M ạng điện cung cấp
MÁY NÔNG NGHIỆP 5.1 MÁY LÀM ĐẤT
6.1.1.2. Các dạng pin mặt trờ
Có thể phân chia khái quát thành hai loại pin mặt trời, đó là loại lớp dày và loại lớp mỏng.
* Pin mặt trời lớp dày:
Trên cơ sở nghiê n cứu, các pin mặt trời lớp dày chế tạo từ silic tinh thể đang được phổ biến rộng rãi. Người ta chia nó là m hai loại: Pin mặt trời silic đơn tinh thểvà pin mặt trời silic đa tinh thể.
Các pin mặt trời silíc đơn tinh thể được chế tạo hàng loạt, có hiệu quả cao. Đối với một pin mặt trời ở điều kiện tiê u chuẩn (nhiệt độ 25 0C, công suất bức xạ G = 1000W/m2, phổ bức xạ/khối lượng không khí = 15) có hiệu suất khoảng 13-16%.
Kỹ thuật chế tạo pin mặt trời silic đa tinh thể được mô tả như sau: silic lỏng, tinh thể được rót và là m lạnh thành khối có chiề u dài cạnh đến 40c m. Nhờ đó tạo ra một số lượng giới hạn các tinh thể được định hướng. Các khối sau đó được cắt tương ứng với hướng tinh thể có chiề u dài 10-15cm và tiếp tục thành đĩa (tấm) có chiề u dày 0,4mm. Pin silic đa tinh thể có quá trình chế tạo đơn giả n và có chi phí giả m thiểu nên có hiệ u suất quang điện thấp, chỉ đạt 10-12%.
Hình 6.3 Mặt cắt panen pin mặt trời Tấm kính phủ phía trên Tấm keo EVA Lớp pin mặt trời Tấm keo EVA Tấm đáy
* Pin mặt trời lớp mỏng
Quá trình chế tạo các pin mặt trời cực mỏng từ silic vô định hình có chiều dày lớp khoảng 1 µm, được gọi là pin mặt trời lớp mỏng.
Nhờ quá trình tách pha khi ở 1500C được các lớp silic vô định hình dày khoảng 1 µm. Do có tính chất hấp thụ đặc biệt so với silic tinh thể mà các lớp vô định hình cực mỏng có thể hấp thụ hoàn toàn các phôton.
Đối với pin mặt trời chế tạo từ chất bán dẫn liên kết, các lớp hoạt tính của nó là hỗn hợp của các vật liệu bán dẫn khác nhau, thí dụ galli- arsen, cadmiunfid-đồng sunfid, đồng- indi-selen hoặc silic-ger mani, trong đó pin mặt trời lớp mỏ ng chế tạo từ bán dẫn liê n kết đồng- indi-selen (CiS) có triển vọng phát triển nhất. Ưu thế cơ bản so với silic tinh thể (lớp dày) của loại này là có kết cấu lớp rất mỏng (2 đến 3 µm), điều này cho khả năng hấp thụ ánh sáng tốt hơn.