SỬ DỤNG TRONG LUẬN ÁN 2.1. Phương pháp chế tạo mẫu
Phương pháp chế tạo vật liệu cĩ thể chia thành hai hướng: phương pháp vật lý, sử dụng các thiết bị bốc bay bằng chùm điện tử (e-beam evaporation), bằng laser cơng suất cao (laser ablation), bằng lắng đọng pha hơi các hợp chất cơ kim (MOCVD) hay bốc bay chùm phân tử (MBE) và phương pháp hĩa học, sử dụng các phản ứng của tiền chất, phức của tiền chất trong các bình/hệ thống phản ứng hay phương pháp ăn mịn điện hố. Các phương pháp vật lý thường yêu cầu thiết bị phức tạp, cần cĩ sự đầu tư lớn, khơng phù hợp với hồn cảnh thực tế của một nước đang phát triển. Trong khi đĩ, các phương pháp hố học với đầu tư trang thiết bị khơng lớn, dễ triển khai, cĩ thể cho sản phẩm với giá thành hạ, thích hợp trong điều kiện nghiên cứu khoa học và phát triển cơng nghệ ở Việt Nam. Hơn nữa, tổng hợp hố học cho phép thực hiện được ở mức độ phân tử để chế tạo vật liệu bán dẫn, phổ biến nhất là chế tạo các nano tinh thể huyền phù (colloidal). Việc khống chế hình dạng, kích thước hạt và sự phân bố kích thước cĩ thể được thực hiện ngay trong quá trình chế tạo. Do đĩ, chúng tơi lựa chọn phương pháp hố học để chế tạo hai loại vật liệu bán dẫn sử dụng trong luận án: (i) các chấm lượng tử InP, InP/ZnS; (ii) GaP xốp. Các chấm lượng tử InP, InP/ZnS được chế tạo bằng phương pháp phun nĩng sử dụng dung mơi hữu cơ cĩ nhiệt độ sơi cao. Vật liệu GaP kích thước nano mét và micrơ mét dạng xốp được chế tạo bằng phương pháp ăn mịn điện hố phiến GaP trong các dung dịch điện hố khác nhau.