1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

phân tích và thiết kế bộ giao thoa mach-zehnder cho phân cực plasma bề mặt

68 866 4

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 68
Dung lượng 14,2 MB

Nội dung

BỘ GIÁO DỤC ĐÀO TẠO CỘNG HÒA XÃ HÔI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI Độc lập - Tự do - Hạnh phúc NHIỆM VỤ ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Họ tên sinh viên: QUANG NGỌC HIẾU Số hiệu sinh viên: 20061173 Khoá:51 Viện: Điện tử - Viễn thông Ngành: Điện tử - Viễn Thông 1. Đầu đề đồ án: ……………………………………………… ……………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………………………… ……… 2. Các số liệu dữ liệu ban đầu: …………………………………… …………………………………………… …… …………………………… …………………………………………………………………………………………………………………………… ….… ……………………… ……………………………………………………………………………………. 3. Nội dung các phần thuyết minh tính toán: ……………………………………………………………………………………………………………… …. ……………………………………………………………………………………………………………………………… …… …. ……………………………………………………………………………………………………………………………… ……… ….…………………………………………………………………………………………… 4. Các bản vẽ, đồ thị ( ghi rõ các loại kích thước bản vẽ ): ……………………………………………………………………………………………………………………… …. ………………………………………………………………………………………………………………………… ……….…………………………………………………………………………………………………………. 5. Họ tên giảng viên hướng dẫn:……………………………………………………… ………………… 6. Ngày giao nhiệm vụ đồ án: ………………………………………………….………… 7. Ngày hoàn thành đồ án: ……………………………………………………………………… ……… Ngày tháng năm Chủ nhiệm Bộ môn Giảng viên hướng dẫn Sinh viên đã hoàn thành nộp đồ án tốt nghiệp ngày tháng năm Cán bộ phản biện 1 BỘ GIÁO DỤC ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI BẢN NHẬN XÉT ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Họ tên sinh viên: QUANG NGỌC HIẾU Số hiệu sinh viên: 20061173 Ngành: Điện tử - Viễn thông Khoá: 51 Giảng viên hướng dẫn: PGS.TS. Đào Ngọc Chiến Cán bộ phản biện: 1. Nội dung thiết kế tốt nghiệp: 2. Nhận xét của cán bộ phản biện: Ngày tháng năm Cán bộ phản biện ( Ký, ghi rõ họ tên ) 2 Lời nói đầu Ngày nay, với sự phát triển bùng nổ của khoa học công nghệ các thiết bị điện tử thiết bị quang ngày càng nhỏ đi, các nhà khoa học luôn luôn không ngừng hướng tới các công nghệ mới để tối ưu thu nhỏ kích thước của các thiết bị nhằm thỏa mãn nhu cầu ngày càng cao của con người. Vì thế những cấu trúc nhỏ hơn một nửa bước sóng (subwavelength) ngày càng được quan tâm nghiên cứu phát triển, các khe subwavelength trong các tấm film kim loại mỏng (như vàng, bạc, đồng…) làm cho sự giam hãm ánh sang vượt qua giới hạn của sự nhiễu xạ trong quang học cơ bản. Điều này có vẻ vô lý vì theo lý thuyết nhiễu xạ hiệu suất năng lượng truyền qua khe suy giảm tỷ lệ với, trong đó là đường kính khe, còn là bước sóng. Như vậy phải có một hiệu ứng đặc biệt nào đó đã xảy ra trên bề mặt kim loại khi nó bị kích thích bởi sóng điện từ ở vùng tần số ánh sáng. Gần đây, người ta đã phát hiện chứng minh được sự tồn tại của sóng phân cực plasmon (SPPs - Surface Plasmon Polaritons) trên bề mặt kim loại-điện môi, chính hiệu ứng này làm cho ánh sáng có thể truyền ở kích thước subwavelength. Phân cực plasmon bề mặt (SPPs) là sóng điện từ truyền lan dọc theo bề mặt tiếp xúc giữa kim loai điện môi, nó được kích thích bởi chùm bức xạ điện từ có bước sóng trong vùng nhìn thấy hông ngoại chiếu lên bề mặt tiếp xúc kim loại – điện môi với một số điều kiện nhất định. Mặc dù SPPs là sóng lan truyền suy hao rất nhanh theo hàm mũ với độ dài truyền dẫn khoảng vài , nhưng khoảng đó cũng đủ xa để truyền trong các mạch quang học tích hợp kích thướng nano. Hiệu ứng phân cực plasmon bề mặt được ứng dụng trong các mạch quang tích hợp (IOCs- Integrated Optical Circuits), hứa hẹn tạo ra một thế hệ các chíp máy tính mới hoạt động với tốc độ siêu nhanh, trên cơ sơ đó các máy tính quang học của tương lai sẽ ra đời. Trong máy tính quang học, các bus dữ liệu tín hiệu điện sẽ được thay thế bởi các bus dữ liệu tín hiệu quang, tuy nhiên các linh kiện tử chỉ có thể làm việc với tín hiệu điện, do vậy để máy tính có thể làm việc với bus dữ liệu quang cần có một linh kiện điều chế tín hiệu điện thành tín hiệu quang. Vì vậy nhiêm vụ của đồ án này là phân tích thiết kế linh kiện kiện quang có khả năng điều chế tín hiệu điện thành tín hiệu quang với kích thước nano ứng dụng hiệu ứng phân cực bề mặt. 3 Tôi xin được bày tỏ lời cảm ơn sâu sắc tới PGS-TS Đào Ngọc Chiến, người đã hướng dẫn, chỉ dạy tận tình giúp đỡ tôi trong quá trình thực hiện đồ án. Tôi cũng xin gửi lời cảm ơn chân thành tới gia đình, thầy cô bạn trong phòng nghiên cứu phát triển truyền thông - những người đã luôn giúp đỡ, động viên tạo điều kiện cho tôi hoàn thành đồ án. Sinh viên thực hiện Quang Ngọc Hiếu 4 Tóm tắt đồ án Trong đồ án này, một cấu trúc mới của bộ ghép định hướng bộ giao thoa Mach-Zehnder được giới thiệu trên nền tảng đường truyền kim loại-điện môi-kim loại. Đồng thời khảo sát sự phụ thuộc của tín hiệu đầu ra của chúng theo các thông số kỹ thuật bằng phương pháp vi phân hữu hạn miền thời gian. Bộ giao thoa Mach- Zehnder với một nhánh ống dẫn sóng được điền đầy bởi vật liệu hiệu ứng Pockels được đưa ra để điều khiển ánh sáng theo điện trường ngoài. Kết quả cho thấy rằng: sử dụng vật liệu có hiệu ứng quang điện cao cho phép làm giảm kích thước của thiết bị rất nhiều. Abstract In this thesis, we present a novel directional coupler and Mach-Zehnder interferometer based on metal-dielectric-metal plasmonic waveguide. Dependence of output field intensity of these devices on their parameters is investigated by numerical simulation method using Finite-Difference Time-Domain method (FDTD). The Mach-Zehnder interferometer, with one branch arm filled with Pockels effect material, is proposed to control light by external electromagnetic field. It is found that by using the material with high electro-optic coefficient, size of device can be reduced significantly. 5 Mục lục 6 Danh mục hình vẽ Thuật ngữ viết tắt Từ viết tắt Từ gốc tiếng Anh Nghĩa tiếng Việt 7 DC Directional copler Bộ ghép định hướng DMD Dielectric-metal-dielectric Điện môi-kim loại-điện môi DLSPP W Dielectric-load SPPs wavegiude Ống dẫn sóng tải điện môi EO Electro-optic effect Hiệu ứng điện-quang FDTD Finite-Difference Time Domain Phương pháp vi phân hữu hạn miền thời gian FEM Finite Element Method Phương pháp phần tử hưu hạn MDM Metal-dielectric-metal Kim loại-điện môi-kim loại MZI Mach-Zehnder interferometer Bộ giao thoa Mach-Zehnder SPPs Surface Plasmon Polaritons Phân cực plasmon bề mặt 8 Giới thiệu đề tài Vài thập niên trở lại đây, các mạch quang tích hợp kích thước nano dựa trên cơ sở sóng SPPs được nghiên cứu phát triển trong các phòng thí nghiệm trên thế giới hứa hẹn sẽ tạo ra một thế hệ các chip máy tính máy tính quang học hoạt động ở tốc độ siêu nhanh trong tương lai gần. Với xu thế phát triển như vậy, trong các máy tính quang học của tương lai các bus dữ liệu tín hiệu điện thông thường sẽ được thay thế bởi các bus dữ liệu quang học. Tuy nhiên các hệ thống xử lý tín hiệu hiện nay chỉ có thể làm việc với các tín hiệu điện do vậy yêu cầu đặt ra là cần có nghiên cứu về các thiết bị với kích thước nano có khả năng biến đổi tín hiệu điện thành tín hiệu quang để có thể thực hiện việc kết nối giữa hệ thống với các bus dữ liệu. Loại thiết bị được lựa chọn sử dụng để giải quyết vấn đề này là bộ giao thoa Mach-Zehnder. Bộ giao thoa này đồng thời còn có thể sử dụng như một chuyển mạch quang trong các hệ thống ghép kênh WDM. Với hệ thống thông thường, kích thước của chuyển mạch rất lớn so với kích thước của mạch tích hợp, như vậy sẽ rất khó khi tích hợp nó vào mạch quang tích hợp. Như vậy một bộ giao thoa với kích thước nano sẽ giải quyết tất cả các yêu cầu trên. Đồ án này trình bày phương pháp phân tích kết quả đạt được trong thiết kế bộ giao thoa Mach-Zehnder với kích thước nano. Nội dung đồ án được trình bày làm 3 chương: Ở chương 1 giới thiệu công nghệ mạch quang tích hợp kích thước nano, tìm hiểu hiện trạng của bài toán các vấn đề gặp phải liên quan đến công nghệ nanooptic, động lực để phát triển nghiên cứu thiết kế bộ giao thoa Mach-Zehnder các kết quả mong muốn đạt được. Tiếp theo trong chương 2, các kiến thức cơ bản về lý thuyết trường điện từ (hệ phương trình Maxwell, các phương trình thế điều kiện biên…), lý thuyết cơ bản về hiệu ứng phân cực plasmon bề mặt, lý thuyết mode sóng ghép, hiệu ứng điện quang, phương pháp tính toán trường điện từ giới thiệu công cụ mô phỏng được mô tả một cách chi tiết. 9 Với những kiến thức cơ bản về trường điện từ, hiệu ứng phân cực plasmon bề mặt, nhu cầu nghiên cứu, ý tưởng nghiên cứu phương pháp nghiên cứu phù hợp đã được trình bày trong chương 1 chương 2, tại chương 3 sẽ đi sâu vào trình bày quá trình thiết kế bộ giao thoa Mach-Zehnder cũng như những kết quả đạt được. 10 [...]... điện từ trường phân cực phân cực , thường quy cho là các mode bề mặt điện từ Điện trường của sóng điện từ phân cực với sóng điện từ phân cực song song với bề mặt tiếp xúc trong khi thì nó lại nằm trong mặt phẳng tới Như sẽ được đề cập chi tiết ở phần sau, trong trường hợp đặc biệt của SPP sóng phân cực mới sinh ra sóng truyền bề mặt bởi vì khi đó sự tich điện tương ứng với sự phân cực bề mặt mới có... ngoài Trên cơ sở bộ ghép hiệu ứng điện-quang, nghiên cứu và thiết kế bộ giao thoa Mac-Zehnder ứng dụng sóng SPPs Với việc sử dụng vật liệu hiệu ứng Pockels, tín hiệu ánh sáng trong bộ giao thoa được điều khiển bằng điện áp bên ngoài Do đó, khi đặt tín hiệu điện vào bộ giao thoa, điện trường ngoài tác động lên bộ giao thoa thay đổi làm cho tín hiệu ánh sáng bên trong nó biến đổi theo tín hiệu điện... pháp vi phân hữu hạn miền thời gian (FDTD Trên nền tảng ống dẫn sóng MDM, phân tích thiết kế bộ ghép định hướng (Directional coupler-DC) Từ đó thiết kế bộ ghép 3dB với mục đích chia tín hiệu đầu vào thành hai tín hiệu bằng nhau Nghiên cứu hiệu ứng điện-quang tuyến tính, hiệu ứng Pockels Phân tích sự thay đổi chiết suất của vật liệu theo tác động của điện trường ngoài Trên cơ sở bộ ghép hiệu ứng... xảy ra trên bề mặt kim loại khi nó bị kích thích bởi sóng điện từ ở vùng tần số ánh sáng Gần đây, người ta đã phát hiện chứng minh được sự tồn tại của sóng phân cực plasmon (SPPs Surface Plasmon Polaritons) trên bề mặt kim loại-điện môi, chính hiệu ứng này làm cho ánh sáng có thể truyền ở kích thước subwavelength Phân cực plasmon bề mặt (SPPs) là sóng điện từ truyền lan dọc theo bề mặt tiếp xúc... tạo khung cho việc việc khắc lắng đọng Không giống như điện tử trong đó thiết bị chủ yếu là transitor mạch quang tích hợp không có một loại thiết bị đơn nổi trội Các thiết bị quang tích hợp yêu cầu sự kết nối suy hao thấp giữa các đường dẫn sóng, bộ chia năng lượng, bộ khuếch đại quang học bộ điều chế quang học hình 1.1 Các thiết bị này đòi hỏi phải có nhiều loại vật liệu khác nhau các kỹ... cực bề mặt Kết quả là các ion hay các hạt mang điện tự do chịu sự tác động của lực Coulomb tương tự như lực hấp dẫn đối với các phân tử nước Lực Coulomb tạo ra gia tốc cho các hạt mang điện vì thế tạo ra sự dao động Hoàn toàn tương tự, sự di chuyển tuần hoàn của trạng thái bị phân cực đã tạo ra nguồn điện từ trường, sóng điện từ thay cho sóng nước bị giới hạn bởi bề mặt vật rắn truyền dọc theo bề. .. véc-tơ pháp tuyến đơn vị của bề mặt trong hình 2.1, E1, D1, B1, H1, J1 E2, D2, B2, H2, J2 là của trường ở 2 phía của bề mặt, đồng thời K mật độ của dòng mặt thế mặt Hình 2- 1: Điều kiện biên của E B Nếu véc-tơ thế điện vô hướng được coi như là một biến thì điều kiện biên giữa 2 mặt là: (1.34) Do sự dịch chuyển đối xứng đối với từ trường, điều kiện biên bề mặt là: (1.35) Nếu các bài toán... trường song song với bề mặt tiếp xúc) gây ra sự tích tụ điện tíchbề mặt tiếp xúc, vector điện trường có các thành phần không bị triệt 25 tiêu vuông góc với bề mặt tiếp xúc, thực tế các hạt mang điện bị giữ lại bên trong vật rắn, chúng không thể thoát ra ngoài, kết quả là gây ra một phản lực tạo nên sự dao động cộng hưởng SPPs lan truyền dọc theo bề mặt tiếp xúc Ngược lại một sóng phân cực S (TE) có vector... độ điện trường song song với bề mặt tiếp xúc, do vậy gây nên sự chuyển động của các hạt mang điện song song với bề mặt như vậy sẽ không có phản lực nào được tạo ra kết quả là không tồn tại sự cộng hưởng SPPs Hình 2- 3: Dạng trường điện từ SPP truyền trên bề mặt 2 môi trường Vì SPP là sóng điện từ phân cực , nên véc-tơ cường độ từ trường vuông góc với mặt phẳng – mặt phẳng trong Hình 2.3 Vì thế... truyền dọc theo bề mặt của nó Thêm nữa, sự kích thích bề mặt điện từ trường có nguồn gốc vật lý là sự đổi chỗ cơ học của các hạt mang điện, nguyên tử, phân tử Sự đổi chỗ này dẫn đến hình thành sự phân cực phụ thuộc theo thời gian (P) hay sự từ hóa (M) sự tạo thành trường điện từ phụ thuộc theo thời gian kết hợp gần bề mặt tiếp xúc Vì thế sự kích thích điện từ cơ học không độc lập mà kết hợp với nhau . pháp phân tích và kết quả đạt được trong thiết kế bộ giao thoa Mach-Zehnder với kích thước nano. Nội dung đồ án được trình bày làm 3 chương: Ở chương 1 giới thiệu công nghệ mạch quang tích hợp. sử dụng phương pháp vi phân hữu hạn miền thời gian (FDTD. Trên nền tảng ống dẫn sóng MDM, phân tích và thiết kế bộ ghép định hướng (Directional coupler-DC). Từ đó thiết kế bộ ghép 3dB với mục đích. sở bộ ghép và hiệu ứng điện-quang, nghiên cứu và thiết kế bộ giao thoa Mac-Zehnder ứng dụng sóng SPPs. Với việc sử dụng vật liệu hiệu ứng Pockels, tín hiệu ánh sáng trong bộ giao thoa được điều

Ngày đăng: 18/06/2014, 14:16

Nguồn tham khảo

Tài liệu tham khảo Loại Chi tiết
1. S. A. Maier, “Plasmonics: Fundamentals and Applications” (Springer Science 2007) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Plasmonics: Fundamentals and Applications
2. G. Veronis, S. Fan, “Mode of subwavelength plasmonic slot waveguides”, J Sách, tạp chí
Tiêu đề: Mode of subwavelength plasmonic slot waveguides
13. D.K. Gramotnev, K.C. Vernon, D.F.P. Pi le, “Directional coupler using gap plasmon waveguides”, Appl. Phys. B, 93, 99–106 (2008) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Directional coupler using gap plasmon waveguides
14. J. R. Salgueiro, Y. Kivshar, “Nonlinear Plasmonic directional coupler”, Appl Sách, tạp chí
Tiêu đề: Nonlinear Plasmonic directional coupler
15. R. A. Washsheh, Z. Lu, A. G. Abushagur, “Nanoplasmonic couplers and splitters”, Opt. Express 17, 19033–19040 (2009) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Nanoplasmonic couplers and splitters
16. ZHan. Liu, E. Forsberg, “Ultra-compact directional couplers and Mach- Zehnder interferometers employing surface Plasmon polaritons”, Opt Sách, tạp chí
Tiêu đề: Ultra-compact directional couplers and Mach-Zehnder interferometers employing surface Plasmon polaritons
17. R. A. Wahsheh, Z. Lu, and M. A. G. Abushagur, “Nanoplasmonic Directional Couplers and Mach-Zehnder Inerferometers”, Opt. Commun. 282(23), 4622–4626 (2009) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Nanoplasmonic DirectionalCouplers and Mach-Zehnder Inerferometers
18. M. Pu, N. Yao, C. Hu, X. Xin, Z. Zhao, C. Wang, X. Luo, “Directional coupler and nonlinear Mach-Zehnder interferometer based on metal- insulator-metal plasmonic waveguide”, Opt. Express 18, 21030–21037 (2010) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Directional coupler and nonlinear Mach-Zehnder interferometer based on metal-insulator-metal plasmonic waveguide
19. C. L. Chen, “Foundations for Guided-Wave Optics”, (Wiley, 2006), chap.6 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Foundations for Guided-Wave Optics”
20. Amnon Yariv, “Coupled-Mode Theory for Guided-Wave Optics”, IEEE, Journal of Quantum Electronics, QE-9(9), 919 (1973) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Coupled-Mode Theory for Guided-Wave Optics
21. W. Huang, J. Mu, “Complex coupled-mode theory for optical waveguides”, Opt. Express 17, 19134–19152 (2009) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Complex coupled-mode theory for optical waveguides
22. Y. Avrahami, “BaTiO3 based materials for Piezoelectric and Electro-Optic Applications”, (PhD. thesis, Massachusetts, Institute of Technology, 2003) Sách, tạp chí
Tiêu đề: BaTiO3 based materials for Piezoelectric and Electro-Optic Applications
23. C. Mueller, “The Electro-Optic Effect”, (Readign Notes, University of Florida, 2010) Sách, tạp chí
Tiêu đề: The Electro-Optic Effect
24. BaTiO 3 , Foctek Photonics, Inc. “http://www.foctek.net/products/crystals/Ce_BaTiO3.htm” Sách, tạp chí
Tiêu đề: http://www.foctek.net/products/crystals/Ce_BaTiO3.htm

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 1- 1: Mạch quang tích hợp - phân tích và thiết kế bộ giao thoa mach-zehnder cho phân cực plasma bề mặt
Hình 1 1: Mạch quang tích hợp (Trang 13)
Hình 1- 2: tốc độ hoạt động cùng kích cỡ của các công nghệ chip - phân tích và thiết kế bộ giao thoa mach-zehnder cho phân cực plasma bề mặt
Hình 1 2: tốc độ hoạt động cùng kích cỡ của các công nghệ chip (Trang 15)
Hình 2- 2: Dạng trường điện tử ở bề mặt tiếp xúc giữa 2 lớp - phân tích và thiết kế bộ giao thoa mach-zehnder cho phân cực plasma bề mặt
Hình 2 2: Dạng trường điện tử ở bề mặt tiếp xúc giữa 2 lớp (Trang 25)
Hình 2- 3: Dạng trường điện từ SPP truyền trên bề mặt 2 môi trường - phân tích và thiết kế bộ giao thoa mach-zehnder cho phân cực plasma bề mặt
Hình 2 3: Dạng trường điện từ SPP truyền trên bề mặt 2 môi trường (Trang 26)
Hình 2- 5: Cấu hình hệ thống 3 lớp gồm lớp mỏng I - phân tích và thiết kế bộ giao thoa mach-zehnder cho phân cực plasma bề mặt
Hình 2 5: Cấu hình hệ thống 3 lớp gồm lớp mỏng I (Trang 30)
Hình 2- 6: Quan hệ của các mode SPP kết hợp của hệ thống 3 lớp bạc/không khí/bạc, với độ dầy lừi là 100nm (đường đứt nột màu xỏm), 50nm (đường đứt nột màu đen) và 25nm (đường liền màu đen) - phân tích và thiết kế bộ giao thoa mach-zehnder cho phân cực plasma bề mặt
Hình 2 6: Quan hệ của các mode SPP kết hợp của hệ thống 3 lớp bạc/không khí/bạc, với độ dầy lừi là 100nm (đường đứt nột màu xỏm), 50nm (đường đứt nột màu đen) và 25nm (đường liền màu đen) (Trang 32)
Hình 2- 7: Bộ ghép định hướng với hai ống dẫn sóng: (a) hai tấm điện môi và (b) hai kênh dẫn - phân tích và thiết kế bộ giao thoa mach-zehnder cho phân cực plasma bề mặt
Hình 2 7: Bộ ghép định hướng với hai ống dẫn sóng: (a) hai tấm điện môi và (b) hai kênh dẫn (Trang 34)
Hình 2- 8: Mode đối xứng và phản đối xứng của cấu trúc phức hợp - phân tích và thiết kế bộ giao thoa mach-zehnder cho phân cực plasma bề mặt
Hình 2 8: Mode đối xứng và phản đối xứng của cấu trúc phức hợp (Trang 35)
Hình 2- 10: Mô hình chiết suất ellip với n 11 , n 22 , n 33  là các chỉ số trục tọa độ - phân tích và thiết kế bộ giao thoa mach-zehnder cho phân cực plasma bề mặt
Hình 2 10: Mô hình chiết suất ellip với n 11 , n 22 , n 33 là các chỉ số trục tọa độ (Trang 38)
Hình 2- 11: Cách chia cell trong FDTD - phân tích và thiết kế bộ giao thoa mach-zehnder cho phân cực plasma bề mặt
Hình 2 11: Cách chia cell trong FDTD (Trang 43)
Hình 2- 12: Tính toán trong FDTD - phân tích và thiết kế bộ giao thoa mach-zehnder cho phân cực plasma bề mặt
Hình 2 12: Tính toán trong FDTD (Trang 44)
Hình 2- 13: Thuật toán FDTD - phân tích và thiết kế bộ giao thoa mach-zehnder cho phân cực plasma bề mặt
Hình 2 13: Thuật toán FDTD (Trang 45)
Hình 3- 1. Cấu trúc ống dẫn sóng kim loại-điện môi-kim loại (a) và phân bố điện trường bên trong nó (b). - phân tích và thiết kế bộ giao thoa mach-zehnder cho phân cực plasma bề mặt
Hình 3 1. Cấu trúc ống dẫn sóng kim loại-điện môi-kim loại (a) và phân bố điện trường bên trong nó (b) (Trang 48)
Hình 3- 2. Sự phụ thuộc của độ dài truyền dẫn (a) và chiết suất hiệu ứng (b) vào bước sóng làm việc. - phân tích và thiết kế bộ giao thoa mach-zehnder cho phân cực plasma bề mặt
Hình 3 2. Sự phụ thuộc của độ dài truyền dẫn (a) và chiết suất hiệu ứng (b) vào bước sóng làm việc (Trang 49)
Hình 3- 3. Cấu trúc bộ ghép định hướng . - phân tích và thiết kế bộ giao thoa mach-zehnder cho phân cực plasma bề mặt
Hình 3 3. Cấu trúc bộ ghép định hướng (Trang 51)
Hình 3- 4. Sự phụ thuộc của cường độ tín hiệu đầu ra và chiều dài tương tác L. - phân tích và thiết kế bộ giao thoa mach-zehnder cho phân cực plasma bề mặt
Hình 3 4. Sự phụ thuộc của cường độ tín hiệu đầu ra và chiều dài tương tác L (Trang 52)
Hình 3- 6. Phân bố trường trong bộ ghép vói chiều dài tương tác 800nm. - phân tích và thiết kế bộ giao thoa mach-zehnder cho phân cực plasma bề mặt
Hình 3 6. Phân bố trường trong bộ ghép vói chiều dài tương tác 800nm (Trang 54)
Hình 3- 8. Sự phụ thuộc của tín hiệu đầu ra vào bước sóng làm việc λ (a) và độ rộng d (b). - phân tích và thiết kế bộ giao thoa mach-zehnder cho phân cực plasma bề mặt
Hình 3 8. Sự phụ thuộc của tín hiệu đầu ra vào bước sóng làm việc λ (a) và độ rộng d (b) (Trang 56)
Hình 3- 10. Phân bố trường trong bộ ghép với d=10nm. Năng lượng truyền từ ống dẫn sóng phía trên  xuống ống dẫn sóng phía dưới - phân tích và thiết kế bộ giao thoa mach-zehnder cho phân cực plasma bề mặt
Hình 3 10. Phân bố trường trong bộ ghép với d=10nm. Năng lượng truyền từ ống dẫn sóng phía trên xuống ống dẫn sóng phía dưới (Trang 58)
Hình 3- 11. Cấu trúc bộ giao thoa Mach-Zehnder. - phân tích và thiết kế bộ giao thoa mach-zehnder cho phân cực plasma bề mặt
Hình 3 11. Cấu trúc bộ giao thoa Mach-Zehnder (Trang 60)
Hình 3- 12. Phân bố trường trong bộ giao thoa trong hai trường hợp: không có điện - phân tích và thiết kế bộ giao thoa mach-zehnder cho phân cực plasma bề mặt
Hình 3 12. Phân bố trường trong bộ giao thoa trong hai trường hợp: không có điện (Trang 61)
Hình 3- 13. Phân bố trường trong bộ giao thoa trong hai trường hợp có điện trường ngoài tác động. - phân tích và thiết kế bộ giao thoa mach-zehnder cho phân cực plasma bề mặt
Hình 3 13. Phân bố trường trong bộ giao thoa trong hai trường hợp có điện trường ngoài tác động (Trang 62)
Hình 3- 14. Sự phụ thuộc của tín hiệu đầu ra vào chiết suất (a) và chiều dài (b) của nhánh 2. - phân tích và thiết kế bộ giao thoa mach-zehnder cho phân cực plasma bề mặt
Hình 3 14. Sự phụ thuộc của tín hiệu đầu ra vào chiết suất (a) và chiều dài (b) của nhánh 2 (Trang 63)
Hình 3- 15. Phân bố trường trong bộ giao thoa khi chiều dài nhánh 2 bằng 270nm và chiết suất của nó bằng 2.3. - phân tích và thiết kế bộ giao thoa mach-zehnder cho phân cực plasma bề mặt
Hình 3 15. Phân bố trường trong bộ giao thoa khi chiều dài nhánh 2 bằng 270nm và chiết suất của nó bằng 2.3 (Trang 64)
Hình 3- 16. Phân bố trường trong bộ giao thoa với chiết suất nhánh 2 bằng 1.8 và chiều dài 620nm. - phân tích và thiết kế bộ giao thoa mach-zehnder cho phân cực plasma bề mặt
Hình 3 16. Phân bố trường trong bộ giao thoa với chiết suất nhánh 2 bằng 1.8 và chiều dài 620nm (Trang 66)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w