Cấu trúc bộ nhớ:

Một phần của tài liệu LUẬN VĂN:soạn đề cương thực tập điện, khí nén cho sinh viên ngành điện và mô hình thi công tay máy (Trang 81 - 82)

IV. MẠCH ĐIỀU KHIỂN ĐIỆ N KHÍ NÉN V ỨNG DỤNG PLC TRONG ĐIỀU KHIỂN

b) Cấu trúc bộ nhớ:

Bộ nhớ của S7-200 được chia làm 4 vùng: _ Vùng chương trình.

_ Vùng tham số. _ Vùng dữ liệu.

Trong đó hai vùng nhớ dữ liệu và đối tượng có vai trò quan trọng trong việc thực hiện một chương trình.

Vùng dữ liệu:

. V - Variable memory : Vùng nhớ biến. . I - Input image register : Vùng đệm ngõ vào. . Q - Output image register : Vùng đệm ngõ ra. . M – Internal memory bits : Vùng nhớ trong. . SM – Special memory bits : Vùng nhớ đặc biệt.

- Các vùng nhớ này đều có thể truy cập được theo bit, byte, word hay double word:

+ Truy suất theo bit: Một lần một bit.

Cú pháp: Tên vùng nhớ (+) địa chỉ byte (+) . (+) địa chỉ bit. Ví dụ: I0.0 : chỉ bit 0 của byte 0 của vùng I.

+Truy suất theo byte: mỗi lần 1 byte.

Cú pháp: Tên vùng nhớ (+) B (+) địa chỉ byte. Ví dụ: VB1 : chỉ byte 1 của vùng V.

+Truy suất theo word:

Cú pháp: tên vùng nhớ (+) W (+) địa chỉ byte cao.

Ví dụ: VW100: chỉ word 100 gồm 2 byte 100 và 101 thuộc vùng V. +Truy suất theo Double word:

Cú pháp: Tên vùng nhớ (+) D (+) địa chỉ byte cao.

Ví dụ: VD150 : chỉ double word gồm 4 byte: 150, 151, 152, 153.

Vùng đối tượng: Được phân chia như sau: -Timer: từ T0 đến T127.

-Bộ đếm: từ C0 đến C127.

-Bộ đệm cổng vào tương tự: từ AW0 đến AW30. -Bộ đệm cổng ra tương tự: từ AQW0 đến AQW30.

-Thanh ghi Acumulator: từ AC0 đến AC3, trong đó thanh ghi AC) không có khả năng làm con trỏ.

Một phần của tài liệu LUẬN VĂN:soạn đề cương thực tập điện, khí nén cho sinh viên ngành điện và mô hình thi công tay máy (Trang 81 - 82)

Tải bản đầy đủ (DOC)

(181 trang)
w