Kết quả FT–IR của Ge, His và Ge–His được thể hiện ở Hình 3.3. Đối với phổ hồng ngoại của Ge nguyên chất cho thấy các dải hấp thụ đặc trưng tại 3557 cm–1 và 3265 cm–1 do dao động giãn của liên kết O–H và liên kết N–H của amide bậc 1 và 2. Phổ của Ge cũng cho thấy ba đỉnh riêng lẻ đặc trưng ở vùng Amide–I (1677 cm–1), Amide–II (1551 cm–1) và Amide–III (1240 cm–1). Đối với phổ hồng ngoại của His nguyên chất cho thấy dải hấp thụ trải dài từ khoảng 2900–3400 cm–1 do dao động giãn của liên kết N–H trong nhóm NH2 và NH. Đỉnh hấp thụ tại 1635 cm–1 đặc trưng của His do dao động của nhóm C=N. Đỉnh hấp thụ tại vị trí 1573 và 1484 cm–1 đặc trưng cho dao động uốn trong mặt phẳng của các nhóm amine trong vòng imidazole. Các đặc trưng trong phổ hồng ngoại của Ge và His phù hợp với các nghiên cứu trước đó [38–41].
Khi tiến hành gắn His lên mạch Ge, phổ hồng ngoại của sản phẩm thể hiện đầy đủ các đỉnh hấp thụ đặc trưng của hai tiền chất ban đầu, tuy nhiên cũng tồn tại một vài thay đổi nhỏ trong phổ. Đầu tiên, dải hấp thụ từ khoảng 2900–3400 cm–1 (do dao động giãn của liên kết N–H trong nhóm NH2 và NH) của His bị thu hẹp lại chỉ còn vào khoảng 3450–3380 cm–1. Thứ hai, đỉnh hấp thụ ở 828 cm–1 (đặc trưng cho các nhóm amine bậc 1) của His biến mất và đỉnh hấp thụ tại vùng Amide–I (đặc trưng cho dao động giãn của liên kết N–H và C=O) và Amide–II (đặc trưng cho dao động uốn của liên kết N–H) của Ge được tăng cường. Tất cả các điều trên được giải thích
như sau: khi tiến hành gắn His lên mạch phân tử Ge dưới sự hoạt hoá của hệ xúc tác EDC/NHS, nhóm NH2 của His kết hợp với nhóm COOH của Ge tạo thành liên kết CO–NH. Khi đó, nhóm NH2 của His bị mất đi do hình thành liên kết khiến đỉnh hấp thụ tại 828 cm–1 bị biến mất và vùng Amide–I và II được tăng cường.