tử hữu cơ chứa vòng benzen lên bề mặt vật liệu tio2 (Trang 27 - 28)

7. Cấu trúc luận văn

1.6.3. Phân loại bộ hàm cơ sở

* Bộ cơ sở kiểu Pople:

- Bộ cơ sở STO−nG: tổ hợp n GTO thành STO, với n = 26. Thực tế n > 3, kết quả rất ít thay đổi so với n = 3, do đó bộ hàm STO−3G được sử dụng rộng rãi nhất và cũng là bộ cơ sở cực tiểu.

- Bộ cơ sở k−nlmG: với k là số hàm GTO dùng làm orbital lõi, bộ số nlm vừa chỉ số hàm orbital vỏ hóa trị được phân chia thành và vừa chỉ số hàm

GTO sử dụng tổ hợp. Mỗi bộ hàm có thể thêm hàm khuyếch tán, phân cực hoặc cả hai. Hàm khuyếch tán thường là hàm s− và hàm p− đặt trước chữ G, kí hiệu bằng dấu “+” hoặc “++”; dấu “+” thứ nhất thể hiện việc thêm 1 bộ hàm khuyếch tán s và p trên các nguyên tử nặng, dấu “+” thứ hai chỉ ra việc thêm hàm khuyếch tán cho nguyên tử H. Hàm phân cực được chỉ ra sau chữ G, kí hiệu bằng chữ thường (hoặc dấu * và **).

Ví dụ: 6−31G là bộ cơ sở hoá trị tách đôi. Trong đó các orbital lõi được tổ hợp từ 6 hàm Gauss ban đầu và 4 hàm Gauss ban đầu tổ hợp lại để có 2 bộ hàm Gauss cho phần vỏ hoá trị.

* Bộ cơ sở phù hợp tương quan (correlation consistent basis set):

Dunning và cộng sự đã đề nghị một bộ cơ sở GTO nhỏ hơn mà kết quả đạt được đáng tin cậy. Bộ cơ sở này gọi là phù hợp tương quan (cc: correlation consistent), gồm các loại bộ cơ sở sau: cc−pVDZ, cc−pVTZ, cc−PVQZ, cc−pV5Z và cc−pV6Z (correlation consistent polarized Valence Double/Triple/Quadruple/ Quintuple/Sextuple Zeta). Nhìn chung, các bộ cơ sở trên được hình thành nhờ vào việc thêm các hàm phân cực nhằm tăng không gian để mô tả tốt hơn vị trí phân bố của electron. Những bộ cơ sở cc sau đó được bổ sung những hàm khuyếch tán và chúng được ký hiệu aug−cc−pVTZ, aug−cc-pVQZ, aug−cc−pV5Z. Những bộ cơ sở này cho kết quả tính toán rất tốt và tất nhiên mô tả tốt đối với những hệ tương tác yếu, không cộng hoá trị nhưng tốn thời gian hơn nhiều so với các bộ hàm Pople.

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu khả năng hấp thụ một số phân tử hữu cơ chứa vòng benzen lên bề mặt vật liệu tio2 (Trang 27 - 28)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(93 trang)