Trong quá trình biến tính dây nano nhờ phương pháp bốc bay chân không bằng chùm điện tử, các hạt nano Ag được phân bố bất đẳng hướng ở một phía của dây nano nhưng không đồng nhất [80]. Vì vậy trong nghiên cứu này chúng tôi đã sử dụng phương pháp hóa ướt để biến tính bề mặt dây nano SnO2 bởi các hạt nano Ag2O nhằm đảm bảo rằng các hạt nano biến tính được phân bố đồng nhất trên bề mặt của dây nano. Dây nano cấu trúc dị thể khác loại hạt tải n-SnO2/p-Ag2O cũng được chế tạo qua hai bước. Đầu tiên chế tạo dây nano SnO2 bằng phương pháp CVD, tiếp theo dây nano SnO2 đã chế tạo được nhúng phủ trong dung dịch muối AgNO3, phương pháp này là một phương pháp đơn giản và có ưu điểm so với phương pháp phún xạ là không yêu cầu điều kiện chân không và các hạt nano biến tính phân bố đồng nhất trên toàn bộ bề mặt của dây nano lõi. Mật độ hạt nano Ag2O biến tính trên bề mặt dây nano SnO2 được thay đổi bằng cách thay đổi nồng độ dung dịch muối AgNO3 và thời gian nhúng phủ (số lần nhúng phủ). Các bước tiến hành như sau:
- Chuẩn bị dung dịch muối AgNO3 với các nồng độ 0,05 mM; 0,2 mM và 1 mM. - Nhúng phủ dây nano SnO2 trong dung dịch muối AgNO3 nồng độ khác nhau và thời gian nhúng khác nhau. Các mẫu chế tạo được ký hiệu là S0, S1, S2, S3, S4, S5. (Bảng 2.1).
Bảng 2.1. Các cảm biến Si (i= 1, 2 … 5) biến tính bằng dung dịch muối AgNO3 ở
nồng độ và số lần nhúng khác nhau. Mẫu cảm biến Nồng độ AgNO3 (mM) Số lần nhúng (lần) S0 0 0 S1 0,05 1 S2 0,2 1 S3 1 1 S4 1 5 S5 1 20
49
không khí để làm tăng khả năng và sự ổn định tiếp xúc giữa hạt nano Ag2O và dây nano SnO2.
Oxit Ag2O là một oxit bán dẫn loại p. Do vậy trong cảm biến chế tạo được hình thành một lớp chuyển tiếp dị thể khác loại hạt tải n - p tại bề mặt tiếp xúc giữa hai loại oxit là Ag2O và SnO2.