Phộp đo nhiễu xạ tia X
Cấu trỳc tinh thể và thành phần pha của dõy nano Si đƣợc khảo sỏt bằng phộp đo nhiễu xạ tia X trờn hệ Siemens D5000 sử dụng bức xạ CuKα = 1,54056 Å tại Khoa Húa, Trƣờng Đại học Khoa học Tự nhiờn, Đại học Quốc gia Hà Nội.
Cỏc phộp đo hiển vi điện tử
Hỡnh thỏi bề mặt, đƣờng kớnh và chiều dài của dõy nano Si đƣợc xỏc định bằng phộp đo hiển vi điện tử quột (FESEM) trờn hệ FE-SEM S-4800 Hitachi tại Viện Khoa học Vật liệu, Viện Hàn lõm Khoa học và Cụng nghệ Việt Nam và tại Viện Vệ sinh Dịch tễ Trung Ƣơng. Đƣờng kớnh và cấu trỳc lừi-vỏ của dõy nano Si, độ dày lớp nano Si, độ dày lớp vỏ SiO2 của dõy nano Si đƣợc xỏc định bằng phộp đo hiển vi điện tử truyền qua (TEM) trờn hệ TEM, JEM 1010 JEOL tại Viện Vệ sinh Dịch tễ Trung Ƣơng.
Phộp đo phổ Raman
Cỏc dao động đặc trƣng và kớch thƣớc của lớp nano Si trong dõy nano Si đƣợc nghiờn cứu bằng phộp đo phổ Raman trờn hệ Micro Raman Labram 1-B (Jobin-Yvon) với ỏnh sỏng kớch thớch cú bƣớc súng 488 nm phỏt ra từ hệ laser He-Ne tại Viện Khoa học Vật liệu, Viện Hàn lõm Khoa học và Cụng nghệ Việt Nam. Nguồn laser chiếu vào mẫu cú cụng suất thấp hơn 1 W/cm2 để trỏnh hiện tƣợng làm núng mẫu.
Phộp đo phổ huỳnh quang
Cỏc vựng phổ huỳnh quang đặc trƣng của dõy nano Si đƣợc nghiờn cứu bằng phộp đo phổ huỳnh quang ở nhiệt độ phũng và ở nhiệt độ thấp trờn hệ đo huỳnh quang tại Viện Khoa học Vật liệu, Viện Hàn lõm Khoa học và Cụng nghệ Việt Nam sử dụng laser Helium–Cadmium làm nguồn ỏnh sỏng kớch thớch. Chựm laser đƣợc chiếu qua kớnh thạch anh để hỡnh thành điểm sỏng với đƣờng kớnh khoảng 100 àm trờn mẫu. Mật độ kớch thớch của laser đƣợc giữ thấp hơn 1 W/cm2 để trỏnh hiện tƣợng làm núng mẫu. Một hệ thống bơm làm lạnh sử dụng khớ Helium đƣợc dựng để đo phổ huỳnh quang ở nhiệt độ từ 10 đến 300 K.
66