Nghiên cứu chế tạo màng mỏng zno nhiệt độ thấp bằng phương pháp phủ quay

TRƢỜNG ĐẠI HỌC SƢ PHẠM HÀ NỘI KHOA HÓA HỌC  ĐINH THỊ CHÂM NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO MÀNG MỎNG ZnO NHIỆT ĐỘ THẤP BẰNG PHƢƠNG PHÁP PHỦ QUAY KHĨA LUẬN TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC Chun ngành: Hóa học Vô Hà Nội, 2018 TRƢỜNG ĐẠI HỌC SƢ PHẠM HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC SƢ PHẠM HÀ NỘI KHOA HÓA HỌC KHOA HÓA HỌC   ĐINH THỊ CHÂM ĐINH THỊ CHÂM NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO MÀNG MỎNG ZnO NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO MÀNG MỎNG ZnO NHIỆT ĐỘ THẤP BẰNG PHƢƠNG PHÁP NHIỆT ĐỘ THẤP BẰNG PHƢƠNG PHÁP PHỦ QUAY PHỦ QUAY KHÓA LUẬN LUẬN TỐT KHÓA TỐT NGHIỆP NGHIỆPĐẠI ĐẠIHỌC HỌC Chun ngành: Hóa Vơ Cơ Chun ngành: Hóa học Vơ Ngƣời hƣớng dẫn khoa học Hà Nội, 2018 Ths HOÀNG QUANG BẮC Hà Nội, 2018 LỜI CẢM ƠN Khoá luận tài trợ Quỹ phát triển Khoa học Công nghệ Quốc gia (NAFOSTED) đề tài mã số 103.99-2016.32 TS Mai Xn Dũng làm chủ nhiệm Để hồn thành khóa luận, nỗ lực học hỏi thân khơng thể thiếu hướng dẫn tận tình thầy cơ, ủng hộ chia sẻ gia đình bạn bè Em xin bày tỏ lòng kính trọng biết ơn sâu sắc tới ThS Hoàng Quang Bắc TS Mai Xuân Dũng người thầy tâm huyết không ngần ngại định hướng, bảo, tạo nhiều điều kiện giúp đỡ, định hướng cho em để em hồn thành khóa luận Em kính chúc thầy gia đình mạnh khoẻ đạt nhiều thành cơng sống Cuối xin cảm ơn gia đình, bạn bè bên cạnh ủng hộ chỗ dựa tinh thần cho em suốt thời gian qua Hà Nội, tháng năm 2018 SINH VIÊN Đinh Thị Châm LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan cơng trình nghiên cứu riêng tơi hướng dẫn ThS Hồng Quang Bắc khơng trùng lặp với cơng trình khoa học khác Các số liệu, kết nêu khóa luận trung thực chưa công bố cơng trình nghiên cứu Hà Nội, tháng năm 2018 SINH VIÊN Đinh Thị Châm MỤC LỤC PHẦN MỞ ĐẦU 1 Lí chọn đề tài Tình hình nghiên cứu nƣớc Mục đích nghiên cứu Nội dung nghiên cứu 5 Phƣơng pháp nghiên cứu Điểm đề tài Bố cục đề tài PHẦN NỘI DUNG CHƢƠNG TỔNG QUAN 1.1 Giới thiệu ZnO 1.1.1 Cấu trúc tinh thể ZnO 1.1.2 Tính chất vật liệu ZnO 1.2 Màng mỏng ZnO 1.2.1 Các phương pháp tổng hợp màng mỏng ZnO 1.2.2 Tiềm ứng dụng màng mỏng ZnO 15 CHƢƠNG THỰC NGHIỆM 19 2.1 Tổng hợp dung dịch tiền chất ZnO dung môi NH3 19 2.2 Quy trình tạo màng ZnO 20 2.2.1 Xử lí đế thạch anh 20 2.2.2 Quy trình tạo màng ZnO 21 2.3 Các phƣơng pháp nghiên cứu đặc trƣng 21 2.3.1 Nhiễu xạ tia X 21 2.3.2 Phổ phát xạ huỳnh quang (PL) 23 2.3.3 Phổ hấp thụ UV-Vis 24 2.3.4 Kính hiển vi điện tử quét (SEM) 26 CHƢƠNG KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 27 3.1 Sự hình thành phức kẽm dung dịch tiền chất 27 3.2 Đặc tính cấu trúc màng mỏng ZnO 29 3.3 Phân tích hình thái cấu trúc bề mặt màng mỏng ZnO 31 3.4 Tính chất quang màng mỏng ZnO 32 PHẦN KẾT LUẬN 36 PHẦN TÀI LIỆU THAM KHẢO 37 DANH MỤC CÁC TỪ VIẾT TẮT VIẾT TẮT SEM TIẾNG ANH TIẾNG VIỆT Scanning Electron Microscope Kính hiển vi điện tử quét UV Ultraviolet Tia cực tím PL photoluminescence Huỳnh quang VIS Visible light Ánh sáng khả kiến XRD X-ray diffraction Nhiễu xạ tia X Energy gap Độ rộng vùng cấm Carbon quantum dots Chấm lượng tử cacbon CB Conduction band Vùng dẫn VB Valence band Vùng hóa trị Vo Oxygen vacacnaes Khuyết tất thiếu oxy IZn- Intorstiticals Zn vị trí xen kẽ Detector Máy dò Spin-coating Phủ quay Eg CQD DANH MỤC HÌNH VẼ Hình 1.1 Cấu trúc tinh thể zinc a) zinc - blende b) zinc – wurtzite Hình 1.2 Nguyên lý phương pháp sputtering tạo màng mỏng 10 Hình 1.3 Nguyên lý lắng đọng chùm điện tử 11 Hình 1.4 Nguyên lý lắng đọng xung laser 11 Hình 1.5 Ảnh máy phủ quay (spin coating) ứng dụng tạo màng 14 Hình 1.6 Mơ tả q trình tạo màng phương pháp sol-gel 14 Hình 1.7 Sơ đồ cấu tạo pin mặt trời sử dụng màng mỏng ZnO 16 Hình 1.8 Sơ đồ cấu tạo cảm biến khí ZnO 17 Hình 1.9 a)Thiết bị linh hoạt chế tạo có sử dụng lớp bán dẫn ZnO, b) mơ hình cấu trúc bottom gate 17 Hình 2.1 Sơ đồ tổng hợp dung dịch tiền chất ZnO/NH3 19 Hình 2.2 Mơ tả Q trình tổng hợp Zn(OH)2 dung dịch NH3 19 Hình 2.3 Sơ đồ làm lam kính thạch anh 20 Hình 2.4 Nhiễu xạ tia X theo mơ hình Bragg 22 Hình 2.5 Sơ đồ nguyên lí hệ đo phổ phát xạ huỳnh quang PL 23 Hình 2.6 Sơ đồ nguyên lí hệ đo phổ hấp thụ UV-vis 25 Hình 2.7 máy đo phổ hấp thụ UV – vis 2450 25 Hình 2.8 a) Tương tác chùm điện tử vật rắn, b) kính hiển vi điện tử quét JSM 5410 LV 26 Hình 3.1 Phổ hấp thụ UV-vis dung dịch phức zinc dung dịch tiền chất (nhiệt độ thấp) 27 Hình 3.2 Phổ hấp thụ UV-vis dung dịch tiền chất ZnO/NH3 (đun nóng) với dung mơi so sánh nước cất 27 Hình 3.3 Phổ XRD mẫu màng ZnO xử lí nhiệt 100oC 29 Hình 3.4 Ảnh SEM chụp cắt ngang màng mỏng ZnO xử lí nhiệt 100oC 31 Hình 3.5 a) Phổ hấp thụ màng ZnO đế thạch anh 100oC, b) Đồ thị Tauc biểu diễn phụ thuộc (ahv)1/2 vào lượng photon (hv) 32 Hình 3.6 Phổ phát xạ mẫu màng ZnO sấy 33 nhiệt độ khác 33 Hình 3.7 Mơ hình chế hấp thụ phát xạ ZnO 35 DANH MỤC BẢNG Bảng 1.1 Thông số vật lí ZnO cấu trúc wurtzite Bảng 1.2.Các hệ thống chất hóa học sử dụng cho chế tạo màng mỏng ZnO q trình sol-gel mơi trường có cồn định hướng kết tinh màng 13 vis đo máy UV-2450 hình 2.6 thực Trung tâm Hỗ trợ Nghiên cứu Khoa học, ĐHSP Hà Nội Hình 2.6 Sơ đồ ngun lí hệ đo phổ hấp thụ UV-vis Hình 2.7 máy đo phổ hấp thụ UV – vis 2450 25 2.3.4 Kính hiển vi điện tử quét (SEM) Kính hiển vi điện tử quét (SEM), loại kính hiển vi điện tử tạo ảnh với độ phân giải cao bề mặt mẫu vật cách sử dụng chùm điện tử (chùm electron) hẹp quét bề mặt mẫu Việc tạo ảnh mẫu vật thực thơng qua việc ghi nhận phân tích xạ phát từ tương tác chùm điện tử với bề mặt mẫu vật Trong kính hiển vi điện tử quét, chùm điện tử sơ cấp gia tốc hiệu điện từ 1-50 kV anốt catot qua thấu kính từ hội tụ Chùm điện tử điều khiển để quét bề mặt mẫu đặt buồng chân không Chùm điện tử có đường kính từ 1-10 nm mang dòng điện từ 10-12-10-10 (A) đến bề mặt mẫu Do tương tác chùm điện tử với nguyên tử bề mặt mẫu, điện tử thứ cấp phát thu, chuyển thành tín hiệu điện chuyển thành hình ảnh biểu thị cho hình thái bề mặt vật liệu Hình 2.8 ảnh kính hiển vi điện tử quét JSM 5410 LV, đặt trung tâm Khoa học Vật liệu – Khoa Vật lí – ĐH Khoa học tự nhiên b) a) Hình 2.8 a) Tương tác chùm điện tử vật rắn b) kính hiển vi điện tử quét JSM 5410 LV 26 CHƢƠNG KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 3.1 Sự hình thành phức kẽm dung dịch tiền chất Hình 3.1 Phổ hấp thụ UV-vis dung dịch phức zinc dung dịch tiền chất (nhiệt độ thấp) Hình 3.2 Phổ hấp thụ UV-vis dung dịch tiền chất ZnO/NH3 (đun nóng) với dung mơi so sánh nước cất Hình 3.1b 3.2b hình thu hẹp độ hấp thụ dung dịch hình 3.1a 3.2a Để so sánh dung dịch ZnO NH3 với dung dịch phức phổ biến Zn2+ NH3, tiến hành chuẩn bị dung dịch Zn(OH)2 hòa tan NH3 dư, dung dịch ZnSO4 NH3 dư so sánh phổ hấp thụ UV-vis ba dung dịch với nhau; kết trình bày hình 3.1 27 Dung dịch Zn(OH)2 NH3 chuẩn bị theo phản ứng: ZnSO4  NaOH  Zn(OH )2   Na2 SO4 Zn(OH )2  NH   Zn  NH 4  (OH )2 Khi hòa tan ZnSO4 NH3 dư xảy phản ứng sau: ZnSO4  NH 4OH  Zn(OH )2    NH 2 SO4 Zn(OH )2  NH   Zn  NH 4  (OH )2 So sánh phổ hấp thụ UV-vis hình 3.1b cho thấy, dung dịch phức  Zn  NH3 4  (OH )2 có vùng hấp thụ từ 300 đến 350 nm, với cực đại hấp thụ 325nm, dung dịch ZnO NH3 khơng có vùng hấp thụ Điều cho thấy, cấu trúc tiền chất ZnO NH3  Zn  NH 4  (OH )2 Tuy nhiên, thời điểm này, chưa xác định cấu trúc tiền chất ZnO hòa tan NH3 Chúng phát rằng, đun nóng nhẹ dung dịch ZnO hòa tan NH3, dung dịch trở nên đục dần để lâu xuất kết tủa trắng ZnO Phổ hấp thụ UV-vis dung dịch ZnO NH3 đun nóng trình bày hình 3.2 Có thể thấy, đung nóng xuất giải hấp thụ rộng, đến gần 400 nm đặc trưng cho cấu trúc ZnO Như vậy, dung dịch ZnO NH3 tồn tiểu phân ZnO (ZnO molecular cluster) bền hóa phối tử NH3 nhiệt độ thấp Khi đun nóng, cluster liên kết với với phân ly phối tử NH3 để tạo thành cấu trúc ZnO lớn Sự hình thành lớn lên ZnO nhiệt độ thấp (chỉ đun nóng nhẹ dung dịch ZnO NH3) cho phép chế tạo màng mỏng ZnO nhiệt độ thấp 28 3.2 Đặc tính cấu trúc màng mỏng ZnO Hình 3.3 Phổ XRD mẫu màng ZnO xử lí nhiệt 100oC Màng mỏng ZnO chế tạo cách phủ quay dung dịch ZnO NH3 loại đế khác kính, thạch anh, silicon FTO Màng ZnO hình thành nhiệt độ phòng dung mơi phối tử NH3 bay trình quay màng Để loại bỏ hết dung môi phối tử, màng đặt mặt bếp điện nhiệt độ khác 100, 200 300oC 10 phút Để nghiên cứu cấu trúc màng ZnO hình thành, tiến hành nghiên cứu cấu trúc phổ nhiễu xạ tia X Kết hình 3.3 màng ZnO silicon xử lý nhiệt 100oC Phổ XRD màng ZnO xuất pic góc nhiễu xạ 2theta 31.7o, 34.5o, 36.3o, 47.6o, 56.7o, 63.9o, 67.8o Khi so sánh với phổ XRD chuẩn ZnO dạng wurtzite cho thấy pic nhiễu xạ thu tương ứng với mặt phản xạ (100), (002), (101), (102), (110), (103), (112) cấu trúc wurtzite [10] Như vậy, nhiệt độ 100oC, màng ZnO thu có cấu trúc tinh thể dạng wurtzite 29 Kích thước pha tinh thể màng ZnO xác định công thức Scherrer: D = kλ/(βcos(ϴ)); Trong đó: D kích thước tinh thể, bước sóng chiếu tới nhiễu xạ tia X, λ = 0,1541 nm, β độ rộng pic (002), k=0.9 số cấu trúc, ϴ góc Bragg Kết thu D = 8,7 nm Nói cách khác, màng ZnO 100oC có pha tinh thể ZnO với kích thước cỡ 8,7 nm 30 3.3 Phân tích hình thái cấu trúc bề mặt màng mỏng ZnO Hình 3.4 Ảnh SEM chụp cắt ngang màng mỏng ZnO xử lí nhiệt 100oC Từ dung dịch tiền chất ZnO/NH3 chế tạo thành công màng mỏng ZnO nhiều loại đế khác Tiến hành đo độ dày mẫu màng ZnO/FTO xử lý nhiệt 100oC kính hiển vi điện tử quét SEM Hình 3.4 kết đo ảnh SEM chụp cắt ngang màng ZnO đế FTO với tốc độ quay 2000 vòng/phút cho ta thấy, màng có độ dày 350 nm xử lí nhiệt 100oC Mặc dù bề mặt đế FTO không "bằng phẳng" so với bề mặt đế silicon hay thạch anh ảnh SEM ZnO/FTO hoàn toàn khơng có khoảng trống lớp ZnO FTO Nói cách khác, ZnO bám dính hồn tồn bề mặt FTO Đây yếu tố quan trọng ứng dụng màng ZnO nhiệt độ thấp pin mặt trời, điện tử cần truyền tải từ ZnO đến đế FTO cách hiệu 31 3.4 Tính chất quang màng mỏng ZnO Hình 3.5 a) Phổ hấp thụ màng ZnO đế thạch anh 100oC b) Đồ thị Tauc biểu diễn phụ thuộc (ahv)1/2 vào lượng photon (hv) Tính chất hấp thụ màng ZnO nghiên cứu thông qua phổ hấp thụ UV-vis màng ZnO phủ đế thạch anh, kết trình bày hình 3.5 Có thể thấy màng ZnO với điều kiện quay phủ khác có chung tính chất hấp thụ có vùng hấp thụ rộng kết thúc dốc gần 360 nm Đây tính chất hấp thụ đặc thù bán dẫn ZnO có vùng cấm trực tiếp Độ rộng vùng cấm màng ZnO xác định độ thị Tauc: (ahv)2 = B(hv – Eg), đó: B, a, hv, hấp thụ, hệ số, lượng photon số tương ứng, Eg lượng vùng cấm [13] Eg xác định hình 3.5 b) 3.45 eV 32 Hình 3.6 Phổ phát xạ mẫu màng ZnO sấy nhiệt độ khác Tính chất phát xạ huỳnh quang màng ZnO nghiên cứu dựa vào phổ huỳnh quang trình bày hình 3.6 kích thích tia đơn sắc 325nm Nhìn chung, nhiệt độ xử lý màng (trên đế thạch anh) tăng, tín hiệu huỳnh quang tăng (cường độ phát xạ tăng) Các màng có phổ PL rộng, từ 380nm đến 525nm, bước sóng phát xạ mạnh 410nm, màng phát xạ vùng ánh sáng nhìn thấy Mật độ trạng thái khuyết tật tăng nhiệt độ giảm dần, đồng thời phổ rộng dần Pic thể rõ chứng tỏ màng có cấu trúc đồng nhất, khuyết tật chất lượng tốt hơn, làm tăng cường độ phát xạ màng Từ giá trị đỉnh phát xạ tương ứng với màng có mối quan hệ sau: Eg= hc/λ Ta thu giá trị lượng vùng cấm tương ứng với màng 100oC 300oC 3.25 ev, 3.02 eV, 2.85 eV, 2.62 eV tương ứng với bước 33 sóng 381nm, 411nm, 435nm, 473nm Kết phù hợp với nghiên cứu trước lượng vùng cấm màng ZnO (~ 3.3 eV), đảm bảo độ truyền qua cao vùng khả kiến Cơ chế phát xạ huỳnh quang ZnO Từ phổ hấp thụ phát xạ ZnO, tơi đưa mơ hình chế hấp thụ phát xạ ZnO hình 3.7 Độ rộng vùng cấm ZnO xác định 3.45 eV Khi bị kích thích photon lượng lớn 3.45 eV, electron từ vùng hóa trị chuyển dịch lên vùng dẫn Ngay sau đó, hạt kích thích bền hóa theo electron chuyển dịch xuống trạng thái lượng thấp vùng dẫn CB (conduction band) lỗ trống (obitan trống) chuyển dịch lên trạng thái lượng cao vùng hóa trị VB (valence band) Tuy nhiên, ZnO nói chung có nhiều loại khuyết tật khác Zn vị trí xen kẽ (IZn: interstitials), khuyết tật thiếu oxygen (VO: oxygen vacacncies) Mặc dù IZn VO khó hình thành điều kiện thường, tương tác tĩnh điện chúng dạng IZn+, IZn2+ VO+, VO2+ làm cho lượng hình thành khuyết tật giảm đi, hay dễ hình thành Vị trí lượng trạng thái khuyết tật nằm vùng cấm ZnO, ảnh hưởng mạnh đến tính chất phát quang ZnO Năng lượng khuyết tật IZn nằm CB (thấp khoản 0,2 eV so với CB) đủ để làm cho electron kích thích bị chuyển dịch trạng thái IZn trước tái hợp với lỗ trống VB để phát xạ photon có bước sóng từ 381 nm Một phần đáng kể IZn bị ion hóa, đặc biệt cấu trúc nano ZnO màng ZnO nghiên cứu với hạt tinh thể ZnO khoảng 8,7 nm, tạo thành IZn+ có lượng khoảng 0,4 eV thấp so với CD hay 0,2 eV so với IZn Sự tái hợp electron IZn+ lỗ trống VB phát xạ photon có bước sóng khoảng 411 nm Lỗ trống chuyển dịch lên trạng thái VO nằm phía VB, cách VB khoảng 0,4 eV Sự kết hợp 34 electron IZn hay IZn+ với lỗ trống VO phát xạ photon có bước sóng 435 nm 473 nm Như nhìn thấy hình 3.6, nhiệt độ xử lý màng ZnO cao cường độ PL tăng, chứng tỏ đun nóng màng ZnO ngồi khơng khí kích thích hình thành khuyết tật IZn VO Hình 3.7 Mơ hình chế hấp thụ phát xạ ZnO 35 PHẦN KẾT LUẬN Sau hoàn thành khóa luận chúng tơi thu số kết sau: 1) Tổng hợp dung dịch tiền chất ZnO đơn giản cách hòa tan ZnO NH3 nhiệt độ thấp Cấu trúc chất tan chưa làm sáng tỏ so sánh cấu trúc phổ hấp thụ UV-vis cho thấy hòa tan ZnO NH3 không tạo thành phức [Zn(NH3)4]2+ Cấu trúc ZnO hình thành dung dịch NH3 cách đung nóng nhẹ 2) Chế tạo thành cơng màng mỏng ZnO đế thủy tinh, thạch anh, FTO silicon phương pháp phủ quay điều kiện thường phòng thí nghiệm 3) Phân tích phổ nhiễu xạ tia X cho thấy màng ZnO gồm pha tinh thể wurtzite, có kích thước khoảng 8,7 nm 4) Màng ZnO có tính chất hấp thụ ánh sáng giống bán dẫn với độ rộng vùng cấm 3.45 eV 5) Khi tăng nhiệt độ xử lý màng ZnO, làm tăng khuyết tật IZn VO, làm tăng cường độ phát xạ huỳnh quang Phổ phát xạ dạng phổ đám, từ 360 đến 550 nm gồm đỉnh phát xạ 381 nm, 411 nm, 435 nm 473 nm Các đỉnh phát xạ tương ứng với trình tái hợp điện tử lỗ trống kích thích trạng thái khuyết tật khác 36 PHẦN TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Nguyễn Thị Thanh Nga, Luận văn thạc sĩ, “Nghiên cứu chế tạo màng ZnO phương pháp CVD_lắng đọng pha hơi” [2] Nguyễn Mạnh Hùng, “Tổng hợp ứng dụng phức chất có khả thăng hoa để chế tạo màng mỏng oxit kim loại phương pháp CVD”, Luận văn tiến sĩ năm 2016, Trường Đại Học Khoa học tự nhiên, Chun ngành: Hóa vơ cơ, 62 44 25 01 [3] K Mun, C Wei, K Sing, and J Ching, “Recent developments of zinc oxide based photocatalyst in water treatment technology: a review,” Water Research, vol 88, pp 428–448, 2016 [4] X Chen, Z Wu, D Liu, and Z Gao, “Preparation of ZnO photocatalyst for the efficient and rapid photocatalytic degradation of azo dyes,” Nanoscale Research Letters, vol 12, no 1, p 143, 2017 [5] A Sanmugam, D Vikraman, S Venkatesan, and H J Park, “Optical and structural properties of solvent free synthesized starch/chitosan-ZnO nanocomposites,” Journal of Nanomaterials, vol 2017, Article ID 7536364, pages, 2017 [6] R Triboulet, J Perrière, “Prog Cryst Growth Charact Mater.” 47 (2003) 65–138) [7] T Makino, C.H Chia, Nguen T Tuan, Y Segawa, M Kawasaki, A Ohtomo, K Tamura, H Koinuma, “Appl Phys Lett.” 77 (2000) 1632–1634 [8] Coleman V A.and Jagadish C., “Basic properties and application of ZnO”, Elsevier Limited, pages 1-20, 2006 [9] Van-Tuan Mai, Quang-Bac Hoang, Xuan-Dung Mai, “Enhanced Red Emission in Ultrasound-Assisted Sol-Gel Derived ZnO/PMMA Nanocomposite”, Advances in Materials Science and Engineering Vol 2018, Article ID 7252809, pages, 2018 37 [10] Sumayya Inamdar, Vinayak Ganbavle, Shahin Shaikh, Kesu Rajpure, Phys Status Solidi A, (2015) 1–9 http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201431850 [12] Huan-Ming Xiong, “Photoluminescent ZnO nanoparticles modified by polymers” J Mater Chem 2010, 20, 4251–4262 [11] Amol R Nimbalkar, Maruti G Patil, Mater Sci Semicond Process 71 (2017) 332–341 [13] B.D.Viezbicke,S Patel, B.E.Davis, and D.P.B.Iii, “Evaluation of the Tauc method for optical absorption edged etermination: ZnO thin films as a model system”, Physical Status Solidi B, vol.252,no.8,pp.1700–1710,2015 [15] Lamia Znaidi, “Sol–gel-deposited ZnO thin films: A review”, Materials Science and Engineering, Vol 174, Issues 1–3, 25 October 2010, Pages 1830 [14] R Azmi, H Aqoma, W T Hadmojo et al., “Low-temperature-processed 9% colloidal quantum dot photovoltaic devices through interfacial management of p–n heterojunction,” Advanced Energy Materials, vol 6, no 8, p 1502146, 2016 [16] A Janotti and C G Van de Walle, “Fundamentals of zinc oxide as a semiconductor,” Reports on Progress in Physics, vol 72, no 12, p 126501, 2009 [17] Hsin-Chiang You, Shiang-Jun Zhang, Shao-Hui Shieh, Chiou-Kou Tung, “Fabricating zinc oxide semiconductor device of flexible substrate by using the spin-coating method”, DOI: 10.1109/NEMS.2011.6017470, 2011 [18] Ü Özgür,a Ya I Alivov, C Liu, A Teke,b M A Reshchikov, S Doğan,c V Avrutin, S.-J Cho, and H Morkoỗd, A comprehensive review of ZnO materials and devices”, Journal of applied physic, 98, 041301 (2005) 38 [19] Marco Laurenti, Valentina Cauda, “Porous Zinc Oxide Thin Films: Synthesis Approaches and Applications”, Coatings,2018, 8(2), 67 39 ... ĐINH THỊ CHÂM ĐINH THỊ CHÂM NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO MÀNG MỎNG ZnO NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO MÀNG MỎNG ZnO NHIỆT ĐỘ THẤP BẰNG PHƢƠNG PHÁP NHIỆT ĐỘ THẤP BẰNG PHƢƠNG PHÁP PHỦ QUAY PHỦ QUAY KHÓA LUẬN LUẬN TỐT KHÓA... Nghiên cứu chế tạo màng mỏng ZnO nhiệt độ thấp phương pháp phủ quay nghiên cứu sử dụng dung dịch ZnO NH3 để chế tạo màng ZnO nhiệt độ thấp Tình hình nghiên cứu ngồi nƣớc a) Tình hình giới ZnO. .. ứng dụng phương pháp tổng hợp vật liệu ZnO dạng màng mỏng Chương 2: Thực nghiệm Đưa phương pháp tổng hợp dung dịch tiền chất, cách chế tạo màng mỏng ZnO nhiệt độ thấp phương pháp nghiên cứu đặc