Bài giảng transistor 2 cực tính

Khi BJT đã được phân cực.Thêm nguồn tín hiệu nhỏ nguồn Mức độ phân cực JE sẽ thay đổi theo is làm dòng điện tử E tới C cũng thay đổi theo => iC thay đổi... Tín hiệu vào cần khuếch đạiđư

Trang 2

Transistor hai cực tính -BJT

E B

C

P

N N+

BJT có hai chuyển tiếp P-N rất

gần nhau Hoạt động của BJT

dựa trên sự tương tác giữa hai

chuyển tiếp này

Trang 3

ngược, JE phân cực thuận, điện tử

từ N+ phun qua P tạo dòng IE, và lỗ

Trang 4

phun qua P tạo dòng IE, và lỗ trống

từ P phun qua N+ tạo dòng IB.

nN+ >> nP, 1 lượng nhỏ điện tử

được tái hợp ở lớp B còn phần lớn

vẫn khuếch tán tới lớp C tại C điện

tự sẽ bi điện trường Jc hút về tạo

Trang 5

Khi BJT đã được phân cực.

Thêm nguồn tín hiệu nhỏ nguồn

Mức độ phân cực JE sẽ thay đổi

theo is làm dòng điện tử E tới C

cũng thay đổi theo => iC thay đổi

Trang 6

Tín hiệu vào cần khuếch đại

được đưa vào 2 cực E,B.

Tín hiệu ra được lấy từ 2

Ba sơ đồ cơ bản của BJT

Trang 7

được đưa vào 2 cực B, E.

RC

RB

VIN

VOUTB

Trang 8

được đưa vào 2 cực B, G.

Tín hiệu ra được lấy từ 2

E2

RBV

B

E C

Ba sơ đồ cơ bản của BJT

Trang 10

Đặc tuyến BJT (E chung )

Đặc tuyến ngõ vào IB =f(VBE)

Thực chất ngõ vào đây chính lớp tiếp

xúc P-N của đặc tuyến diode.

Trang 11

Thay đổi V , đo I

một đặc tuyến chỉ rõ sự

Trang 12

Vùng hoạt động của BJT

Trang 13

Đặc tuyến truyền đạt dòng điện I C = f(β)

• Độ khuếch đại dòng

điện β của transistor có

trị số thay đổi theo dòng

điện I

• Trong phạm vi dòng

điện lớn, giá trị β giảm,

không còn tuyến tính

nữa.

Trang 14

Tra cứu-hình dạng-cách đo thử

là transistor thuận NPN.

- Các transistor A và C thường có công suất nhỏ và tần số làm việc cao (f>5M), còn các transistor B và D thường có công suất lớn và tần số làm việc thấp hơn.

Trang 15

N goài ra BJT của mỹ còn nhiều

MPS…, MJE…, TIP…, ZTX…

Trang 16

Transistor của các nước Châu âu

• Thường có 2 chữ cái ở đầu và 3 chữ số ở sau

- Chữ cái đầu chỉ chất bán dẫn chế tạo :

A Germani, B Silic, C Gali Acxennit, D Indi

Antimoanit.

-\Chữ cái thứ 2 chỉ dải tần số làm việc :

C: BJT âm tầng công suất nhỏ D: BJT âm tầng công suất lớn F: BJT cao tầng công suất nhỏ L: BJT cao tầng công suất lớn S: BJT chuyển mạch công suất nhỏ U: BJT chuyển mạch công suất lớn

• VD: AF 240 là transistor loại Germani tần số cao.

Trang 18

Đặt tuyến BJT (E chung )

Các mạch phân cực ( sách KTDT trang 132)

Trang 19

Đặt tuyến BJT (E chung )

Phân tích &Thiết kế phân cực

Trang 20

đáng kể Hiệu suất thấp, ηmax = 25%

Khuếch đại trung thực, ít méo phi tuyến.

Dùng trong các tầng khuếch đại tín hiệu nhỏ

Trang 21

BJT được phân cực bằng VCCqua

phân áp giữa R1 và R2 mạch tương

đương thevenin ở ngõ vào có :

VB = VCC * R1 / (R1 + R2)

RB = R1 // R2

Mạch khuếch đại lớp A

Khi phân cực cho BJT sẽ xác định

được IBQ và VBEQ Điểm Q là điểm tĩnh

ngõ vào

IBQ = VB / (RB + β RE)

Từ điểm tĩnh ngõ vào và giá trị

nguồn VCC ta có thể tìm được điểm

Trang 22

Đường tải một chiều là quỹ đạo của

điểm tĩnh ngõ ra Q khi phân cực ngõ

vào thay đổi.

IC = (VCC – VCE ) / (RC + RE)

RDC = (RC + RE)

Trang 24

Mạch khuếch đại lớp A có điểm

tĩnh thường được phân cực nằm

giữa đoạn MN trên đường tải AC

Mạch khuếch đại lớp A thường

dùng mạch E chung và tín hiệu ra

ngược pha với tín hiệu vào

Định dạng
Số trang	24
Dung lượng	713,45 KB