Phương pháp bốc bay chân không bằng chùm điện tử rất hữu ích trong việc tạo màng mỏng các kim loại có điểm nóng chảy cao, chùm điện tử với động năng cao đã tương tác với vật liệu đích đã đốt nóng và làm bay hơi kim loại. Nguồn điện áp
47
DC là 100 kV tăng tốc chúng về vật liệu đích làm cho nhiệt độ mà các vật liệu đích có thể tăng lên khoảng 3000 oC. Động năng của các điện tử được chuyển đổi thành năng lượng nhiệt làm nóng bề mặt nguồn, khi nhiệt độ đủ cao hơi sẽ tạo ra và phủ trên bề mặt chất nền. Sự bốc bay bằng chùm điện tử là phức tạp hơn so với bay hơi nhiệt nhưng đây là một phương pháp linh hoạt đối với hầu hết các vật liệu và rất ít bị ô nhiễm mẫu. Sự bay hơi nhiệt là đơn giản và thường được sử dụng, nhưng chất bay hơi sử dụng với phương pháp này là hạn chế và có sự ô nhiễm cao.
Các hạt nano oxit NiO được lắng đọng trên bề mặt dây nano SnO2 nhờ phương pháp bốc bay chân không bằng chùm điện tử trong các thời gian khác nhau để tạo mật độ hạt nano oxit NiO có độ dày ước tính 3 nm, 5 nm và 10 nm với mục đích nghiên cứu ảnh hưởng của độ dày lớp biến tính NiO đến tính nhạy khí H2S của cảm biến dựa trên cơ sở cấu trúc dị thể SnO2/NiO. Các mẫu chế tạo xong được ủ trong không khí tại nhiệt độ 600 oC trong 3 giờ với tốc độ tăng nhiệt là 5 oC/phút để tạo lớp hạt nano oxit NiO và ổn định cảm biến. Oxit NiO là một oxit bán dẫn loại p. Do vậy trong cảm biến chế tạo được hình thành một lớp chuyển tiếp dị thể khác loại hạt tải
n-SnO2/p-NiO.
48