Qua khảo sát ựặc trưng J-V khi chiếu sáng ở các phần trên, chúng tôi nhận
thấy màng ZnO/CdS cho hiệu suất cao hơn cả. Do ựó hệ màng ZnO/CdS (màng ZnO với ựộ dày ~ 1200 nm có phủ lớp CdS dày 100 nm) sẽ ựược sử dụng làm ựiện cực thu ánh sáng cho việc thử nghiệm chế tạo linh kiện pin mặt trời dạng SSSC. Chất ựiện ly là hỗn hợp dung dịch Na2S 0,1 M và KCl 1M. Linh kiện ựược chế tạo như ựã mô tả trong phần thực nghiệm chế tạo mẫu ở chương 2. Diện tắch của ựiện cực ITO/ZnO/CdS (ựiện cực làm việc) ~ 1,0 cm2. Trên hình 4.35a là ảnh chụp linh kiện ựã ựược chế tạo. Việc ựo ựặc trưng của linh kiện ựược tiến hành thông qua phép ựo ựặc trưng J-V trong ựiều kiện ánh sáng mặt trời thực. Thời ựiểm tiến hành ựo J-V là giữa trưa nắng, trời quang mây. Mật ựộ công suất quang ước tắnh là tiêu chuẩn A.M 1.5 ~ 100 mW/cm2 .
Hình 4.35: Ảnh (a) và sơ ựồ năng lượng (b)của linh kiện pin quang ựiện hóa SSSC.
Hình 4.36 là ựặc trưng J-V khi chiếu sáng linh kiện. Theo ựó, các giá trị của thế hở mạch, dòng ngắn mạch, hệ số ựiền ựầy và hiệu suất của pin lần lượt là 0,68V; 3,16 mA/cm2; 0,33 và 0,71 %. Kết quả này có thể so sánh với các kết quả trong công bố [22], màng ZnO nano-sheets ựơn lớp tẩm CdS ựạt hiệu suất 0,69 %. Tuy nhiên ở màng ZnO nano-sheets ựa lớp ựạt 1,16 %. đây là kết quả của diện tắch tiếp xúc lớn hơn giữa CdS và các hạt ZnO ở màng ựa lớp. Hơn nữa do ựộ xốp cao hơn của màng ựa lớp dẫn ựến việc làm tán xạ ánh sáng trong màng từ ựó tạo ựiều kiện hấp thụ ánh sáng có hiệu quả hơn.
-3000 -2500 -2000
Hình 4.36: đặc trưng J-V của linh kiện pin SSSC dùng chất ựiện ly lỏng.
Kết quả này cho thấy bước ựầu chúng tôi ựã chế tạo ựược các ựiện cực nano composit ZnO/CdS ựáp ứng các yêu cầu cho việc nghiên cứu chế tạo pin mặt trời quang ựiện hóa. Trong ựó sử dụng các hạt nano tinh thể bán dẫn làm chất nhạy sáng. Các nghiên cứu này phù hợp với xu hướng hiện nay trên thế giới là tìm cách chế tạo thế hệ pin mặt trời giá rẻ. Mặt khác chúng còn cho thấy ựây là hướng ựi rất phù hợp với ựiều kiện khoa học công nghệ ở Việt Nam.