7. Bố cục của luận án
2.3. Kết luận chươn g2
Chương 2 tập trung trình bày về các phương pháp chế tạo mẫu trên các thiết bị thuộc Viện tiên tiến Khoa học và Công nghệ và Viện ITIMS, Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội. Ngoài ra, một số phương pháp khảo sát thành phần, cấu trúc, pha và tính chất quang của vật liệu với các thiết bị đo tương ứng như SEM, TEM, XRD, EDS, PL cũng được trình bày một cách sơ lược. Theo đó, tính chất quang của các mẫu vật liệu chế tạo được nghiên cứu nhờ phổ huỳnh quang và phổ kích thích huỳnh quang. Thành phần và cấu trúc của vật liệu thu được nhờ phân tích kết quả của các phép đo phổ tán sắc năng lượng tia X, giản đồ nhiễu xạ tia X và phổ Raman. Hình thái của các cấu trúc chế tạo được có thể quan sát thông qua ảnh chụp từ kính hiển vi điện tử quét phát xạ trường và kính hiển vi điện tử truyền qua phân giải cao. Các phép đo phân tích hiện đại, cho các kết quả nghiên cứu sâu với độ tin cậy cao.
56
CHƯƠNG 3. NGHIÊN CỨU NANO TINH THỂ Si CHẾ TẠO BẰNG PHƯƠNG PHÁP BỐC BAY NHIỆT
Như đã trình bày trong phần tổng quan, dây nano Si-NWs chế tạo bằng phương pháp bốc bay nhiệt VLS có đặc trưng hình thái, tính chất phụ thuộc vào điều kiện công nghệ chế tạo. Một số thông số liên quan đến điều kiện công nghệ của phương pháp này VLS có thể kể đến: vật liệu nguồn, nhiệt độ bốc bay, thời gian bốc bay nhiệt, vị trí tương đối giữa phiến Si (bề mặt lắng đọng) với vị trí vật liệu nguồn. Ngoài ra, phương pháp VLS còn chịu ảnh hưởng của các yếu tố khí quyển của lò, hình thái, loại xúc tác của kim loại xúc tác trên bề mặt phiến Si. Trong chương này, luận án đề cập chi tiết các nội dung liên quan tới: quá trình chế tạo Si-NWs bằng phương pháp bốc bay nhiệt; hình thái, cấu trúc tinh thể và phổ phát quang PL của dây Si-NWs; đồng thời sẽ thảo luận một số hạn chế công nghệ phương pháp chế tạo cũng như các nguyên nhân hạn chế sự hình thành các cấu trúc nano trong mẫu chế tạo được.
Kết quả nghiên cứu chế tạo Si-NWs sẽ được trình bày ở ba nội dung, tương ứng liên quan tới sự phụ thuộc hình thái cấu trúc của Si-NWs vào độ dày lớp Au; thời gian bốc bay và tốc độ lưu lượng khí mang Ar.