Đăng nhập

Hãy chọn một cách để đăng nhập

Facebook Google Zalo

Hoặc tiếp tục với email

Nhớ mật khẩu

Chưa có tài khoản? Đăng ký

Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon

13 424 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

1 / 13 trang

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang	13
Dung lượng	5,86 MB

Nội dung

Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon

Ngày đăng: 17/11/2012, 11:49

Xem thêm

Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

từ đó tạo ra các hình lục giác. - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon — t ừ đó tạo ra các hình lục giác (Trang 2)

Mô hình CNTFET đồng trục được trình - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon — h ình CNTFET đồng trục được trình (Trang 3)

2.2. Mô hình CNTFET đồng trục @) - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon — 2.2. Mô hình CNTFET đồng trục @) (Trang 3)

xét CNTFET loại này (bảng 2). Bảng 2. Độ cao rào thế Schottky giữa vật liệu (Au, Pd, P0 và CNT [4] - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon — x ét CNTFET loại này (bảng 2). Bảng 2. Độ cao rào thế Schottky giữa vật liệu (Au, Pd, P0 và CNT [4] (Trang 4)

Hình 3. Mô hình NEGF cho Transistor - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon — Hình 3. Mô hình NEGF cho Transistor (Trang 4)

Mô hình thuật toán được trình bày trong - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon — h ình thuật toán được trình bày trong (Trang 5)

Hình 5 trình bày ảnh hưởng của vật liệu - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon — Hình 5 trình bày ảnh hưởng của vật liệu (Trang 6)

Từ hình 5, rõ ràng rằng dòng lạ của nguyên - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon — h ình 5, rõ ràng rằng dòng lạ của nguyên (Trang 7)

Hình 6. Đặc trưng lạ-V„ với vật liệu công oxit thay đổi AlsO;(K = S5); ZOs(K = 25); TiSrO;(K =175) - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon — Hình 6. Đặc trưng lạ-V„ với vật liệu công oxit thay đổi AlsO;(K = S5); ZOs(K = 25); TiSrO;(K =175) (Trang 8)

Hình 7. Đặc trưng lạ-V„ với nguồn - máng là Au, cổng Oxit Zr0:(K = 25), độ dày công oxit thay đổi lần lượt là t„„= 2 nm, t„„= 8 nm và tạ„= 20 nm - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon — Hình 7. Đặc trưng lạ-V„ với nguồn - máng là Au, cổng Oxit Zr0:(K = 25), độ dày công oxit thay đổi lần lượt là t„„= 2 nm, t„„= 8 nm và tạ„= 20 nm (Trang 9)

Hình 8 trình bày sự phụ thuộc của đặc có đường kinh trong khoảng tử 1 nm đến 3 nm trưng dòng thế CNTFET vào loại đường kính dựa trên số liệu thực nghiệm chính là CNT bán CNT - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon — Hình 8 trình bày sự phụ thuộc của đặc có đường kinh trong khoảng tử 1 nm đến 3 nm trưng dòng thế CNTFET vào loại đường kính dựa trên số liệu thực nghiệm chính là CNT bán CNT (Trang 9)

nm đến 3 nm. Kết quả mô phỏng như hình 8, - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon — nm đến 3 nm. Kết quả mô phỏng như hình 8, (Trang 10)

Hình II trình bày sự phụ thuộc của đặc - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon — nh II trình bày sự phụ thuộc của đặc (Trang 11)

Hình 11. Họ đường cong lạ-Vạ với Vụ biến thiên từ 0.1 V-0.8 V' - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon — Hình 11. Họ đường cong lạ-Vạ với Vụ biến thiên từ 0.1 V-0.8 V' (Trang 11)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN