- Hệ thống can nhiệt ựể kiểm tra chế ựộ nhiệt trong quá trình xử lý nhiệt chi tiết Vật liệu chịu nhiệt và cách nhiệt cho thực hiện quy trình công nghệ
4.1.1.4.Thiết bị hàn
b. Các biện pháp công nghệ giảm ứng suất, thực hiện sau khi hàn
4.1.1.4.Thiết bị hàn
Thiết bị hàn Plasma với bột hợp kim dùng trong nghiên cứu thử nghiệm có sơ ựồ bố trắ thiết bị cụ thể ựược thể hiện như dưới ựây:
Hình 4-4. Hệ thống thiết bị Hàn Plasma bột
Trong ựó:
1.Nguồn hàn; 2.Mỏ hàn plasma; 3. Bộ ựiều khiển; 4. Thùng bột hàn; 5. Hệ thống dịch chuyển mỏ hàn; 6. Bộ kỹ thuật số ựo lượng khắ; 7. Van ựiện khắ; 8. Khắ plasma và khắ bảo vệ.
4.1.1.3.1. Nguồn hàn
Nguồn hàn tự ựộng trong khắ CO2 phải là nguồn có ựặc tắnh von-amper không ựổi ( ựặc tắnh cứng ).
Nguồn hàn có thể dùng các loại sau: OTC-PTA, DAIHEN SX500
Hình 4-5: Nguồn hàn
Thông số kỹ thuật: - Imax = 400 ọ 600A - Uh tới 50V
Học viện Nông nghiệp Việt Nam Ờ Luận văn Thạc sỹ Khoa học Kỹ thuật Page 63 - Vh: 5-50 m/h
- Cấp bột: 20-150 g/min - điều khiển mềm
4.1.1.3.2. Bộ phận cấp bột hợp kim
Bộ phận cấp bột hợp kim phải ựảm bảo ựược các yêu cầu sau: - Tốc ựộ cấp bột phải ựảm bảo ựộ ổn ựịnh caọ
- đảm bảo các yêu cầu về công nghệ hàn như: Sự gây hồ quang ban ựầu ổn ựịnh, phản hồi ựiện áp hàn phù hợp với yêu càu ựiều khiển, ựiền ựầy vết lõm cuối ựường hàn, trễ khắ..v.v..
Hình 4-6: Giá treo ựồng hồ lưu lượng và giá ựỡ bình bột 4.1.1.3.3. Bộ ựiều khiển chế ựộ công nghệ hàn
để ựiều khiển chế ựộ công nghệ hàn Plasma với bột hợp kim theo các chương trình ựáp ứng yêu cầu thử nghiệm, sử dụng bộ ựiều khiển khả lập trình PLC và các mô ựun mở rộng cho việc ựiều khiển trung tâm của một ựầu hàn.