Trên cơ sở kết quả nghiên cứu chế tạo và khảo sát các ựiện cực TiO2, ZnO, TiO2/CdS và ZnO/CdS, chúng tôi ựã tiến hành tối ưu hóa ựiều kiện công nghệ chế tạo ựiện cực. Sau ựó những ựiều kiện công nghệ tốt nhất sẽ ựược sử dụng ựể thử nghiệm chế tạo linh kiện pin mặt trời quang ựiện hóa nhằm ựánh giá khả năng chế tạo linh kiện sau này.
Hình 2.5: Ảnh chụp màng ITO/ZnO (a), ựiện cực ITO/ZnO/CdS (b).
Hình 2.5 là ảnh chụp màng ITO/ZnO và ựiện cực ITO/ZnO/CdS. Các bước tiến hành chế tạo và cấu hình của linh kiện ựược mô tả trên hình 2.6.
Hình 2.6: Qui trình lắp ráp linh kiện ITO/ ZnO/CdS/ựiện ly/Au
ITO/ZnO/CdS
Chỗ chứa chất ựiện ly,
bán kắnh ~0,6 cm. ITO/Au
Kết luận chương 2
1. Các công nghệ chế tạo và kỹ thuật phân tắch sẵn có trong nước ựã ựược sử dụng trong luận án. So với các phương pháp hóa học, phương pháp vật lý như: Bốc bay nhiệt, bốc bay chùm tia ựiện tử kết hợp với quá trình xử lý nhiệt có ưu ựiểm là tạo ra ựược màng mỏng có ựộ sạch cao, ựộ bám dắnh ựế tốt và có thể chế tạo trên diện tắch lớn.
2. Các ựiện cực TiO2, ZnO ựược phủ CdS bằng phương pháp bốc bay nhiệt. đây là phương pháp vật lý truyền thống có thể làm cho CdS khuếch tán sâu vào màng TiO2 và ZnO. điều ựó tạo ựiều kiện thuận lợi cho việc trao ựổi ựiện tắch khi sử dụng chúng làm ựiện cực thu ánh sáng trong pin mặt trời quang ựiện hóa.
3. để ựáng giá khả năng ứng dụng các ựiện cực TiO2 và ZnO vào việc chế tạo linh kiện pin mặt trời quang ựiện hóa sau này, chúng tôi ựã thử nghiệm chế tạo linh kiện pin. Các phép ựo ựặc trưng J-V ựược thực hiện dưới ánh sáng của mặt trời thực ựể xác ựịnh các ựại lượng ựặc trưng của pin như thế hở mạch, dòng ngắn mạch, hiệu suất chuyển ựổi năng lượng.
nhiệt kết hợp quá trình xử lý nhiệt.
3.1 đặc ựiểm cấu trúc và hình thái học của màng TiO2 3.1.1 đặc ựiểm cấu trúc của màng TiO2