CHẾ tạo MÀNG MỎNG PHUN PHỦ NHIỆT

CHẾ TẠO MÀNG MỎNG BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHUN PHỦ NHIỆT I Cơ sở lý thuyết Phương pháp phun phủ: trình lắng đọng vật liệu đế chuẩn bị trước cách áp vào dịng khí nén có chứa vật liệu phun Phương pháp phun phủ sử dụng vật liệu hầu hết loại đế II Ưu, nhược điểm phương pháp phun phủ Ưu điểm - Phun phủ phương pháp tạo mạng đơn giản, thiết bị có độ xác cao - Hiệu suất tạo màng cao, chất lượng màng tốt - Dễ dàng điều chỉnh tốc độ phun dung dịch, điều chỉnh khoảng cách kim phun đế, tạo màng có độ dày mong muốn - Thiết bị đơn giản, thời gian chế tạo màng ngắn Nhược điểm - Trong trình phun hạt phun bị bắn tung tóe, đồng thời tạo hợp chất có hại cho sức khỏe phải có dụng cụ bảo hộ an toàn - Khi phun chi tiết nhỏ phun hiệu tổn hao vật liệu phun lớn III Dụng cụ thực - Máy nén khí có bình ổn định áp suất - Hệ thống dây phun: kết nối máy nén với súng phun Hình a Máy nén khí - Hình b Súng phun Súng phun phận quan trọng nhất, có nhiệm vụ phân tán dung dịch tới bề mặt vật liệu dịng khí nén có tốc độ cao Súng phun phải điều chỉnh lưu lượng lỏng, áp suất, áp suất khí nén điều chỉnh hướng phun hỗn hợp - Giá đặt mẫu cấu có mặt phẳng mà ta đặt mẫu, tạo thuận lợi cho q trình phun phủ, có hệ thống gia nhiệt dễ dàng vệ sinh sau phun IV.Các bước tiến hành Bước Chuẩn bị đế - Các đế thủy tinh có kích thước 1,0 x 1,0 cm - Làm đế dung môi nước + ethanol - Sấy khô đế Bước Chuẩn bị dung dịch phun phủ - Cân 1,76g ZnAc (0,4M) hòa tan vào 20ml nư ớc cất Sử dụng máy khuấy từ (khoảng 30 phút) chất tan tan hết dung môi Bước Phun phủ - tạo màng mỏng - Các đế thủy tinh đặt bệ gia nhiệt (khoảng 1100C) để bay dung môi Dung dịch phun đặt bình chứa súng phun Chú ý: Khi phun khoảng cách kim phun đế không thay đổi lần phun Kim phun đế ln vng góc với Mỗi lần phun thời gian ngắn (khoảng giây), khoảng cách lần phun khoảng 30 giây - Quá trình phun phủ thực với số lần phun khác để thu màng có độ dày khác - Sau phun phủ xong đế ủ nhiệt độ 5000C  ... dịch phun phủ - Cân 1,76g ZnAc (0,4M) hòa tan vào 20ml nư ớc cất Sử dụng máy khuấy từ (khoảng 30 phút) chất tan tan hết dung môi Bước Phun phủ - tạo màng mỏng - Các đế thủy tinh đặt bệ gia nhiệt. .. Dung dịch phun đặt bình chứa súng phun Chú ý: Khi phun khoảng cách kim phun đế không thay đổi lần phun Kim phun đế ln vng góc với Mỗi lần phun thời gian ngắn (khoảng giây), khoảng cách lần phun khoảng... giây), khoảng cách lần phun khoảng 30 giây - Quá trình phun phủ thực với số lần phun khác để thu màng có độ dày khác - Sau phun phủ xong đế ủ nhiệt độ 5000C