2) B ộ Biến Đổ i A/D Kiểu Xấp X ỉ Liín Tiếp
2.1ROM ( read only memory):
bộ nhớ chỉ đọc. dữ liệu được ghi 1 lần văo ROM trong quâ trình sản xuất ROM, dữ liệu năy khơng bị thay đổi hoặc rất ít ngay cả khi ROM mất điện. tuy nhiín cĩ những loại ROM cĩ thể ghi xĩa vă nạp lại được.
Cấu trúc bín trong của ROM:
2.1.1 PROM (programable ROM)
‐PROM cĩ đặc điểm lă người dùng cĩ thể lập trình được 1lần! dữ liệu sau đĩ khơng bị thay đổi hoặc xĩa đi.
cấu trúc của PROM lă câc bjt cĩ mối nối cực gốc lă 1 cầu chì. Việc phâ vỡ hay giữ nguyín mối nối tương ứng dữ liệu lưu trữ lă 0 hay 1. mối nối được fâ vỡ bằng câch cho 1 dịng điện nhất định chạy qua, điều năy được thực hiện bằng những card lập trình chuyín nghiệp.
2.1.2 EPROM (Erable PROM) lă PROM cĩ thể xĩa vă nạp lại.
cấu trúc của EPROM bao gồm câc ơ nhớ lă câc transistor mosfet cĩ miền cổng bỏ hở. bình thường mosfet khĩa, dữ liệu lưu trữ lă 1, bằng câch đặt 1 xung điện âp cao (10‐ 25V) văo miền cổng, mosfet sẽ dẫn tương ứng dữ liệu lưu trữ lă 0. do câc electron khơng cĩ đường xả nín mosfet sẽ dẫn dù mất xung mở.
Bằng câch chiếu tia cực tím văo cửa sổ của EPROM để tạo đường xả cho câc electron do đĩ khơi fục trạng thâi khĩa của mosfet. Tương ứng dữ liệu trong ROM sẽ bị xĩa sạch!! Quâ trình xĩa dữ liệu bằng câch năy mất khoảng 15 ‐30 fút.
2.1.3 EEPROM (Electricity EPROM) lă ROM cĩ thể xĩa vă nạp lại bằng điện.
cấu trúc tương tự EPROM, tuy nhiín miền cổng của mosfet được fủ 1 lớp câch điện mỏng, nhờ vậy cĩ thể xĩa dữ liệu bằng câch đặt 1điện âp ngược văo miền cổng.