Tổng hợp bột huỳnh quang rgok3aif6mn4+ phát quang ánh sáng đỏ định hướng trong chế tạo điốt phát quang ánh sáng trắng

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI VIỆN TIÊN TIẾN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ - LUẬN VĂN THẠC SĨ Tổng hợp bột huỳnh quang rGO/K3AlF6:Mn4+ phát quang ánh sáng đỏ định hướng chế tạo điốt phát quang LÊ QUỐC ĐẠT Chuyên ngành: Mã số: Giảng viên hướng dẫn: Vật lý kỹ thuật CB190221 TS Nguyễn Duy Hùng Chữ ký GVHD Viện: Tiên tiến Khoa học Công nghệ Hà Nội, 2021 i CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập – Tự – Hạnh phúc BẢN XÁC NHẬN CHỈNH SỬA LUẬN VĂN THẠC SĨ Họ tên tác giả luận văn: Lê Quốc Đạt Đề tài luận văn: Tổng hợp bột huỳnh quang rGO/K3AlF6:Mn4+ phát quang ánh sáng đỏ định hướng chế tạo điốt phát quang ánh sáng trắng Chuyên ngành: Vật lý kỹ thuật Mã số SV: CB190221 Tác giả, Người hướng dẫn khoa học Hội đồng chấm luận văn xác nhận tác giả sửa chữa, bổ sung luận văn theo biên họp Hội đồng ngày 27 tháng 11 năm 2021 với nội dung sau: - Lỗi tả, chỉnh hình ảnh có kích thước phù hợp: Đã chỉnh sửa - In nghiêng đại lượng vật lý: Đã chỉnh sửa - Điền đầy đủ thông tin (Vol., pp.) tài liệu tham khảo: Đã chỉnh sửa - Phần “Lời cảm ơn”: cảm ơn nhóm cung cấp vật liệu rGO, đề tài Nafosted: Đã chỉnh sửa - Phần “Kết luận”, ghi rõ điều kiện tốt để tổng hợp vật liệu: Đã chỉnh sửa - Không để trống lớn cuối trang: Đã chỉnh sửa - Vì dùng phương pháp hóa học, nên cụm từ “tổng hợp” thay cho cụm từ “chế tạo”: Đã chỉnh sửa - Phần “Thực nghiệm”: rõ phương pháp chế tạo rGO, sửa lại tài liệu tham khảo phù hợp: Đã chỉnh sửa - Sửa lại phương trình 2.1 2.2: Đã chỉnh sửa - Hình ảnh phân tích cần ghi rõ mẫu khảo sát điều kiện cụ thể: chỉnh sửa - Tóm tắt luận văn để riêng trang: Đã chỉnh sửa Hà Nội, Ngày 30 tháng 11 năm 2021 Giáo viên hướng dẫn Tác giả luận văn CHỦ TỊCH HỘI ĐỒNG ii LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan kết khoa học trình bày luận văn thành nghiên cứu thân tơi nhóm nghiên cứu suốt thời gian học tập Viện Tiên tiến Khoa học Công nghệ - Đại học Bách Khoa Hà Nội Các kết đạt luận văn xác hồn tồn trung thực, khơng chép tài liệu khác Hà Nội, ngày tháng năm 2021 Giáo viên hướng dẫn Học viên cao học TS Nguyễn Duy Hùng Lê Quốc Đạt iii LỜI CẢM ƠN Đầu tiên, em xin bày tỏ lòng biết ơn chân thành sâu sắc đến TS Nguyễn Duy Hùng, thầy trực tiếp hướng dẫn, định hướng khoa học cho em suốt trình học tập nghiên cứu Tiếp đó, em xin cảm ơn TS Dương Thanh Tùng, thầy nhiệt tình giúp đỡ, bảo em suốt trình nghiên cứu đề tài Em xin cảm ơn đến TS Nguyễn Thị Lan hướng dẫn cung cấp vật liệu khử graphen oxit (rGO) để em có kết nghiên cứu trình bày luận văn Ngồi ra, em xin trân thành cảm ơn Quỹ Nafosted hỗ trợ kinh phí thực luận văn thơng qua đề tài mã số: 103.03-2019.45 iv TÓM TẮT NỘI DUNG LUẬN VĂN Trong khuôn khổ luận văn, vật liệu huỳnh quang phát xạ đỏ K3AlF6:Mn4+ tổng hợp thành công phương pháp trao đổi ion Vật liệu huỳnh quang tổng hợp, nghiên cứu cải thiện độ bền vật liệu rGO Trong trình tổng hợp, vật liệu nghiên cứu cách có hệ thống nhằm tối ưu điều kiện ảnh hưởng lên tính chất quang huỳnh quang vật liệu Vật liệu phân tích thiết bị XRD, SEM, FESEM, EDX, Raman, quang huỳnh quang kích thích huỳnh quang, … đại, độ xác cao Vật liệu sau tổng hợp thử nghiệm chế tạo WLED có số hồn màu cao Học viên Lê Quốc Đạt v MỤC LỤC LỜI CAM ĐOAN i LỜI CẢM ƠN ii TÓM TẮT NỘI DUNG LUẬN VĂN ii DANH MỤC CÁC CHỮ VIẾT TẮT VÀ KÍ HIỆU v DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ vii DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU ix MỞ ĐẦU CHƯƠNG TỔNG QUAN 1.1 Giới thiệu chung 1.1.1 Ảnh hưởng trường tinh thể lên tách mức lượng ion TM 1.1.2 Tính chất phát quang ion Mn4+ trường tinh thể 1.1.3 Các nghiên cứu bột huỳnh quang pha tạp Mn4+ 11 1.1.4 Nghiên cứu tăng cường độ bền bột huỳnh quang dựa mạng chứa gốc florit pha tạp ion Mn4+ 15 1.2 Vật liệu rGO 16 1.3 Các nghiên cứu trước hệ K3AlF6:Mn4+ 18 CHƯƠNG PHƯƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM VÀ CÁC PHÉP PHÂN TÍCH TÍNH CHẤT CỦA VẬT LIỆU 20 2.1 Phương pháp trao đổi ion 20 2.2 Tổng hợp K3AlF6 pha tạp ion Mn4+ phương pháp trao đổi ion 20 2.2.1 Chuẩn bị hóa chất, thiết bị dụng cụ thí nghiệm 20 2.2.2 Quy trình tổng hợp K3AlF6 pha tạp Mn4+ 21 2.3 Quy trình bọc bột huỳnh quang K3AlF6:Mn4+ rGO 22 2.3.1 Chuẩn bị hóa chất dụng cụ thí nghiệm 22 2.3.2 Quy trình bọc bột huỳnh quang K3AlF6:Mn4+ rGO 22 2.4 Các phương pháp phân tích tính chất vật liệu 24 2.4.1 Phân tích cấu trúc phổ XRD 24 2.4.2 Phân tích hình thái bề mặt kích thước hạt thiết bị hiển vi điện tử quét phát xạ trường (FESEM) 25 2.4.3 Phân tích thành phần phổ tán xạ lượng tia X (EDX) 25 2.4.4 Phổ dao động phân tử Raman 26 2.4.5 Phổ huỳnh quang kích thích huỳnh quang 27 2.4.6 Phổ thời gian sống 28 vi 2.4.7 Phổ UV-Vis 29 2.4.8 Đo đại lượng quang thử nghiệm chip LED 30 CHƯƠNG KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 32 3.1 Nghiên cứu ảnh hưởng phương pháp tổng hợp đến cấu trúc pha, hình thái vật liệu K3AlF6:Mn4+ 32 3.1.1 Phân tích cấu trúc tinh thể vật liệu K3AlF6:Mn4+ 32 3.1.2 Hình thái bề mặt thành phần vật liệu K3AlF6:Mn4+ 34 3.1.3 Khảo sát tính chất quang vật liệu K3AlF6:Mn4+ 35 3.2 Nghiên cứu ảnh hưởng sau bọc rGO vào K3AlF6:Mn4+ đến cấu trúc pha, hình thái vật liệu K3AlF6:Mn4+ 40 3.2.2 Phân tích cấu trúc tinh thể vật liệu K3AlF6:Mn4+ sau bọc rGO 41 3.2.3 Phổ Raman mẫu bột K3AlF6:Mn4+ @rGO 42 3.2.4 Hình thái bề mặt thành phần vật liệu K3AlF6:Mn4+@rGO 43 3.2.5 Khảo sát tính chất quang vật liệu K3AlF6:Mn4+@rGO 44 3.2.6 Nghiên cứu cải thiện độ chịu ẩm rGO bột huỳnh quang K3AlF6:Mn4+ 48 3.2.7 Thử nghiệm bột huỳnh quang chế tạo WLED 49 KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ 51 KẾT LUẬN 51 KIẾN NGHỊ 51 CƠNG TRÌNH KHOA HỌC ĐÃ CÔNG BỐ 52 TÀI LIỆU THAM KHẢO 53 vii DANH MỤC CÁC CHỮ VIẾT TẮT VÀ KÍ HIỆU Ký hiệu Tiếng anh Tên tiếng Việt λem Emission wavelength Bước sóng phát quang λexc Excitation wavelength Bước sóng kích thích ∆E Transition energy Năng lượng chuyển tiếp τ Decay time Thời gian sống huỳnh quang D Dimensions of space Chiều không gian C Carbon Cacbon Ra Color rendering index Chỉ số hoàn màu R9 Red color rendering index Chỉ số hoàn màu đỏ Chữ viết tắt Tên tiếng Anh Tên tiếng Việt LED Light emitting diode Đi-ốt phát ánh sáng WLED White light emitting diode Đi-ốt phát ánh sáng trắng TM Transition metals Kim loại chuyển tiếp rGO Reduce graphen oxide Graphen khử ơxít GO Graphen oxide Graphen ơxít CF Crystal field Trường tinh thể HOPG Highly oriented pyrolytic graphite Than chì pyrolytic định hướng cao CVD Chemical Vapor Deposition Lắng đọng hóa học GIC Graphite intercalation compound Hợp chất xen kẽ than chì EG Expanded graphene Than chì dãn nở XRD X-ray diffraction Nhiễu xạ tia X FESEM Field emission scanning electron microscope Hiển vi điện tử quét phát xạ trường EDX Energy-dispersive X-ray spectroscopy Phổ tán sắc lượng tia X Uv-Vis Ultraviolet-Visible spectroscopy Phổ hấp thụ phân tử PL Photoluminescence Huỳnh quang PLE Photolumminescence excitation Kích thích huỳnh quang VB Valence band Vùng hóa trị viii CB Conduction band Vùng dẫn AO Atomic orbitals Quỹ đạo nguyên tử LS Levels split Hạng tử lượng AIST Advanced Institute for Science and Technology Viện Tiên tiến Khoa học Công nghệ IQE Internal quantum efficiency Hiệu suất lượng tử nội ZPL Zero phonon line Đỉnh Zero Phonon Line CRI Color rendering index Độ hoàn màu CTT Correlated color temperature Nhiệt độ màu UV Ultraviolet Cực tím TEM Transmission electron microscope Kính hiển vi điện tử truyền qua FTIR Fourier – transform infrared spectroscopy Fourier - quang phổ hồng ngoại biến đổi XPS X-ray photoelectron spectroscopy Phổ tán sắc lượng tia X ICP-OES Inductively coupled plasma optical emission spectroscopy Quang phổ phát xạ Plasma kết hợp cảm ứng ix DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ Hình 1.1 Sự tương tác năm obitan d với phối tử trường tinh thể bát diện Hình 1.2 Sự tách mức AO d tâm ion TM phối trí bát diện Hình 1.3 Dãy quang phổ tham khảo Hình 1.4 Sự phân chia lượng quỹ đạo d Hình 1.5 Sự tách mức lượng AO d ion trung tâm trường tinh thể phối trí đối xứng khác Hình 1.6 Giản đồ Tanabe-Sugano ion Mn4+ cấu trúc bát diện (C/B = 4,7) Hình 1.7 a) Phổ PL PLE bột huỳnh quang Ba2GdSbO6: Mn4+ b) Hình ảnh bột huỳnh quang chiếu sáng tia UV tọa độ màu bột huỳnh quang 11 Hình 1.8 Phổ PL PLE K3AlF6:Mn4+ 13 Hình 1.9 Phổ PL Mn4+ khối bát diện (a) (b) lệch 13 Hình 1.10 (a) Cường độ huỳnh quang tích phân theo nhiệt độ (b) WLED chế tạo bổ sung bột quang florít pha tạp ion Mn4+ 14 Hình 1.11 a) Khảo sát bột huỳnh quang nước theo thời gian b) Phổ PL so sánh loại vật liệu bọc 15 Hình 1.12 Sơ đồ tổng hợp rGO thông qua khử GO 16 Hình 1.13 Phổ PL PLE so sánh trước sau bọc GQD mẫu KSF 17 Hình 1.14 a) Phổ EL pcLED so sánh mẫu không bọc, bọc GO b) Thời gian thử nghiệm phủ LED mẫu tương ứng môi trường 85 oC, độ ẩm 85% 17 Hình 1.15 a) Phổ PL PlE b) Tích phân ổn định nhiệt thời gian sống K3AlF6:Mn4+, c) Chỉ số Ra R9 ứng với nhiệt độ làm việc khác d) Tọa độ màu WLED 18 Hình 2.1 Sơ đồ quy trình tổng hợp bột huỳnh quang K3AlF6:Mn4+ 21 Hình 2.2 Sơ đồ quy trình bọc K3AlF6:Mn4+ rGO thơng qua phương pháp học 23 Hình 2.3 XRD tinh thể 24 Hình 2.4 Sơ đồ tán xạ Rayleigh Raman 27 x Ngoài ra, phổ PL nhiệt độ thấp cho thấy vật liệu trước sau bọc rGO hình dạng phổ vị trí đỉnh phổ khơng có khác biệt Tuy nhiên tăng nhiệt độ thay đổi cường độ huỳnh quang hai mẫu có khác Đối với mẫu khơng bọc rGO tích phân cường độ PL không thay đổi nhiều từ 10 K đến khoảng 150 K tăng lên nhiệt độ tăng lên đến 270 K giảm 300 K Sự tăng tích phân cường độ PL giải thích tăng cường cường độ PL vùng Anti-Stoke Cường độ PL đỉnh AntiStoke tăng lên giải thích hiệu ứng nhiệt phát quang điều xảy mạnh mẽ có bổ trợ rGO (rGO dẫn nhiệt tốt) [74] Do đó, với mẫu bọc rGO tích phân cường độ PL tăng mạnh tăng nhiệt độ từ 10 K đến 270 K Tiếp tục gia nhiệt cho mẫu cường độ PL tích phân hai trường hợp giảm cho vùng nhiệt độ xác suất điện tử bị bắt bới tâm không phát quang tăng lên nhiều so với phát quang tương tác với phonon Để đánh giá khả ứng dụng vật liệu chế tạo WLED, đồng thời đánh giá hiệu suất phát quang, vật liệu đo phổ PL theo nhiệt độ từ nhiệt độ phòng 25 oC tới 240 oC Kết cho thấy tất đỉnh phát xạ rộng chút nhiệt độ tăng, cầu vai dần biến nhiệt độ lớn 120 oC Đỉnh ZPL Stoke giảm mạnh Anti-Stoke Sự giảm cường độ phát quang chủ yếu hấp thụ rung động phonon tăng cường ion Mn4+ nhiệt độ tăng lên Điện tử tâm phát quang Mn4+ di chuyển với gia tốc lớn nên xác suất nhảy lên mức lượng cao để phát xạ đỉnh Anti-Stoke, bị bắt sai hỏng nhiều Các đỉnh mở rộng cho rung động mạng nhiệt độ cao bán kính ion lớn phối trí đỉnh ion Al3+ gây [75] Bên cạnh đó, tăng nhiệt độ, cường độ huỳnh quang K3AlF6:Mn4+ trước sau bọc suy giảm Sự suy giảm tích phần cường độ PL cho photon bị bắt sai hỏng tăng lên nhiệt độ tăng Tuy nhiên nhiệt độ tăng suy giảm tích phân cường độ PL mẫu không bọc rGO giảm nhanh so với mẫu bọc rGO Hiện tượng được giải thích trongphổ PL nhiệt độ thấp, mẫu bọc 40 ppm rGO có tăng cường đỉnh Ati-Stoke đáng kể so với mẫu không bọc Bên cạnh đó, nghiên cứu hiệu suất huỳnh quang bột huỳnh quang K3AlF6 pha tạp Mn4+ khảo sát cách sử dụng cầu tích phân vật liệu kích thích bước sóng 455 nm nhiệt độ phòng Hiệu suất lượng tử nội (IQE) bột huỳnh quang xác định dựa phổ PL nguồn kích thích bột huỳnh quang vẽ hình 3.19 Giá trị IQE bột huỳnh quang tính cơng thức sau: η= ∫I P ∫ IE − IS 46 (3.2) Trong 𝜂𝜂 hiệu suất lượng tử, ∫ 𝐼𝐼𝑃𝑃 tích phân cường độ phổ phát quang bột huỳnh quang theo bước sóng, ∫ 𝐼𝐼𝑆𝑆 ∫ 𝐼𝐼𝐸𝐸 tích phân cường độ phổ kích thích có khơng có bột huỳnh quang theo bước sóng Hình 3.19 IQE K3AlF6:6 mol.%Mn4+ kích thích bước sóng 455nm Từ quang phổ hình 3.19, giá trị IQE bột huỳnh quang K3AlF6: Mn4+ tính tốn khoảng 25% Trong đó, bột huỳnh quang bọc 40 ppm rGO có giá trị khoảng 14% Sự khác IQE, điều chứng tỏ lớp rGO làm giảm hiệu suất lượng tử bột huỳnh quang Để làm sáng tỏ điều mẫu bột huỳnh quang không bọc bọc rGO với tỷ lệ khối lượng khác phân tích thơng qua phép đo thời gian phân rã phần sau Sự ảnh hưởng rGO lên thời gian sống điện tử Hình 3.20 a) Phổ thời gian phân rã mẫu K3AlF6: 6mol.% Mn4+@rGO ứng với nồng độ khác nhau, b) Thời gian sống trung bình mẫu theo nồng độ 47 Tương tự mẫu không bọc, vật liệu tiếp tục khảo sát thời gian phân rã mẫu bọc nồng độ rGO khác để xem xét ảnh hưởng khối lượng rGO bọc lên tính chất quang vật liệu Hình 3.20 cho thấy thời gian phân rã mẫu giảm dần tăng nồng độ bọc rGO từ ppm đến 100 ppm Sự suy giảm thời gian phân rã sai hỏng bề mặt mẫu tăng lên q trình bọc vật liệu có sử dụng rung siêu âm với tần số cao Ngoài ra, lớp bọc rGO lên bên ngồi hấp thụ photon phát có sai hỏng hấp thụ photon phát từ hạt bột huỳnh quang nên dẫn tới thời gian phân rã giảm theo tỷ lệ rGO bọc tăng lên 3.2.6 Nghiên cứu cải thiện độ chịu ẩm rGO bột huỳnh quang K3AlF6:Mn4+ Hình 3.21 Phổ tích phân PL chuẩn hóa mẫu K3AlF6: mol.% Mn4+@rGO khảo sát nhiệt độ 85oC độ ẩm 85% 30 ngày Với đặc tính kị nước rGO nên đề tài lựa chọn rGO bọc K3AlF6:Mn4+ nhằm cải thiện độ chịu ẩm vật liệu Để kiểm tra độ chịu ẩm, mẫu bột huỳnh quang bọc rGO theo tỷ lệ khối lượng khác thử nghiệm môi trường nhiệt độ 85oC độ ẩm 85% Thời gian thử nghiệm kéo dài 30 ngày Kết quan sát cường độ PL theo thời gian cho thấy cường độ phát quang mẫu giảm dần theo thời gian khảo sát Sự suy giảm huỳnh quang ion Mn4+ hạt bột huỳnh quang bị oxi hóa sau tiếp xúc với ẩm nước phản ứng trình bày Từ kết thử nghiệm cho thấy với tỉ lệ khối lượng rGO tăng lên giảm cường độ huỳnh quang chậm dần (Hình 3.21) Sự suy giảm cường độ khác theo tỷ lệ rGO hạt bột huỳnh quang rGO bao bọc khác Cụ thể bọc 48 với tỷ lệ đến 20 ppm rGO, suy giảm cường độ huỳnh quang vật liệu không khác nhiều so với bột huỳnh quang không bọc, sau 30 ngày cường độ PL lại khoảng 25 – 30 % so với chưa thử nghiệm Điều lượng rGO chưa đủ để bao bọc hết hạt bột huỳnh quang nên tiếp xúc với ẩm, nước dễ dàng tiếp xúc với toàn hạt bột Khi lượng rGO bọc tăng lên cường độ huỳnh quang bột huỳnh quang giảm chậm dần, với mẫu bọc 40, 60, 80, 100 ppm cường độ PL cịn lại 45%, 60%, 85% 90% so với chưa thử nghiệm Như thấy lượng rGO tăng lên mẫu bảo vệ khỏi phân huỷ độ ẩm tốt Nếu nhìn giảm cường độ PL mẫu bọc 100 ppm rGO thấy gần khơng có giảm đáng kể Việc tăng khối lượng rGO lúc bọc tăng cường xác suất hạt tinh thể bọc màng rGO nhiều hơn; xong việc ảnh hưởng không nhỏ đến khả phát quang bột huỳnh quang K3AlF6: 6mol.% Mn4+ Vì việc cân đối độ bền phát quang bột huỳnh quang trình bọc rGO cần xem xét lựa chọn cho phù hợp 3.2.7 Thử nghiệm bột huỳnh quang chế tạo WLED Hình 3.22 a) Tọa độ màu CIE, b) phổ màu K3AlF6: 6mol.% Mn4+ WLED, c) Chỉ số Ra R9 WLED khảo sát theo nhiệt độ làm việc Để nghiên cứu tiềm ứng dụng bột huỳnh quang K3AlF6:Mn4+ chiếu sáng trắng, mẫu K3AlF6 pha tạp mol.% Mn4+ có khơng bọc rGO 49 trộn với bột YAG:Ce3+ thương mại (545 nm) trước phủ lên chip LED (445 nm) để tiến hành khảo sát Sau phủ hỗn hợp bột huỳnh quang lên chíp LED phổ điện huỳnh quang thu có vùng phổ tương tự bao gồm vùng ánh sáng màu xanh lam có đỉnh 455 nm chíp LED, vàng 545 nm bột huỳnh quang YAG:Ce3+ đỏ 628 nm bột huỳnh quang K3AlF6:Mn4+ Để thu WLED có số CRI CCT tốt có thể, tỷ lệ khối lượng thành phần bột YAG:Ce3+ K3AlF6:Mn4+ thay đổi phủ lên chíp LED Bảng 3.1 Bảng khảo sát tỷ lệ khối lượng YAG:Ce3+ K3AlF6:6 mol.% Mn4+ số WLED Tỉ lệ khối lượng Ra R9 CCT YAG: Ce3+ K3AlF6: Mn4+ 79 32 3615 88 83 3410 82 89 3371 3+ Kết thử nghiệm thu WLED với tỉ lệ YAG:Ce /K3AlF6: 6mol % 4+ Mn 1:5 có CRI CCT 88 3410 K với tọa độ màu WLED hoạt động nhiệt độ 25 oC x = 0,3928 y = 0,3482 Tương tự với bột K3AlF6: mol.% Mn4+ @rGO, tỷ lệ khối lượng với YAG:Ce3+ thay đổi kết thể bảng 3.2 Bảng 3.2 Tỉ lệ khối lượng K3AlF6:6 mol.% Mn4+@rGO YAG:Ce3+ số WLED Tỉ lệ khối lượng Ra R9 CCT YAG:Ce3+ K3AlF6:Mn4+ 88 83 3410 20 5.7843 87 67 3366 40 7.1556 90 79 3202 60 8.5027 90 91 3292 80 9.4548 89 86 3269 100 11.993 89 90 3112 Từ bảng thấy phủ bột huỳnh quang K3AlF6: mol.% 4+ Mn @rGO tỷ lệ khối lượng bột K3AlF6: mol.% Mn4+@rGO với khối lượng YAG:Ce3+ tăng lên tỷ lệ rGO tăng Điều giải thích suy giảm cường độ PL lượng rGO bọc tăng lên Kết thử nghiệm cho thấy phổ màu mẫu K3AlF6:Mn4+@ rGO thể hình 3.22b Khi khảo sát WLED nhiệt độ khác nhau, số CRI không đổi, số R9 tăng cho thấy đồ bền bột huỳnh quang tổng hợp cao YAG:Ce3+ thương mại hình 3.22c Điều chứng tỏ K3AlF6: 6mol.% Mn4+@ 40 ppm rGO phù hợp cho ứng dụng chiếu sáng với ánh sáng ấm ổn định hoạt động nhiệt độ môi trường 100 oC Nồng độ (ppm) 50 KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ KẾT LUẬN Trong khuôn khổ luận văn, bột huỳnh quang K3AlF6:Mn4+ tổng hợp phương pháp trao đổi ion Từ kết nghiên cứu cho thấy: Bột huỳnh quang K3AlF6:Mn4+ phát quang vùng ánh sáng đỏ với cực đại 628 nm hấp thụ mạnh vùng ánh sáng xanh lam với cực đại 467 nm Bột huỳnh quang tổng hợp tối ưu với nhiệt độ phản ứng 30 oC nồng độ pha tạp ion Mn4+ mol.% Kích thước hạt nằm khoảng từ 100 nm đến 150 nm Vật liệu có cường độ huỳnh quang đạt 40% nhiệt độ 150 oC so với nhiệt độ phòng Bột huỳnh quang K3AlF6:Mn4+ bọc rGO phương pháp trộn học Bột huỳnh quang bọc với tỷ lệ khối lượng rGO khác cho thấy cường độ huỳnh quang bột huỳnh quang giảm dần khối lượng rGO tăng lên Bột huỳnh quang bọc rGO chứng minh cải thiện tính kị nước thử nghiệm môi trường độ ẩm 85% nhiệt độ 85 oC Bôt huỳnh quang thử nghiệm chế tạo WLED Kết thử nghiệm cho thấy bột huỳnh quang phát quang vùng ánh sáng đỏ cải thiện Ra WLED với Ra ~ 90 KIẾN NGHỊ Luận văn có số kết nghiên cứu hệ vật liệu bột huỳnh quang K3AlF6:Mn4+ Tuy nhiên, cần phải có thêm điều kiện khảo sát phép đo để kết nghiên cứu chứng minh làm sáng tỏ như: Khảo sát thêm thời gian phản ứng, điều kiện để kiểm tra thời lượng Mn4+ vào mạng cách tốt Cần tăng thời gian kiểm tra mẫu bột trước bọc sau bọc trước sau phủ LED thấy cải thiện vật liệu sau bọc Hơn nữa, cần có phép thử bột khác khảo sát nước nghiên cứu khác Cần thêm phép đo như: XPS hay ICP-OES để khẳng định thành phần pha tạp thực tế ion Mn4+ vào mạng K3AlF6, FTIR để tiếp tục bổ trợ cho Raman UV-Vis việc khẳng định độ rGO 51 CƠNG TRÌNH KHOA HỌC ĐÃ CƠNG BỐ Le Quoc Dat; Duong Thanh Tung; Nguyen Duy Hung, “Synthesis and Waterproofness Improvement of K3AlF6:Mn4+ Phosphor for Warm White Lightemitting Diodes”, VNU Journal of Science: Mathematics - Physics, Vol 37, No 3, Sep 2021, https://doi.org/10.25073/2588-1124/vnumap.4613 52 TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] [2] Y Zhang, Y Dong, J Xu, and B Wei, “Ge4+, Eu3+- codoped Y2SiO5 as a novel red phosphor for white LED applications”, Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, Vol 214, No 5, pp 1600731 (1-7), 2017 X Huang, B Li, H Guo, and D Chen, “Molybdenum-doping-induced photoluminescence enhancement in Eu3+ - activated CaWO4 red-emitting phosphors for white light-emitting diodes”, Dyes and Pigments, Vol 143, pp 86–94, 2017 [3] J Wan, Q Liu, G Liu, Z Zhou, J Ni, and R J Xie, “A novel Eu2+ activated G-La2Si2O7 phosphor for white LEDs: SiC - reduction synthesis, tunable luminescence and good thermal stability”, Journal of Materials Chemistry C, Vol 5, No 7, pp 1614–1623, 2017 [4] E Fred Schubert, “Light - Emitting Diodes (3rd Edition)”, Rensselaer Polytechnic Institute Troy, New York, USA, 2018 R.-J Xie, Y Q Li, N Hirosaki, and H Yamamoto, “Nitride Phosphors and Solid-State Lighting”, CRC Press, Taylor & Francis, Informa, Boca Raton, Florida, USA, 2011 D Chen, Y Zhou, and J Zhong, “A review on Mn4+ activators in solids for warm white light-emitting diodes”, RSC Advances, Vol 6, No 89, pp 86285–86296, 2016 [5] [6] [7] J Y Park, J S Joo, H K Yang, and M Kwak, “Deep red-emitting Ca14Al10Zn6O35: Mn4+ phosphors for WLED applications”, Journal of Alloys and Compounds, Vol 714, pp 390–396, 2017 [8] Y Liu, G Gao, L Huang, Y Zhu, X Zhang, J Yu, B S Richards, T Xuan, Z Wang and J Wang, “Co-precipitation synthesis and photoluminescence properties of BaTiF6:Mn4+: An efficient red phosphor for warm white LEDs”, Journal of Materials Chemistry C, Vol 6, No 1, pp 127–133, 2017 [9] J Zhuang, Z Xia, H Liu, Z Zhang, and L Liao, “The improvement of moisture resistance and thermal stability of Ca3SiO4Cl2:Eu2+ phosphor coated with SiO2”, Applied Surface Science, Vol 257, No 9, pp 4350– 4353, 2011 [10] P Arunkumar, Y H Kim, H J Kim, S Unithrattil, and W bin Im, “Hydrophobic Organic Skin as a Protective Shield for Moisture-Sensitive Phosphor-Based Optoelectronic Devices”, ACS Applied Materials and Interfaces, Vol 9, No 8, pp 7232–7240, 2017 [11] D Huang, H Zhu, Z Deng, Q Zou, H Lu, X Yi, W Guo, C Lu, X Chen, “Moisture-Resistant Mn4+ - Doped Core–Shell-Structured Fluoride Red Phosphor Exhibiting High Luminous Efficacy for Warm White Light53 Emitting Diodes”, Angewandte Chemie - International Edition, Vol 58, No 12, pp 3843–3847, 2019 [12] Y Y Zhou, E H Song, T T Deng, and Q Y Zhang, “Waterproof Narrow-Band Fluoride Red Phosphor K2TiF6:Mn4+ via Facile Superhydrophobic Surface Modification”, ACS Applied Materials and Interfaces, Vol 10, No 1, pp 880–889, 2018 [13] X Liu, Y Shi, Y Dong, H Li, Y Xia, and H Wang, “A facile solvothermal approach for the synthesis of novel W-doped TiO2 nanoparticles/reduced graphene oxide composites with enhanced photodegradation performance under visible light irradiation”, New Journal of Chemistry, Vol 41, No 22, pp 13382–13390, 2017 [14] W Ahn, M -H Seo, T K Pham, Q H Nguyen, V T Luu, Y Cho, Y.-W Lee, N Cho, and S -K Jeong, “High lithium-ion transport through rGOwrapped LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2 cathode material for high-rate capable lithium-ion batteries”, Frontiers in Chemistry, Vol 7, pp 1–10, 2019 [15] J N -Collazo, J -L Maldonado, J S -Cruz, D B -Argüelles, I C Quintana, C V -Espinosa, D R -Borja, “Functionalized and reduced graphene oxide as hole transport layer and for use in ternary organic solar cell”, Optical Materials, Vol 98, pp 109434 (1-15), 2019 [16] S M Mousavi, F W Low, S A Hashemi, N A Samsudin, M Shakeri, Y Yusoff, M Rahsepar, C W Lai, A Babapoor, S Soroshnia, S M Goh, S K Tiong, and N Amin “Development of hydrophobic reduced graphene oxide as a new efficient approach for photochemotherapy”, RSC Advances, Vol 10, No 22, pp 12851–12863, 2020 [17] M Silberberg, “Chemistry: The Molecular Nature of Matter and Change”, McGraw-Hill Education, Penn Plaza, New York, NY 10121, 2015 [18] J G Solé, L E Bausá, and D Jaque, “An Introduction to the Optical Spectroscopy of Inorganic Solids”, John Wiley & Sons Ltd, The Atrium, Southern Gate, Chichester,West Sussex PO19 8SQ, England 2005 [19] W M Yen, S Shionoya, and H Yamamoto, “Phospho handbook (Section edition)”, CRC Press, Taylor & Francis, Informa, Boca Raton, Florida, USA, 2007 [20] M G Brik, S J Camardello, and A M Srivastava, “Influence of Covalency on the Mn4+ 2Eg → 4A2g Emission Energy in Crystals”, ECS Journal of Solid-State Science and Technology, Vol 4, No 3, pp R39– R43, 2015 [21] S Sugano, Y Tanabe, and H Kamimura, “Multiplets of transition-metal ions in crystals”, Pure and Applied Physics, Vol 26, No 7, pp 521-522, 1970 [22] Q Zhou, L Dolgov, A M Srivastava, L Zhou, Z Wang, J Shi, M D Dramićanin, M G Brik, and M Wu, “Mn2+ and Mn4+ red phosphors: 54 Synthesis, luminescence and applications in WLEDs A review”, Journal of Materials Chemistry C, Vol 6, No 11, pp 2652–2671, 2018 [23] J Zhong, S Zhou, D Chen, J Li, Y Zhu, X Li, L Chen, Z Ji, “Enhanced luminescence of a Ba2GdSbO6:Mn4+ red phosphor via cation doping for warm white light-emitting diodes”, Dalton Transactions, Vol 47, No 25, pp 8248–8256, 2018 [24] T Lang, T Han, S Fang, J Wang, S Cao, L Peng, B Liu, V I Korepanov, A N Yakovlev, “Improved phase stability of the metastable K2GeF6:Mn4+ phosphors with high thermal stability and water-proof property by cation substitution”, Chemical Engineering Journal, Vol 380, pp 122429 (1-7), 2020 [25] E H Song, J Q Wang, S Ye, X F Jiang, M Y Peng, and Q Y Zhang, “Room-temperature synthesis and warm-white LED applications of Mn4+ ion doped fluoroaluminate red phosphor Na3AlF6:Mn4+”, Journal of Materials Chemistry C, Vol 4, No 13, pp 2480–2487, 2016 [26] Y Y Zhou, E H Song, T T Deng, and Q Y Zhang, “Waterproof Narrow-Band Fluoride Red Phosphor K2TiF6:Mn4+ via Facile Superhydrophobic Surface Modification”, ACS Applied Materials and Interfaces, Vol 10, No 1, pp 880–889, 2018 [27] W Zhou, M H Fang, S Lian, and R S Liu, “Ultrafast SelfCrystallization of High-External-Quantum-Efficient Fluoride Phosphors for Warm White Light-Emitting Diodes”, ACS Applied Materials and Interfaces, Vol 10, No 21, pp 17508–17511, 2018 [28] M H Fang, H D Nguyen, C C Lin, and R S Liu, “Preparation of a novel red Rb2SiF6:Mn4+ phosphor with high thermal stability through a simple one-step approach”, Journal of Materials Chemistry C, Vol 3, No 28, pp 7277–7280, 2015 [29] H F Sijbom, J J Joos, L I D J Martin, K V D Eeckhout, D Poelman, and P F Smet, “Luminescent Behavior of the K2SiF6:Mn4+ Red Phosphor at High Fluxes and at the Microscopic Level”, ECS Journal of Solid-State Science and Technology, Vol 5, No 1, pp R3040–R3048, 2016 [30] E Song, Y Y Zhou, X B Yang, Z F Liao, W Zhao, T -T Deng, L Y Wang, Y Y Ma, Shi Ye, and Q Zhang, “Highly Efficient and Stable Narrow-Band Red Phosphor Cs2SiF6:Mn4+ for High-Power Warm White LED Applications”, ACS Photonics, Vol 4, No 10, pp 2556–2565, 2017 [31] S Zhang, H Wei, Y Zhou, X Wang, L Xu, and H Jiao, “Green synthesis of K2TiF6:Mn4+ using KHF2 as accessory ingredient: A novel airtight solidstate strategy”, Optical Materials, Vol 86, pp 165–171, 2018 [32] F Hong, H Cheng, G Liu, X Dong, W Yu, and J Wang, “Controlled Morphology, Improved Photoluminescent Properties, and Application of 55 an Efficient Non-rare Earth Deep Red-Emitting Phosphor”, Inorganic Chemistry, Vol 57, No 16, pp 9892–9901, 2018 [33] E Song, J Wang, J Shi, T -T Deng, S Ye, M Peng, J Wang, L Wondraczek, and Q Zhang, “Highly Efficient and Thermally Stable K3AlF6:Mn4+ as a Red Phosphor for Ultra-High-Performance Warm White Light-Emitting Diodes”, ACS Applied Materials and Interfaces, Vol 9, No 10, pp 8805–8812, 2017 [34] H Cheng, Y Song, G Liu, D Li, X Dong, J Wang, and Wensheng Yu, “Hydrothermal synthesis of narrow-band red emitting K2NaAlF6:Mn4+ phosphor for warm-white LED applications”, RSC Advances, Vol 7, No 72, pp 45834–45842, 2017 [35] L -L Wei, C C Lin, M -H Fang, M G Brik, S.-F Hu, H Jiao, and R S Liu, “A low-temperature co-precipitation approach to synthesize fluoride phosphors K2MF6:Mn4+ (M = Ge, Si) for white LED applications”, Journal of Materials Chemistry C, Vol 3, No 8, pp 1655–1660, 2015 [36] Y Jin, M -H Fang, M Grinberg, S Mahlik, T Lesniewski, M G Brik, G -Y Luo, J G Lin, and R -S Liu, “Narrow Red Emission Band Fluoride Phosphor KNaSiF6:Mn4+ for Warm White Light-Emitting Diodes”, ACS Applied Materials and Interfaces, Vol 8, No 18, pp 11194–11203, 2016 [37] H Ming, J Zhang, S Liu, J Peng, F Du, J Huang, L Xia, X Ye, “A green synthetic route to K2NbF7:Mn4+ red phosphor for the application in warm white LED devices”, Optical Materials, Vol 86, pp 352–359, 2018 [38] Y Zhu, L Huang, R Zou, J Zhang, J Yu, M Wu, J Wang, and Q Sua, “Hydrothermal synthesis, morphology and photoluminescent properties of Mn4+-doped Novel Red Fluoride Phosphor Elpasolite K2LiAlF6”, Materials Chemistry C, Vol 4, pp 5690-5695, 2016 [39] T Hu, H Lin, Y Cheng, Q Huang, J Xu, Y Gao, J Wang, Y Wang, “A highly-distorted octahedron with C2v group symmetry inducing an ultraintense zero phonon line in Mn4+ - activated oxyfluoride Na2WO2F4”, Journal of Materials Chemistry C, Vol 5, No 40, pp 10524–10532, 2017 [40] J Zhou, Y Chen, C Jiang, B Milićević, M S Molokeev, M G Brik, I A Bobrikov, J Yan, J Li, M Wu, “High moisture resistance of an efficient Mn4+ - activated red phosphor Cs2NbOF5:Mn4+ for WLEDs”, Chemical Engineering Journal, Vol 405, pp 126678 (1-7), 2021 [41] Y Jia, Y Pan, Y Li, L Zhang, H Lian, and J Lin, “Improved MoistureResistant and Luminescence Properties of a Red Phosphor Based on Dodec-fluoride K3RbGe2F12:Mn4+ through Surface Modification”, Inorganic Chemistry, Vol 60, No 1, pp 231–238, 2021 [42] R Verstraete, G Rampelberg, H Rijckaert, I V Driessche, E Coetsee, M -M Duvenhage, P F Smet, C Detavernier, H Swart, and D Poelman, 56 “Stabilizing Fluoride Phosphors: Surface Modification by Atomic Layer Deposition”, Chemistry of Materials, Vol 31, No 18, pp 7192–7202, 2019 [43] Q Dong, C Guo, L He, X Lu, and J Yin, “Improving the moisture resistance and luminescent properties of K2TiF6: Mn4+ by coating with CaF2”, Materials Research Bulletin, Vol 115, pp 98–104, 2019 [44] Y -X Liu, J -X Hu, L -C Ju, C Cai, V -B Hao, S -H Zhang, Z -W Zhang, X Xu, X Jian, L -J Yin, “Hydrophobic surface modification toward highly stable K2SiF6:Mn4+ phosphor for white light-emitting diodes”, Ceramics International, Vol 46, No 7, pp 8811–8818, 2020 [45] C Jiang, L Li, M G Brik, L Lin, and M Peng, “Epitaxial growth: Via anti-solvent-induced deposition towards a highly efficient and stable Mn4+ doped fluoride red phosphor for application in warm WLEDs”, Journal of Materials Chemistry C, Vol 7, No 20, pp 6077–6084, 2019 [46] M H Fang, C S Hsu, C Su, W Liu, Y H Wang, and R S Liu, “Integrated Surface Modification to Enhance the Luminescence Properties of K2TiF6:Mn4+ Phosphor and Its Application in White-Light-Emitting Diodes”, ACS Applied Materials and Interfaces, Vol 10, No 35, pp 29233–29237, 2018 [47] S H M Akhair, Z Harun, H Basri, R A R Ahmad, A Q A Rashid, and F H Azhar, “Hydrophobicity properties of graphite and reduced graphene oxide of the polysulfone (PSf) mixed matrix membrane”, International Journal of Engineering, Transactions B: Applications, Vol 31, No 8, pp 1381–1388, Aug 2018 [48] X Z Yu, C G Hwang, C M Jozwiak, A Köhl, A K Schmid, and A Lanzara, “New synthesis method for the growth of epitaxial graphene”, Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, Vol 184, pp 100–106, 2011 [49] P K Narayanam, P Soni, V D Botcha, G Singh, and S S Major, “Transparent and Hydrophobic ‘reduced Graphene Oxide-Titanium Dioxide’ Nanocomposites for Nonwetting Device Applications”, ACS Applied Nano Materials, Vol 1, No 10, pp 5691–5701, 2018 [50] Y Liu, Y Li, Y Feng, J Meng, S Liao, Y Huang, H Zhang, “Effects of graphene quantum dots coating on the luminescence properties of K2SiF6:Mn4+ red-emitting phosphors”, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Vol 31, No 1, pp 444–456, 2020 [51] G Anoop, J R Rani, J Lim, M S Jang, D W Suh, S Kang, S C Jun, and J S Yoo, “Reduced graphene oxide enwrapped phosphors for longterm thermally stable phosphor converted white light emitting diodes”, Scientific Reports, Vol 6, pp 33993 (1-9), 2016 57 [52] S Adachi and T Takahashi, “Photoluminescent properties of K2GeF6: Mn4+ red phosphor synthesized from aqueous HF/KMnO4 solution”, Journal of Applied Physics, Vol 106, No 1, pp 2–8, 2009 [53] H Zhu, C C Lin, W Luo, S Shu, Z Liu, Y Liu, J Kong, E Ma, Y Cao, R -S Liu, and X Chen, “Highly efficient non-rare-earth red emitting phosphor for warm white light-emitting diodes”, Nature Communications, Vol 5, pp 4312 (1-10), 2014 [54] Y Zhu, L Huang, R Zou, J Zhang, J Yu, M Wu, J Wang and Q SU, “Hydrothermal synthesis, morphology and photoluminescent properties of Mn4+ - doped Novel Red Fluoride Phosphor Elpasolite K2LiAlF6”, Journal of Materials Chemistry C, Vol 4, No 24, pp 5690–5695, 2019 [55] M.P Lavin-Lopez, A Paton-Carrero, L Sanchez-Silva, J.L Valverde, A Romero, “Influence of the reduction strategy in the synthesis of reduced graphene oxide”, Advanced Powder Technology, Vol 28, pp 3195–3203, 2017 [56] C Suryanarayana and M Grant Norton, “X-Ray Diffraction A Practical Approach”, Springer Science + Business Media, LLC, 2017 [57] G S Bumbrah and R M Sharma, “Raman spectroscopy – Basic principle, instrumentation and selected applications for the characterization of drugs of abuse”, Egyptian Journal of Forensic Sciences, Vol 6, No 3, pp 209– 215, 2016 [58] S Lohumi, M S Kim, J Qin, and B K Cho, “Raman imaging from microscopy to macroscopy: Quality and safety control of biological materials”, TrAC - Trends in Analytical Chemistry, Vol 93, pp 183–198, 2017 [59] J G Solé, L E Bausá, and D Jaque, “An Introduction to the Optical Spectroscopy of Inorganic Solids”, John Wiley & Sons Ltd, The Atrium, Southern Gate, Chichester, West Sussex PO19 8SQ, England, 2005 [60] S S Leong, W M Ng, J K Lim, and S P Yeap, “Dynamic light scattering: Effective sizing technique for characterization of magnetic nanoparticles”, Springer International Publishing AG, part of Springer Nature, 2018 [61] A F Henwood and E Z -Colman, “Luminescent Iridium Complexes Used in Light-Emitting Electrochemical Cells (LEECs)”, Springer Nature Switzerland AG Part of Springer Nature, 2017 [62] A M Abakumova, M D Rossell, A M Alekseeva, S Yu Vassiliev, S N Mudrezova, G V Tendeloo, E V Antipov, “Phase transitions in K3AlF6”, Journal of Solid-State Chemistry, Vol 179, No 2, pp 421–428, 2006 [63] A M Abakumov, G King, V K Laurinavichute, M G Rozova, P M Woodward, and E V Antipov, “The crystal structure of α-K3AIF6: 58 Elpasolites and double perovskites with broken corner-sharing connectivity of the octahedral framework”, Inorganic Chemistry, Vol 48, No 19, pp 9336–9344, 2009 [64] T Senden, R J A van DIjk-Moes, and A Meijerink, “Quenching of the red Mn4+ luminescence in Mn4+ - doped fluoride LED phosphors”, Light: Science and Applications, Vol 7, No 1, pp 1–13, 2018 [65] Q Sun, S Wang, B Devakumar, B Li, L Sun, J Liang, and X Huang, “Synthesis and photoluminescence properties of novel far-red-emitting BaLaMgNbO6:Mn4+ phosphors for plant growth LEDs”, RSC Advances, Vol 8, No 50, pp 28538–28545, 2018 [66] S Gu, Mao Xia, C Zhou, Z Kong, M S Molokeev, L Liu, W -Y Wong, Z Zhou, “Red shift properties, crystal field theory and nephelauxetic effect on Mn4+ - doped SrMgAl10-yGayO17 red phosphor for plant growth LED light”, Chemical Engineering Journal, Vol 396, pp 125208 (1-21), 2020 [67] Y Liu, Y Li, Y Feng, J Meng, Sen Liao, Y Huang, H Zhang, “Effects of graphene quantum dots coating on the luminescence properties of K2SiF6:Mn4+ red-emitting phosphors”, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Vol 31, No 1, pp 444–456, 2020 [68] G King, A M Abakumov, P M Woodward, A Llobet, A A Tsirlin, D Batuk, and E V Antipov “The high-temperature polymorphs of K3AlF6”, Inorganic Chemistry, Vol 50, No 16, pp 7792–7801, 2011 [69] N T K Chi, N T Tuan, N T K Lien, and D H Nguyen, “Red Emission of SrAl2O4:Mn4+ Phosphor for Warm White Light-Emitting Diodes”, Journal of Electronic Materials, Vol 47, No 8, pp 4571–4578, 2018 [70] S Sunderrajan, L R Miranda, and G Pennathur, “Improved stability and catalytic activity of graphene oxide/chitosan hybrid beads loaded with porcine liver esterase”, Preparative Biochemistry and Biotechnology, Vol 48, No 4, pp 343–351, 2018 [71] N M S Hidayah, W -W Liu, C -W Lai, N Z Noriman, C -S Khe, U Hashim, and H C Lee, “Comparison on graphite, graphene oxide and reduced graphene oxide: Synthesis and characterization”, AIP Conference Proceedings, Vol 1892, pp 150002 (1-8), 2017 [72] R Verstraete, H F Sijbom, K Korthout, D Poelman, C Detavernier, and P F Smet, “K2MnF6 as a precursor for saturated red fluoride phosphors: The struggle for structural stability”, Journal of Materials Chemistry C, Vol 5, No 41, pp 10761–10769, 2017 [73] N Ma, J You, L Lu, J Wang, M Wang, and S Wan, “Micro-structure studies of the molten binary K3AlF6-Al2O3 system by: In situ high temperature Raman spectroscopy and theoretical simulation”, Inorganic Chemistry Frontiers, Vol 5, No 8, pp 1861–1868, 2018 59 [74] S Adachi and T Takahashi, “Direct synthesis and properties of K2SiF6:Mn4+ phosphor by wet chemical etching of Si wafer”, Journal of Applied Physics, Vol 104, No 2, pp 6–9, 2008 [75] T T Deng, E H Song, J Su, Y Y Zhou, L Y Wang, S Ye, and Q Y Zhang, “Stable narrowband red emission in fluorotellurate KTeF5:Mn4+: Via Mn4+ noncentral-site occupation”, Journal of Materials Chemistry C, Vol 6, No 16, pp 4418–4426, 2018 60 ... bột huỳnh quang phát quang ánh sáng đỏ, nhà khoa học nghiên cứu phát triển số bột huỳnh quang có giá thành thấp nhằm thay bột huỳnh quang phát ánh sáng đỏ nêu Các bột huỳnh quang phát quang ánh. .. cần phải bổ sung loại bột huỳnh quang phát quang vùng ánh sáng đỏ Bột huỳnh quang phát quang ánh sáng đỏ nghiên cứu thương mại hóa Các bột huỳnh quang phát quang ánh sáng đỏ thương mại chủ yếu... luận văn: Tổng hợp bột huỳnh quang rGO/K3AlF6:Mn4+ phát quang ánh sáng đỏ định hướng chế tạo điốt phát quang ánh sáng trắng Chuyên ngành: Vật lý kỹ thuật Mã số SV: CB190221 Tác giả, Người hướng dẫn