CHƯƠNG 2 PHƯƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM CHẾ TẠO VẬT LIỆU
4.2. Nghiên cứu một số đặc tính cấu hình tích hợp /a-Si/Au NPs/(Au/TiO2 )/ cho
4.2.4. Khảo sát độ hấp thụ của các cấu hình FTO/Au và FTO/Si/Au
Trên Hình 4.11 là phổ hấp thụ quang học của các mẫu trong khoảng bước sóng từ 250 nm – 900 nm (ở đây chúng tôi đã trừ phần hấp thụ của nền FTO khỏi phổ hấp thụ của mẫu). Có thể thấy khơng có nhiều sự khác biệt về mặt hấp thụ đối với các nhóm FA (FTO/Au) khi phổ hấp thụ của chúng gần như trùng vào nhau. Đối với những mẫu này có thể quan sát thấy một đỉnh hấp thụ khá nhọn nằm ở khoảng gần 300 nm và một vùng hấp thụ nhẹ trải dài từ khoảng 550 nm đến vùng hồng ngoại. Đáng chú ý là đỉnh hấp thụ ở vùng tử ngoại của các mẫu này chưa thấy có cơng trình nào cơng bố và lí giải. Vì vậy cần nhiều thời gian hơn nữa để nghiên cứu và tìm hiểu ngun nhân về sự xuất hiện của nó. Đối với các mẫu thuộc nhóm SA (FTO/Si/Au),
cũng có thể quan sát thấy một đỉnh rất rõ ràng ở khoảng hơn 300 nm. Khi so sánh với các mẫu thuộc nhóm FA thì đỉnh này có sự dịch nhẹ về phía bước sóng dài (từ khoảng 290 nm dịch đến khoảng 310 nm) và có độ mở rộng chân hấp thụ mạnh (về phía bước sóng dài). Để giải thích cho điều này, chúng tôi cho rằng các đỉnh (ở khoảng trên 300 nm) này của các mẫu SA là tổ hợp của hai đỉnh hấp thụ bao gồm một đỉnh hấp thụ của Au nằm gần 300 nm (giống như các mẫu FA) và một đỉnh khác thuộc về hấp thụ của Si vơ định hình nằm ở khoảng trên 300 nm. Đáng chú ý là mẫu SA30 (có lớp Au dày nhất và lớp Si giống nhau) lại có đỉnh hấp thụ thấp hơn và hẹp hơn hai mẫu SA10 và SA20 (trong khi đối với các mẫu FA thì các đỉnh này tương tự nhau). Ngun nhân của nó, theo chúng tơi là khi lớp Au quá dày, các cụm Au lớn hơn đã làm giảm khả năng tăng cường hấp thụ đối với Si liền kề của các hạt plasmonics Au.
Hình 4.11. Phổ hấp thụ của đế FA và SA trong khoảng bước sóng từ 250 nm – 900
nm