... tuân thủ giản đồ thời gian IC nhớ (sẽ đề cập đến xét loại nhớ) 7. 3 Các loại nhớbándẫn Có loại nhớbándẫn : - Bộnhớbándẫn đọc : (Read Only Memory, ROM) - Bộnhớ truy xuất ngẫu nhiên : (Random ... trí nhớ khác nhớ không tùy thuộc vào vị trí nhớ Nói cách khác, thời gian truy xuất vị trí nhớ Hầu hết nhớbándẫn nhẫn từ (bộ nhớ máy tính trước nhớbándẫn đời) loại truy xuất ngẫu nhiên - Bộnhớ ... cột (A7 A13 từ CPU) _Nguyễn Trung Lập KỸ THUẬT SỐ ChươngBộnhớbándẫn VII - 17 (H 7. 23) 7. 4 MỞ RỘNG BỘNHỚ Các IC nhớ thường...
... tuân thủ giản đồ thời gian IC nhớ (sẽ đề cập đến xét loại nhớ) 7. 3 Các loại nhớbándẫn Có loại nhớbándẫn : - Bộnhớbándẫn đọc : (Read Only Memory, ROM) - Bộnhớ truy xuất ngẫu nhiên : (Random ... trí nhớ khác nhớ không tùy thuộc vào vị trí nhớ Nói cách khác, thời gian truy xuất vị trí nhớ Hầu hết nhớbándẫn nhẫn từ (bộ nhớ máy tính trước nhớbándẫn đời) loại truy xuất ngẫu nhiên - Bộnhớ ... cột (A7 A13 từ CPU) _Nguyễn Trung Lập KỸ THUẬT SỐ ChươngBộnhớbándẫn VII - 17 (H 7. 23) 7. 4 MỞ RỘNG BỘNHỚ Các IC nhớ thường...
... EPROM thông d ng 27x S hi u c a chip Dung lư ng 271 6 2Kx8 273 2 4Kx8 276 4 8Kx8 271 28 16Kx8 272 56 32Kx8 275 12 64Kx8 B ng 4.1 H EPROM 27x EPROM Sơ chân c a 271 6 273 2 10 11 12 271 6 A7 Vcc A6 A8 A5 A9 ... Tín hi u chân bit a ch th p A0 n A7 ALE =1, bit d li u D0 n D7 ALE = 74 LS 373 D0 Q0 D1 D2 Q1 Q2 D3 Q3 D4 D5 Q4 Q5 D6 D7 OE LE 74 LS 373 Q6 Q7 74 LS 373 Dùng 74 LS 373 tách ch t ch a Mô t chân – Min ... (with 74 245) T1 T2 T3 T4 CLOCK DT/R ALE D7 - D0 D7 - D0 (from memory) from memory to 74 LS245 AD7 - AD0 A7 - A0 A15 - A8 A19/S6 - A16/S3 A19 - A0 from 74 LS 373 to memory garbage D7 - D0 from 74 LS245...
... A0 from 74 LS 373 IO/M RD DEN if I/O ACCESS this is HIGH, if MEMORY ACCESS this is LOW 74 LS 373 D0 Q0 D1 D2 Q1 Q2 D3 Q3 D4 D5 Q4 Q5 D6 D7 OE LE 74 LS 373 Q6 Q7 74 LS 373 Dùng 74 LS 373 để tách ... nhớ bị cấm vi xử lý truy cập cổng I/O Chỉ có chip nhớ hoạt động vi xử lý truy cập nhớ Thực mạch giải mã địa nhớ dùng chip giải mã cổng logic kết hợp hai 4.1 Phân loại nhớbándẫnBộnhớbándẫn ... Min Mode 74 LS245 A0 B0 A1 B1 A2 B2 A3 B3 A4 B4 A5 74 LS245 B5 A6 B6 A7 B7 E DIR Bus hệ thống hệ 8088 Mode Minimum A7 - A0 DEN E DT / R DIR AD7 - AD0 B7 - B0 74 LS245 D7 - D0 Q7 - Q0 D7 - D0 Bus...
... tuân thủ giản đồ thời gian IC nhớ (sẽ đề cập đến xét loại nhớ) 7. 3 Các loại nhớbándẫn Có loại nhớbándẫn : - Bộnhớbándẫn đọc : (Read Only Memory, ROM) - Bộnhớ truy xuất ngẫu nhiên : (Random ... trí nhớ khác nhớ không tùy thuộc vào vị trí nhớ Nói cách khác, thời gian truy xuất vị trí nhớ Hầu hết nhớbándẫn nhẫn từ (bộ nhớ máy tính trước nhớbándẫn đời) loại truy xuất ngẫu nhiên - Bộnhớ ... cột (A7 A13 từ CPU) _Nguyễn Trung Lập KỸ THUẬT SỐ ChươngBộnhớbándẫn VII - 17 (H 7. 23) 7. 4 MỞ RỘNG BỘNHỚ Các IC nhớ thường...
... 1: BỘNHỚBÁNDẪN Người hướng dẫn: Phạm Lê Phương Duy SVTH: Trần Bảo Đồng Tổng Quan Về BộNhớBánDẫn Qui Trình Thiết Kế SoC Trang CHƯƠNG TỔNG QUAN VỀ BỘNHỚBÁNDẪN 1.1 Giới thiệu chung: Bộnhớ ... (ban đầu nhớ flash xóa toàn bộ) Bộnhớ flash rẻ nhiều so với EEPROM Người hướng dẫn: Phạm Lê Phương Duy SVTH: Trần Bảo Đồng Tổng Quan Về BộNhớBánDẫn Qui Trình Thiết Kế SoC Trang CHƯƠNG TẾ ... nhớbándẫn 2.2.2 Tế bào dùng cổng đảo: Bộnhớbándẫn thường chọn mô hình làm khối keeper Khối bao gồm inverter để lưu hai giá trị đảo Hình 5: Tế bào lưu trữ dùng cổng đảo Tùy theo nhớbán dẫn...
... Memory (Bộ nhớ bốc hơi): Bộnhớ cần nguồn điện để lưu trữ thông tin Khi ngắt điện, thông tin lưu trữ bị Nhiều nhớbándẫn thuộc loại nhớ từ không thuộc loại Random-Access Memory (RAM -Bộ nhớ truy ... điện ROM không liệu Static Memory Devices (Bộ nhớ tĩnh) : nhớbándẫn liệu lưu trữ trì nguồn nuôi Dynamic Memory Devices (Bộ nhớ động) : nhớbándẫn liệu lưu trữ muốn tồn phải ghi lại theo ... băng từ, đĩa từ 7. 1 Khái niệm chung Các thuật ngữ liên quan đến nhớ: Read/Write Memory (RWM -Bộ nhớ đọc/ghi ): Bộnhớ ghi vào đọc Read Only Memory(ROM- Bộnhớ đọc): Là loại nhớ chủ yếu xảy...
... • • • Các khối nhớ có kích thước Khối nhớ ảo: trang (page) Khối nhớ thựïc: page frame Mỗi đòa ảo có hai thành phần: Chỉ số trang (page number) Độ dời ô nhớ trang (offset) Mỗi trình ... thường trú nhớ phụ • Khi cần xử lý, trình nạp vào nhớ nạp trang cần thiết thời điểm Một trang nạp vào nhớ có yêu cầu • Với mô hình này, cần cung cấp chế phần cứng giúp phân biệt trang nhớ trang ... khối nhớ có kích thước khác tùy thuộc yêu cầu trình Đòa ảo: Chỉ số đoạn (Segment number) Độ dời ô nhớ đoạn (Displacement) • Ưu điểm: Dễ dàng mở rộng segment, thay đổi tái biên dòch chương...
... Bộnhớbándẫn ROM MROM RAM Flash ROM SRAM PROM PLD DRAM EPROM CHỦ ĐỀ: BỘNHỚBÁNDẪN - THỰC HIỆN: NHÓM (K09CTT1) ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP.HỒ ... thời gian ROM Đọc: Tất loại ROM 17 1.6 Giản đồ thời gian ROM Nạp: Trừ MROM 18 ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP.HỒ CHÍ MINH TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN CHỦ ĐỀ: BỘNHỚBÁNDẪN – LỚP: K09CTT1 - NHĨM 29/04/2010 ... NHIÊN CHỦ ĐỀ: BỘNHỚBÁNDẪN – LỚP: K09CTT1 - NHĨM 29/04/2010 3.1 RAM Có loại RAM tĩnh RAM động • • • • • • DRAM Đơn giản, nhỏ gọn Mật độ cao Giá thành rẻ Cần làm tươi Thích hợp cho Nhớ dung lượng...
... KGVL 13 Thực Bộnhớ ảo Bảng trang : thêm bit valid/invalid để nhận diện trang hay chưa nạp vào RAM Frame 17 4183 177 572 1 valid/invalid 1 Disk Mem Truy xuất đến trang chưa nạp vào nhớ : lỗi trang ... trang nạn nhân nạp M Bộnhớ ảo 12/2/2005 i tái kích hoạt tiến trình Page Table 3’ M frame trống cập nhật bảng trang Bộnhớ vật lý Trần Hạnh Nhi mang trang cần truy xuất vào nhớ 16 Các bước xử lý ... Model Δ ≡ working-set window ≡ số lần truy cập VD: 10,000 instruction 261 577 775 162341234443434441323 Δ=10 WS(t1) = {1,2,5,6 ,7} , WS(t2) = {3,4} WSSi (working set of Process Pi) = tổng số trang truy...
... cell: – – – – R\W = 0: Q3 ON RAS = 1: P1 P2 ON CAS = 1: P3 P4 ON c c gate c a Q7 ñư c n i v i GND thông qua P4, P2 Q2: Q7 s turn-off DOUT = HIGH • Tương t Semiconductor Memory Vi t SRAM • Cell lưu ... 12V (G n i ñ t) D n i 7V, gi ng v i EPROM ñi n t chuy n ñ ng kênh d n s b ñi n trư ng G làm chuy n ñ ng qua vùng oxide ñ n c c floating gate Semiconductor Memory CMOS EEPROM 27C256 Semiconductor ... thông tin thông qua m t access transistor (ho c pass transistor) – ñi n tích t b dò (qua ti p giáp bán d n) thông tin có th b m t c n m t m ch “refresh” ñ nh kỳ vài mili giây • RAM tĩnh (SRAM: Static...
... - > nhớ ảo nhớ logic (bộ nhớ ảo - > nhớ logic) Hình: Các giai đoạn xử lý lỗi trang II Thay trang Nếu khung trang trống, xảy lỗi trang cần phải thực hai thao tác chuyển trang : chuyển trang nhớ ... chuỗi trang: 1, 4, 1, * Thuật toán FIFO: Trang nhớ lâu chọn (vào trước trước) Ví dụ : sử dụng khung trang , ban đầu trống : 3 2 77 2 2 4 0 0 0 7 0 0 3 2 2 1 1 0 1 1 0 3 3 2 2 * * * * * * * * ... Bài 14 Giả sử có máy tính sử dụng 16-bit địa Bộnhớ ảo thực với kỹ thuật phân đoạn kết hợp phân trang, kích thước tối đa phân đoạn 4096 bytes Bộnhớ vật lý phân thành khung trang có kích thước...
... hoán vị chương trình người dùng nhớchương trình người dùng chạy nhanh Do đó, chạy chương trình mà không nằm hoàn toàn nhớ có lợi cho người dùng hệ thống Bộnhớ ảo tách biệt nhớ luận lý từ nhớ vật ... Trên hệ thống hỗ trợ nhớ ảo, việc phủ lắp biến Hình 0-1 Lưu đồ minh hoạ nhớ ảo lơn nhớ vật lý Thêm vào đó, việc tách biệt nhớ luận lý từ nhớ vật lý, nhớ ảo cho phép tập tin nhớ chia sẻ trình khác ... điểm) Nó cho phép trình thực thi yêu cầu nhớ vượt toàn bộnhớ vật lý sẳn có Những trình chạy nhớ ảo Nếu tổng số yêu cầu nhớ vượt nhớ vật lý, cần thay trang từ nhớ tới khung trang trống cho trang Những...
... hạt nhân ? A Tấn B 10- 27 kg C MeV/c2 D u ( đơn vị khối lượng nguyên tử ) 14 − 15 Hãy chọn câu đúng: Hạt nhân C phóng xạ β Hạt nhân sinh là: A 5p 6n B 6p 7n C 7p 7n D 7p 6n 16 Hạt nhân sau phân ... D Phóng xạ tuân theo định luật phóng xạ Chu kỳ bán rã chất phóng xạ thời gian sau đó: A Số hạt nhân phóng xạ lại số hạt nhân bị phân rã B Một nửa ... B 6p 7n C 7p 7n D 7p 6n 16 Hạt nhân sau phân hạch ? A 239U B 238U C 12 C D 239 Pb 92 92 94 17 Hãy chọn câu sai: Những điều kiện cần phải có để tạo nên phản ứng hạt nhân dây chuyền ? A Sau...
... 60.5 50 .7 91.6 88.5 87. 0 Số đọc bàn độ Đứng Ngang 87 54'40" 90.00.00 93.10.20 89.20.00 91.00.20 10 20'20" 15.00.00 25.10.20 27. 00.00 30.20.00 l (mm) 1450 0925 1142 1420 1500 S (m) 0.420 50 .70 0 91.319 ... đường tim b Đo độ cao II C0 III C1 C2 + + 40 II C0 + T 25 b' T +15 a' III C1 C3 + 70 IV 60 C2 + + 40 70 I A IV (hình 7- 1) 64 P +10 a P +25 b C3 + 60 Sau lập xong đường tim, dùng máy thủy chuẩn mia, ... 1420 1500 S (m) 0.420 50 .70 0 91.319 85.488 86. 973 62 V Δh (m) H (m) Ghi Cột điện +2 05'20" +2.20 12.20 Địa hình 0.00.00 +0.52 10.52 Tim -3.10.20 -4 .76 5.24 đường +0.40.00 +1.02 11.02 Góc nhà -1.00.20...
... GV hướng dẫn HS trả lời C1: Nếu nối hai tụ điện tích điện với dây dẫn xảy tượng phóng điện từ sang nhờ dây dẫn, tụ hết điện tích Vì điện trường điện tích tụ tạo dây dẫn làm e tự dây dẫn chạy ... từ dương sang âm qua dây dẫn → dây dẫn nóng lên, điện tích dây dẫn giảm ∆Q , điện trường sinh công Tiếp tục làm tụ hết điện => công điện trường sinh làm thay đổi nội dây dẫn => tụ tích điện điện ... hai đầu vật dẫn điện Nguồn điện - Một số nguồn điện thường sử dụng: pin, acquy, dinamo xe đạp, ổ lấy - GV hướng dẫn HS đọc trả lời điện mạng điện gia đình,… câu hỏi: C7, C8, C9 - Bộ phận tạo...