/ mN Nd sin si n
c) Photodiot nhanh
4.5.4 Thiết bị ghép điện tích (CCDs)
Mảng photodiot bây giờ được gia tăng thay thế bởi thiết bị ghép điện tích (CCD), mà bao gồm một mảng các tiếp giáp MOS nhỏ trên đế silicon pha tạp (hình 4.101) [4.121–4.124]. Photon tới tạo các điện tử và lỗ trống trong silicon loại n hoặc p. Các điện tử hoặc lỗ trống được thu thập và thay đổi điện tích của điện dung MOS. Những thay đổi này cyar điện tích có thể thay đổi điện dung MOS kế tiếp áp dụng một dãy các bước điện áp phù hợp theo hình 4.101b. Các điện tích được thay đổi từ một điot tới điot tiếp đến khi chúng đạt được điot của một hàng, ở đây chúng gây ra một thay đổi điện áp ΔU, mà được gửi tới một băng video.
Hình 4.101a-c. Nguyên tắc của mảng CCD: (a) lần lượt, điện áp dương (nét liền) và âm
photon để được thay đổi ở điot kế tiếp. Sự thay đổi này xảy ra với tần số xung của điện áp áp dụng. (c) Độ nhạy phổ của điot CCD
Hình 4.102. Sự phụ thuộc phổ cyar hiệu suất lượng tử η(λ) chiếu phía trước (a) và chiếu ngược mảng CCD với lớp bọc nhìn thấy-AR (b) và lớp bọc UV-AR
Hiệu suất lượng tử η của mảng CCD phụ thuộc vào vật liệu sử dụng cho đế, nó dạtđỉnh giá trị ở 90%. Hiệu suất η(λ) là lớn hơn 20% trên vùng phổ được bao bởi vùng 350-900nm. Sử dụng cửa sổ thạch anh nóng chảy, thậm chí UV và IR từ 200-1000nm có thể được bao phủ (hình 4.101c), và hiệu suất của photocatot tốt nhất là vượt quá (mục 4.5.5). Vùng phổ của vùng CCDs đặc biệt từ 0,1-1000nm. Do đó chúng có thể được sử dụng trong VUV và vùng tia X. Độ nhạy cao lên tới hiệu suất 90% là đạt được với thiết bị