Trong phương pháp AdSV thường sử dụng hai kỹ thuật đo là DP và SW. Song, theo Misiego A. S. và cộng sự [99] cho rằng kỹ thuật SW có Ip cao hơn từ 2,5
đến 5,5 lần và độ lặp lại tốt hơn. Nhưng để khẳng định thêm, cần tiến hành so sánh hai kỹ thuật DP và SW trong phương pháp AdSV khi sử dụng điện cực BiFE dùng phối tử tạo phức với Cd là 2-MBT qua các đại lượng độ lặp lại và độ nhạy.
3.2.2.1. Độ lặp lại
Tiến hành hai thí nghiệm với hai kỹ thuật DP và SW. Trong mỗi thí nghiệm thực hiện 6 phép đo lặp lại ở 3 nồng độ của Cd(II) khác nhau. Kết quả được trình bày ở Bảng 3.5 cho thấy:
Thếđỉnh hòa tan của hai phương pháp thay đổi không đáng kể.
Kết quả của hai phương pháp đều đạt được độ lặp lại tốt, với RSD dao động từ
1,2% đến 3,4%. Song, phương pháp SW-AdSV có độ lặp lại tốt hơn (RSDTB = 1,4%) so với phương pháp DP-AdSV (RSDTB = 2,6%).
Giá trị Ip hòa tan của Cd đối với phương pháp SW-AdSV cao hơn từ 8,0 đến
11,0 lần so với phương pháp DP-AdSV ở ba giá trị nồng độ của Cd được tiến hành
60
Bảng 3.5. Kết quả xác định Ip và độ lặp lại của Ip sử dụng điện cực BiFE trong
phương pháp DP-AdSV và SW-AdSV.
Thông số CCd(II) = 10 ppb CCd(II) = 15 ppb CCd(II) = 20 ppb
DP-AdSV SW-AdSV DP-AdSV SW-AdSV DP-AdSV SW-AdSV
Ip,TB (µA), n = 6 0,687 8,528 1,130 12,42 1,547 15,66
RSD (%) 3,4 1,7 2,7 1,2 1,8 1,4
ĐKTN: CTris = 20 mM (pH = 6,7); C2-MBT = 50 µM và CBi(III) = 400 ppb. Các ĐKTN của kỹ thuật SW như ở Hình 3.7. Các ĐKTN của kỹ thuật DP: EDep = –1200 mV; tDep = 60 s; EAd = –500 mV; tAd = 10 s; ω = 1600 rpm; ∆E = 50 mV; tpulse = 40 ms; tstep = 0,1 s; Ustep = 6 mV (v = 60 mV/s); Erange = –500 ÷ –1200 mV; đuổi DO trong 5 phút bằng N2 (99,99%).
3.2.2.2. Độ nhạy
Tương tự như đối với việc so sánh để lựa chọn được loại điện cực thích hợp,
các thí nghiệm xác định độ nhạy của hai kỹ thuật dùng trong phương pháp AdSV
nhằm khẳng định thêm tính ưu việt của kỹ thuật đo được thực hiện đối với mẫu chuẩn phòng thí nghiệm. Kết quả thu được ở Hình 3.9.
Hình 3.9. Cácđường von-ampe hòa tan của Cd sau 4 lần thêm chuẩn.
A) phương pháp DP-AdSV; B) phương pháp SW-AdSV.
ĐKTN: Đối với kỹ thuật SW như ở Hình 3.7 và đối với kỹ thuật DP: CTris = 20 mM (pH = 6,7); C2-MBT = 50 µM và CBi(III) = 400 ppb và các ĐKTN của kỹ thuật DP: như ở Bảng 3.5.
Mỗi lần thêm chuẩn 2 ppb Cd(II).
Từ kết quả ở Hình 3.9, thiết lập phương trình hồi quy tuyến tính biểu diễn sự
phụ thuộc của Ip (µA) vào nồng độ của Cd (ppb) và tính toán giới hạn phát hiện
(LOD) theo quy tắc 3 σ lần lượt là:
DP-AdSV: Ip = (-0,022±0,011) + (0,059±0,002) CCd(II); r= 0,9988; LOD = 0,54 ppb. SW-AdSV: Ip = (-0,731±0,113) + (0,998±0,017) CCd(II); r= 0,9996; LOD = 0,33 ppb.
2,0 ppb 4,0 ppb 6,0 ppb 8,0 ppb 10 ppb 2,0 ppb 10 ppb 8,0 ppb 6,0 ppb 4,0 ppb A) -0.5 -0.7 -0.9 -1.1 U/V 0 1 I/µA B) -0.5 -0.7 -0.9 -1.1 U/V 4 8 12 I/µA 10 6
61 (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});
Từ các kết quả tính toán cho thấy độ nhạy của phương pháp SW-AdSV lớn hơn gấp khoảng 17 lần. Mặt khác, qua nhiều kết quả thí nghiệm khi sử dụng phương pháp SW-AdSV thu được độ nhạy dao động trong khoảng từ 1000 đến
2000 nA/ppb. Trong khi đó, phương pháp DP-AdSV chỉ đạt được độ nhạy khoảng
từ 60 đến 200 nA/ppb. Tuy vậy, khi tính toán LOD thì phương pháp SW-AdSV chỉ
thấp hơn 1,6 lần. Điều này có thể giải thích là giá trị LOD là một đại lượng thống kê và do vậy, nó cũng mắc phải một sai số. Một lý do khác nữa là việc tính toán LOD theo quy tắc 3 σ dựa vào đường hồi quy tuyến tính còn phụ thuộc vào sai số của
đường hồi quy, tức là độ sai lệch giữa giá trị thực nghiệm và giá trị lý thuyết.
Qua các kết quả nghiên cứu cho thấy phương pháp SW-AdSV sử dụng điện cực BiFE có ưu điểm và thuận lợi khi xác định Cd dùng phối tử tạo phức 2-MBT. Song, để lựa chọn được các điều kiện thích hợp, tiến hành khảo sát các yếu tố ảnh hưởng đến tín hiệu hòa tan bằng phương pháp đơn biến. Tiêu chí để đánh giá và lựa
chọn các điều kiện thích hợp thông qua độ lớn của Ip, độ lặp lại của Ip và độ nhạy
của phương pháp thu được từ mỗi thí nghiệm.