1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ

96 1K 3
Tài liệu đã được kiểm tra trùng lặp

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 96
Dung lượng 14,93 MB

Nội dung

Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ

I LỜI CẢM ƠN Con vô cùng biết ơn ba mẹ gia đình đã cho con nguồn giúp đỡ to lớn về mặt tinh thần lẫn vật chất để con thể thực hiện khóa luận một cách tốt nhất. Em chân thành cảm ơn các thầy khoa Khoa Học Vật Liệu đã tận tình dạy dỗ em một nền tảng kiến thức quý báu vô cùng quí giá là hành trang vững chắc cho em tiếp bước vào đời. Con xin chân thành gởi đến thầy Trần Quang Trung. Thầy đã quan tâm giúp đỡ, tháo gỡ những khó khăn vướng mắc, đưa ra những lời khuyên vô cùng quý báu cho con trong suốt quá trình thực hiện khóa luận. Sự quan tâm giúp đỡ tận tình của thầy là nguồn khích lệ to lớn giúp cho con vượt qua những khó khăn. Con chân thành cảm ơn chú Đặng Thành Công, chú là người thầy tận tụy luôn bên cạnh dạy bảo giúp đỡ chúng con về mặt kĩ thuật. Em xin cảm ơn anh Khánh, anh Sơn chị Nguyễn đã trực tiếp hướng dẫn giúp đỡ em trong quá trình thực hiện khóa luận, đưa ra những lời khuyên quý giá, khắc phục những sai hỏng để em hoàn thành khóa luận một cách tốt nhất thể. Em xin cảm ơn các chị Ngọc, Hân ở phòng thí nghiệm màng mỏng linh kiện bán dẫn đã tận tình giúp đỡ em tiến hành một số đo đạc quan trọng trong khoa luận. Em xin cảm ơn anh Khương chị Quỳnh đã động viên, tận tình giúp đỡ, cung cấp cho em nhiều tài liệu tham khảo vô cùng hữu ích. Cảm ơn các anh chị các bạn phòng thí nghiệm bộ môn Vật Lý Chất Rắn, đã cùng tôi trải qua khoảng thời gian đầy kỉ niệm khó quên trong “quảng đời sinh viên”. Chân thành cảm ơn ! II I. DANH MỤC CHỮ VIẾT TẮT ICP - Integer Charge Transfer ITO - Indium tin oxide MEHPPV - Poly[2-methoxy-5-(2'-ethyl-hexyloxy)-1,4-phenylene vinylene] OLED - Organic Light Emiting Diode P3HT - Poly(3-hexylthiophene) II. DANH MỤC HÌNH VẼ ĐỒ THỊ Hình A.1.1: Cấu trúc vùng năng lượng trong vật liệu vô ở 0 0 K . 3 Hình A.1.2: Các vân đạo s p x , p y , p z trong không gian . 5 Hình A.1.3: liên kết σ giữa các cặp vân đạo s-s, p-s p-p . 5 Hình A.1.4: Liên kết π trong phân tử C 2 H 4 6 Hình A.1.5: Giản đồ năng lượng của vân đạo lai hóa sp 3 7 Hình A.1.6: Vân đạo lai hóa sp 3 . 7 Hình A.1.7: Giản đồ mức năng lượng của vân đạo lai hóa sp 2 8 Hình A.1.8: Vân đạo lai hóa sp 2 . 8 Hình A.1.9: Giản đồ năng lượng của vân đạo lai hóa sp . 9 Hình A.1.10: Vân đạo lai hóa sp 9 Hình A.1.11: Các liên kết của phân tử acetilen HC≡CH . 9 Hình A.1.12: Cấu tạo vòng benzen 10 Hình A.1.13: Liên kết σ của vân đạo s . 12 Hình A.1.14: Liên kết σ của vân đạo p 12 III Hình A.1.15: Liên kết π của vân đạo p 12 Hình A.1.16: Sơ đồ các mức năng lượng của vân đạo phân tử (MO) . 13 Hình A.1.17: Giản đồ năng lượng của chuyển hóa Peierls 14 Hình A.1.18: Sự chuyển tiếp từ mô hình kim loại với vùng pi lấp đầy ½ sang một cấu trúc vùng bán dẫn dưới sự chuyển hóa Peierls 14 Hình A.1.19: Chuyển hóa Peierl 15 Hình A.1.20: Các chuẩn hạt “ soliton” khác nhau trong polymer kết hợp polyacetylene (PA) . 16 Hình A.1.21: Các chuẩn hạt “polaron” khác nhau trong polymer kết hợp 16 Hình A.1.22: Các chuẩn hạt polaron bipolaron hình thành trong polypyrole . 18 Hình A.1.23: Exciton Wannier-Mott Frenkel . 19 Hình A.1.24: Exciton liên chuỗi nội chuỗi 20 Hình A.2.1: Cấu trúc vùng năng lượng cấu trúc phân tử của P3HT . 21 Hình A.2.2: Các liên kết hóa học thể trong quá trình polymer hóa P3HT 22 Hình A.2.3: Phổ hấp thụ của màng được tạo từ regioregular- regiorandom- P3HT 22 Hình A.2.4: Định hướng sắp xếp của màng theo hướng (100) a) (010) b) . 23 Hình A.2.5: Sơ đồ minh họa phép đo XRD hai chiều 23 Hinh A.2.6: Ảnh phổ nhiểu xạ 2 chiều thu được của định hướng (100) (010) của màng P3HT 24 Hình A.3.1: Mô hình cấu tạo Pin Mặt Trời tiếp xúc p-n bản 25 Hình A.3.2: Giản đồ vùng năng lượng khi bán dẫn ở trạng thái cân bằng 26 IV Hình A.3.3: Các vùng sinh hạt tải trong Pin Mặt Trời . 27 Hình A.3.4: Sự tách mức trong bán dẫn loại n khi được chiếu sáng . 28 Hình A.3.5: Tiếp xúc p-n khi được chiếu sáng, trường hợp chuyển hóa hoàn toàn thành điện năng 28 Hình A.3.6: Chuyển tiếp p-n khi chiếu sáng, trường hợp không chuyển hóa hoàn toàn thành điện năng 29 Hình A.3.7: Pin lớp đôi (double layer cell) cấu trúc b) giản đồ năng lượng a) 30 Hình A.3.8: Pin lớp trộn (blend layer cell) 31 Hình A.3.9: Pin dạng phiến (Laminated layer cell) . 32 Hình A.3.10: Đặc trưng I-V của Pin Mặt Trời . 33 Hinh A.3.11: Phổ Mặt Trời ở điều kiện AM(Air Mass)1.5 . 34 Hình A.3.12: Đặc trưng I-V của pin mặt trời khi được chiếu sáng . 35 Hình A.4.1: Cấu hình OLED đơn lớp, trong đó gồm lớp hữu phát quang (EML) kẹp giữa các anốt trong suốt catốt kim loại . 37 Hình A.1.2 Cấu trúc vùng năng lượng của OLED đa lớp 38 Hình A.4.3: Các mức năng lượng của kim loại bán dẫn loại n trước khi tiếp xúc 39 Hình A.4.3: Chuyển tiếp Schottky của kim loại – bán dẫn loại n trong trường hợp a) cân bằng, b) phân cực thuận, c) phân cực nghịch 40 Hình A.4.4: Tiếp xúc Ohmic giữa kim loại – bán dẫn n 41 V Hình A 4.5: Minh họa tiếp giáp kim loại – bán dẫn hữu cơ, từ trạng thái ban đầu không tiếp xúc (a), quá trình truyền điện tích sau khi tiếp xúc (b) trạng thái cân bằng (c), trong hai trường hợp : E F > E ICT+ E F < E ICT 42 Hình B.1.1: Hệ liên hoàn 44 Hình B.1.2: Buồng chân không giá để mẫu 46 Hình B.1.3: Bộ hiển thị chân không . 47 Hình B.1.4: Buồng chân không khi đã nâng cao bằng cổ nối 47 Hình B.1.5: Một số dạng thuyền bốc bay chân không . 48 Hình B.1.7: Hệ ủ nhiệt chân không 10 -4 Torr 49 Hình B.1.8: buồng nung mẫu . 50 Hình B.1.9: Hệ hút chân không cho buồng chứa mẫu . 51 Hình B.1.10: nung mẫu bằng lò Elektro Usarmar – RK42 51 Hình B.1.12: Hệ đo điện phát quang L-V đặc trưng I-V . 52 Hình B.2.1: So sánh giữa 3 dung dịch P3HT chưa tan (a), tan một phần (b)và tan hoàn toàn (c) . 55 Hình B.2.2: Phổ hấp thụ của dung dịch “P3HT chưa tan” với các nồng độ khác nhau 56 Hình B.2.3: Phổ hấp thụ dung dịch “P3HT tan một phần” với các nồng độ khác nhau 58 Hình B.2.4: Phổ hấp thụ dung dịch P3HT tan hoàn với các nồng độ khác nhau . 59 Hinh B.2.5: Quá trình hình thành màng bằng phương pháp spin coating . 61 Hinh B.2.6: Quá trình hình thành màng bằng phương pháp drop casting . 62 VI Hình B.2.7: Phổ hấp thụ của màng P3HT tạo bằng phương pháp spin coating với các nhiệt độ ủ khác nhau trong môi chân không 10 -1 Torr . 63 Hình B.2.8: Phổ hấp quang phát quang của màng P3HT tạo bằng phương pháp spin coating dưới các nhiệt độ ủ khác nhau trong môi trường chân không 10 -1 Torr . 65 Hình B.2.9: phổ XRD của màng P3HT tạo bằng phương pháp spin dưới các nhiệt độ ủ khác nhau trong môi trường chân không 10 -1 Torr 66 Hình B.2.10: phổ XRD của màng P3HT tạo bằng phương pháp drop casting dưới các nhiệt độ ủ khác nhau trong môi trường chân không 10 -4 Torr . 67 Hình B.2.11: Phổ quang phát quang màng P3HT tạo bằng phương pháp drop casting dưới các nhiệt độ ủ khác nhau trong môi trường chân không 10 -3 Torr 69 Hình B.3.1: Cấu trúc vùng năng lượng của pin mặt trời được khảo sát 70 Hình B.3.2: Cấu trúc các lớp trong pin mặt trời được khảo sát . 70 Hình B.3.3a: Đặc trưng I-V của pin Si n + pha tạp 3h 72 Hình B.3.3b: Đặc trưng I-V của pin c-Si n + pha tạp 3h . 73 Hình B.3.4a: Đặc trưng I-V của pin c-Si n + pha tạp 4h . 73 Hình B.3.4b: Đặc trưng I-V của pin Si n + pha tạp 4h 74 Hình B.3.5a: Đặc trưng I-V của pin Si n + pha tạp 5h 74 Hình B.3.5b: Đặc trưng I-V của pin Si n + pha tạp 5h 75 Hình B.3.6: Cấu trúc OLED đa lớp trên sở polymer dẫn MEHPPV 76 Hình B.3.7: Công thức phân tử (a), Dung dịch MEHPPV (dung môi toluene) tạo màng trên đế thủy tinh (b) 76 Hình B.3.8: Minh họa quá trình chế tạo OLED . 78 VII Hình B.3.11: Các mặt mask sử dụng để etching 79 Hình B.3.12: ITO làm điện cực sau khi etching 79 Hình B.3.13: ITO sau khi etching chụp bằng stylus 80 Hình B.3.14: Đặc trưng I-V của OLED theo nhiệt độ ủ 100 0 C, 120 0 C với các độ dày màng P3HT khác nhau . 81 Hình B.3.15: Đặc trưng L-V của OLED theo nhiệt độ ủ 100 0 C, 120 0 C với các độ dày màng P3HT khác nhau 82 DANH MỤC BẢNG Bảng A.1: Cấu hình điện tử của carbon . 4 Bảng A.2.1: Hiệu suất chuyển đổi lớn nhất theo độ rộng vùng cấm bước sóng . 35 Bảng B.2.1: Thời gian hòa tan dung dịch theo cách khác nhau . 56 VIII Mục lục Trang Lời mở đầu . 1 A. Lý thuyết tổng quan . 2 A.1. Bán dẫn hữu 3 A.1.1. Giới thiệu hợp chất hữu 4 A.1.2. Lai hóa 7 A.1.3. Phân tử benzen . 10 A.1.4. Cấu trúc vùng năng lượng 11 A.1.5. Phân tử liên hợp . 13 A.1.6. Các hạt tải điện exciton trong bán dẫn hữu 15 A.1.6.1. Các hạt tải điện . 15 A.1.6.2. Excition . 18 A.2. Vật liệu Poly(3-hexylthiophene) (P3HT) 20 A.3. Cấu tạo nguyên lý hoạt động của pin mặt trời bản 24 A.3.1. Cấu tạo pin mặt trời 24 A.3.2. Nguyên lý hoạt động 25 A.3.3. Đặc trưng I-V Pin Mặt trời . 32 A.3.4. Hiệu suất Pin Mặt Trời . 33 A.4. Cấu tạo nguyên tắc hoạt động bản của diod phát quang hữu 36 IX A.4.1. Cấu tạo . 36 A.4.1.1 Cấu trúc đơn lớp 36 A.4.1.2. Cấu trúc đa lớp 37 A.4.2.Tiếp xúc bán dẫn điện cực 38 A.4.2.1.Tiếp xúc Schottky 38 A.4.2.2.Tiếp xúc Ohmic . 40 B.Phần thực nghiệm . 42 B.1.Các thiết bị 43 B.1.1.Thiết bị sử dụng trong tiến trình thực nghiệm 43 B.1.1.1.Glove box tạo màng . 44 B.1.1.2. Buồng ủ nhiệt 45 B.1.1.3. Hệ bốc bay 45 B.1.1.4 Hệ ủ nhiệt chân không cao 10 -4 Torr . 49 B.1.1.5. Hệ pha tạp loại n+ cho wafer Si đơn tinh thể (c-Si) . 50 B.1.2. Các thiết bị đo . 52 B.1.2.1. Hệ đo điện phát quang L-V đặc trưng I-V . 52 B.1.2.2 Hệ đo quang phát quang (PL) 53 B.1.2.3. Hệ UV-Vis 53 B.1.2.4. Hệ Stylus profilometer . 54 B.1.2.5. Hệ đo Hall Ecopia HMS 3000 54 X B.2. Quá trình hoàn nguyên vật liệu P3HT từ dạng bột thành màng mỏng 54 B.2.1. Quá tình hòa tan P3HT trong dung môi . 54 B.2.1.1. Tiến trình thực nghiệm . 56 B.2.2.2. Kết quả thảo luận . 63 B.3. Ứng dụng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời diod phát quang hữu 69 B.3.1. Ứng dụng vào pin mặt trời . 69 B.3.1.1 Tiến trình thực nghiệm 69 B.3.1.2 Kết quả thảo luận 71 B.3.2. Ứng dụng trong diode phát quang hữu (OLED) 76 B.3.2.1. Tiến trình thực nghiệm . 76 B.3.2.2. Kết quả thảo luận . 81 Kết luận 84 [...]... phù hợp với các ứng dụng vào các linh kiên quang điện linh kiện điện tử Phần tổng quan lý thuyết của khóa luận trình bày các nội dung sau:  Bán dẫn hữu  Vật liệu Poly(3-hexylthiophene) (P3HT)  Cấu tạo nguyên lý hoạt động của pin mặt trời  Cấu tạo nguyên lý hoạt động của diode phát quang hữu 3 A.1 Bán dẫn hữu Trong lý thuyết chất rắn, bán dẫn được định nghĩa dựa vào cấu trúc vùng... tính chất của màng P3HT cũng như của linh kiện hữu ứng dụng màng P3HT Bên cạnh đó, chúng tôi tìm hiểu khái quát chế của các linh kiện này nhằm đưa ra các ứng dụng màng P3HT vào chúng một cách phù hợp nhất 2 PHẦN A LÝ THUYẾT TỔNG QUAN Poly(3-hexylthiophene) (P3HT) là một loại polymer dẫn dựa trên khung sườn cấu trúc của polythiophene, một trong các loại bán dẫn hữu tính chất quang điện tốt... 10.70 15.90 [13] Mặc khác, màng P3HT định hướng theo (010) cho đỉnh nhiễu xạ đặc trưng của mặt (010) mạnh nhất Đây là phép phân tích cho ta biết được định hướng vi tinh thể của màng P3HT A.3 Cấu tạo nguyên lý hoạt động của pin mặt trời bản A.3.1 Cấu tạo pin mặt trời Pin Mặt Trời là thiết bị dùng để chuyển đổi năng lượng từ quang năng sang điện năng Quá trình chuyển đổi trong pin mặt trời gồm... liệu polymer dẫn là vật liệu đầy hứa hẹn cho các ứng dụng như pin mặt trời, các linh kiện điện tử hoặc điện huỳnh quang với giá rẻ, khả năng uốn dẻo Polyhiophene là nhóm vật liệu quan trọng trong vật liệu polymer dẫn với các ứng dụng sensor hay diode hữu phát quang, pin mặt trời và transistor Những nghiên cứu sâu về các vật liệu này đã được thực hiện đưa ra nhiều thông tin về tính chất của nhóm... trật tự của màng P3HT khi được hoàn nguyên từ bột P3HT thành màng Về mặt lý thuyết màng P3HT hai cách sắp xếp chính Đinh hướng (100) tức là mặt phẳng thiophene vuông góc với mặt phẳng đế đinh hướng theo mặt (010) tương đương với mặt phẳng thiophene song song với mặt phẳng đế như hình A.2.4 [19] Hình A.2.4: Định hướng sắp xếp của màng theo hướng a) (100) b) (010) [17] Cấu trúc màng P3HT được... regioregular -P3HT regiorandom- P3HT cho thấy đỉnh hấp thụ của regiorandom- P3HT bị lệch về phía bước sóng ngắn so với regioregular -P3HT Điều này ý nghĩa là độ rộng cùng cấm của regiorandomP3HT lớn hơn regioregular -P3HT tương ứng với sự tăng của năng lượng chuyển mức π-π* Tuy nhiên tính chất của màng P3HT không những phụ thuộc vào loại vật liệu P3HT (RR- hay RRa -P3HT) mà còn tùy thuộc vào cấu trúc... LỜI MỞ ĐẦU Polymer dẫn hay bán dẫn hữu được phát hiện đầu tiên vào năm 1975 Cho đến nay nhiều vật liệu polymer dẫn đã được tổng hợp thành công được các nhà khoa học trên thế giới nghiên cứu ứng dụng trong các linh kiện điện tử, quang điện tử Các polymer dẫn được các ưu điểm nổi bật so với các chất bán dẫn vô như dễ chế tạo, giá thành sản xuất thấp, tính uốn dẻo Với các ưu điểm này... polythiophene, poly(3-hexythiophene) (P3HT) regioregular P3HT( RR -P3HT) được tìm hiểu một cách rộng rãi nhất Khi ở trạng thái rắn, RR -P3HT thể hiện một vài tính chất ưu việt như độ tinh thể hóa cao độ trât tự xa hơn so với các polymer dẫn khác Nhằm ứng dụng vật liệu P3HT vào các linh kiện, quá trình hoàn nguyên vật liệu P3HT từ dạng bột ban đầu thành màng mỏng chiếm vai trò hết sức quan trọng,... liệu vô ở 00K 4 Trong trường hợp các chất bán dẫn hữu cơ, do các liên kết trong các chất hữu hầu hết là các liên kết cộng hóa trị của các nguyên tử carbon carbon C, hydro H, oxi O, nên chế dẫn sẽ khác với các chất bán dẫn vô Phần tiếp theo của khóa luận trình bày chế dẫn của bán dẫn hữu nhằm làm rõ sự khác biệt tương đồng giữa hai loại bán dẫn A.1.1 Giới thiệu hợp chất hữu Đa... do đó làm giảm độ linh động của hạt tải hay lỗ trống của P3HT xuống còn 10-7 – 10-4 cm2/Vs khi P3HT phân tử khối tương đương trường hợp RR -P3HT [19] Do đó khi P3HT liên kết dưới dạng này được gọi là regiorandom P3HT (RRa -P3HT) 22 Hình A.2.2: Các quá trình hóa học thể trong quá trình polymer hóa P3HT [9] Hình A.2.3: Phổ hấp thụ của màng được tạo từ regioregular- regiorandomP3HT [20] 23 Phổ . quả và thảo luận ............................................................... 63 B.3. Ứng dụng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang. dẫn hữu cơ.  Vật liệu Poly(3-hexylthiophene) (P3HT) .  Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của pin mặt trời.  Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của diode phát quang

Ngày đăng: 19/03/2013, 11:49

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình A.1.1: Cấu trúc vùng năng lượng trong vật liệu vô cơ ở 00 K. - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
nh A.1.1: Cấu trúc vùng năng lượng trong vật liệu vô cơ ở 00 K (Trang 13)
Hình A.1.2: Các vân đạ os và px, py, pz trong không gian. - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
nh A.1.2: Các vân đạ os và px, py, pz trong không gian (Trang 15)
A.1.3. Phân tử benzen - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
1.3. Phân tử benzen (Trang 20)
Hình A.1.16: Sơ đồ các mức năng lượng của vân đạo phân tử (MO) - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
nh A.1.16: Sơ đồ các mức năng lượng của vân đạo phân tử (MO) (Trang 23)
Hình A.1.20: Các chuẩn hạt “soliton” khác nhau trong polymer kết hợp polyacetylene (PA)[1] - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
nh A.1.20: Các chuẩn hạt “soliton” khác nhau trong polymer kết hợp polyacetylene (PA)[1] (Trang 26)
Hình A.1.24: Exciton liên chuỗi và nội chuỗi. - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
nh A.1.24: Exciton liên chuỗi và nội chuỗi (Trang 30)
Hình A.2.2: Các quá trình hóa học có thể trong quá trình polymer hóa P3HT [9] - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
nh A.2.2: Các quá trình hóa học có thể trong quá trình polymer hóa P3HT [9] (Trang 32)
Hình A.2.6: Ảnh phổ nhiểu xạ 2 chiều thu được của định hướng (100) và (010) của màng P3HT[17] - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
nh A.2.6: Ảnh phổ nhiểu xạ 2 chiều thu được của định hướng (100) và (010) của màng P3HT[17] (Trang 34)
Hình A.3.1: Mô hình cấu tạo Pin Mặt Trời tiếp xúc p-n cơ bản - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
nh A.3.1: Mô hình cấu tạo Pin Mặt Trời tiếp xúc p-n cơ bản (Trang 35)
Hình A.3.7: Pin lớp đôi (double layer cell) cấu trúc b)và giản đồ năng lượng a) - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
nh A.3.7: Pin lớp đôi (double layer cell) cấu trúc b)và giản đồ năng lượng a) (Trang 40)
Hình A.3.8: Pin lớp trộn (blend layer cell) - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
nh A.3.8: Pin lớp trộn (blend layer cell) (Trang 41)
Hình A.3.9: Pin dạng phiến (Laminated layer cell) - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
nh A.3.9: Pin dạng phiến (Laminated layer cell) (Trang 42)
Hình A.3.10: Đặc trưng I-V của Pin Mặt Trời - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
nh A.3.10: Đặc trưng I-V của Pin Mặt Trời (Trang 43)
Bảng A.2.1: Hiệu suất chuyển đổi lớn nhất theo độ rộng vùng cấm và bước sóng. - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
ng A.2.1: Hiệu suất chuyển đổi lớn nhất theo độ rộng vùng cấm và bước sóng (Trang 45)
trống. Các hạt tải sẽ di chuyển qua các lớp này, hình thành các exciton kết cặp và tái hợp với nhau phát ra photon tại lớp phát quang EML (Electroluminescence Layer),  có  chức  năng  tăng  cường  sự  phát  quang,  cũng  như  quyết  định  màu  sắc  ánh  s - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
tr ống. Các hạt tải sẽ di chuyển qua các lớp này, hình thành các exciton kết cặp và tái hợp với nhau phát ra photon tại lớp phát quang EML (Electroluminescence Layer), có chức năng tăng cường sự phát quang, cũng như quyết định màu sắc ánh s (Trang 48)
Hình A.4.3: Chuyển tiếp Schottky của kim loại – bán dẫn loạ in trong trường hợp a) cân bằng, b) phân cực thuận, c) phân cực nghịch. - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
nh A.4.3: Chuyển tiếp Schottky của kim loại – bán dẫn loạ in trong trường hợp a) cân bằng, b) phân cực thuận, c) phân cực nghịch (Trang 50)
Hình A.4.4: Tiếp xúc Ohmic giữa kim loại – bán dẫ nn - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
nh A.4.4: Tiếp xúc Ohmic giữa kim loại – bán dẫ nn (Trang 51)
Hình B.1.7: Hệ ủ nhiệt chân không 10-4 Torr. - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
nh B.1.7: Hệ ủ nhiệt chân không 10-4 Torr (Trang 60)
Hình B.1.12: Hệ đo điện phát quang L-V và đặc trưng I-V - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
nh B.1.12: Hệ đo điện phát quang L-V và đặc trưng I-V (Trang 63)
Hình B.2.1: So sánh giữa 3 dung dịch P3HT chưa tan (a), tan một phần (b)và tan hoàn toàn (c). - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
nh B.2.1: So sánh giữa 3 dung dịch P3HT chưa tan (a), tan một phần (b)và tan hoàn toàn (c) (Trang 65)
Hình B.2.2: Phổ hấp thụ của dung dịch “P3HT chưa tan” với các nồng độ khác nhau. - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
nh B.2.2: Phổ hấp thụ của dung dịch “P3HT chưa tan” với các nồng độ khác nhau (Trang 67)
Hình B.2.3: Phổ hấp thụ dung dịch “P3HT tan một phần” với các nồng độ khác nhau. - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
nh B.2.3: Phổ hấp thụ dung dịch “P3HT tan một phần” với các nồng độ khác nhau (Trang 68)
Hình B.3.1: Cấu trúc vùng năng lượng của pin mặt trời được khảo sát - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
nh B.3.1: Cấu trúc vùng năng lượng của pin mặt trời được khảo sát (Trang 80)
Sau quá trình pha tạp photpho cho c-Si thể hiện trong bảng B.3.1: - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
au quá trình pha tạp photpho cho c-Si thể hiện trong bảng B.3.1: (Trang 81)
Đường đặc trưng I-V (hình B.3.3a) cho thấy pin có đặc trưng I-V khá kém chứng tỏ các lớp tiếp xúc giữa P3HT và c-Si  n+ 3h chưa tốt - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
ng đặc trưng I-V (hình B.3.3a) cho thấy pin có đặc trưng I-V khá kém chứng tỏ các lớp tiếp xúc giữa P3HT và c-Si n+ 3h chưa tốt (Trang 83)
Hình B.3.5a: Đặc trưng I-V của pin Si n+ pha tạp 5h - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
nh B.3.5a: Đặc trưng I-V của pin Si n+ pha tạp 5h (Trang 84)
Quá trình chế tạo OLED được minh họa trong hình B.3.10 - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
u á trình chế tạo OLED được minh họa trong hình B.3.10 (Trang 87)
Hình B.3.11: Các mặt mask sử dụng để etching - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
nh B.3.11: Các mặt mask sử dụng để etching (Trang 88)
Hình B.3.15: Đặc trưng L-V của OLED theo nhiệt độ ủ 1000C, 1200C với các độ dày màng P3HT khác nhau. - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
nh B.3.15: Đặc trưng L-V của OLED theo nhiệt độ ủ 1000C, 1200C với các độ dày màng P3HT khác nhau (Trang 91)
Hình B.3.14: Đặc trưng I-V của OLED theo nhiệt độ ủ 1000C, 1200C với các độ dày màng P3HT khác nhau. - Ứng dụng màng P3HT vào chế tạo linh kiện pin mặt trời và diod phát quang hữu cơ
nh B.3.14: Đặc trưng I-V của OLED theo nhiệt độ ủ 1000C, 1200C với các độ dày màng P3HT khác nhau (Trang 91)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TRÍCH ĐOẠN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w