Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 41 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng
Số trang
41
Dung lượng
6,63 MB
Nội dung
Ngaøy 29 thaùng 04 naêm 2010. Ngaøy 29 thaùng 04 naêm 2010. LỚP K09CTT1 LỚP K09CTT1 CHỦ ĐỀ: CHỦ ĐỀ: BỘ NHỚBÁNDẪNBỘNHỚBÁNDẪN - THỰC HIỆN: NHÓM 7 (K09CTT1) - THỰC HIỆN: NHÓM 7 (K09CTT1) Bộ nhớbándẫnBộnhớbándẫn ROM ROM MROM MROM PROM PROM EPROM EPROM Flash Flash ROM ROM RAM RAM SRAM SRAM DRAM DRAM PLD PLD ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP.HỒ CHÍ MINH ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP.HỒ CHÍ MINH TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN CHỦ ĐỀ: CHỦ ĐỀ: BỘ NHỚBÁNDẪNBỘNHỚBÁNDẪN – LỚP: K09CTT1 - NHĨM 7 – LỚP: K09CTT1 - NHĨM 7 29/04/2010 29/04/2010 GIẢN ĐỒ THỜI GIAN GIẢN ĐỒ THỜI GIAN GIẢN ĐỒ THỜI GIAN GIẢN ĐỒ THỜI GIAN PHÂN LOẠI PHÂN LOẠI PHÂN LOẠI PHÂN LOẠI MROM MROM1.1 Tên đầy đủ: Mask Programmed Mask Programmed Read-Only Read-Only Memory. Memory. Đặc tính: Được lập trình trước ngay khi vừa xuất Được lập trình trước ngay khi vừa xuất xưởng. xưởng. Linh kiện: Diod, transitor BJT, MOSFET. Diod, transitor BJT, MOSFET. MROM MROM1.1 MROM MROM1.1 MROM MROM1.1 PROM PROM1.2 Tên đầy đủ: Programmable Read-Only Memory. Programmable Read-Only Memory. Đặc tính: ROM này cho phép lập trình một lần duy ROM này cho phép lập trình một lần duy nhất để sử dụng, nếu bị lỗi không thể sửa chữa được nhất để sử dụng, nếu bị lỗi không thể sửa chữa được. Linh kiện : : Transitor BJT – cầu chì, MOSFET – cầu Transitor BJT – cầu chì, MOSFET – cầu chì, Diod – Diod. chì, Diod – Diod. PROM PROM1.2 EPROM EPROM1.3 Tên đầy đủ: Ultra Violet Erasable Ultra Violet Erasable Programmable ROM. Programmable ROM. Đặc tính: Dùng được nhiều lần bằng cách xóa và Dùng được nhiều lần bằng cách xóa và nạp lại. nạp lại. Linh Kiện: Transitor FAMOS – Transitor MOS, Transitor FAMOS – Transitor MOS, Transitor SAMOS. Transitor SAMOS. [...]... gian của ROM Đọc: Tất cả các loại ROM 17 1.6 Giản đồ thời gian của ROM Nạp: Trừ MROM 18 ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP.HỒ CHÍ MINH TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN CHỦ ĐỀ: BỘNHỚBÁNDẪN – LỚP: K09CTT1 - NHĨM 7 29/04/2010 2.1 Thiết bị logic lập trình được 20 2.1 PROM 21 2.1 PROM 22 2.2 PAL 23 2.3 PLA 24 ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP.HỒ CHÍ MINH TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN CHỦ ĐỀ: BỘNHỚBÁNDẪN – LỚP: K09CTT1 - NHĨM... DẪN – LỚP: K09CTT1 - NHĨM 7 29/04/2010 3.1 RAM Có 2 loại là RAM tĩnh và RAM động • • • • • • DRAM Đơn giản, nhỏ gọn Mật độ cao Giá thành rẻ Cần làm tươi Thích hợp cho bộNhớ dung lượng lớn SRAM • Nhanh hơn • Thích hợp dùng làm cache • Cả 2 loại đều “bay hơi” (volatile) • Cần thiết cấp nguồn để lưu giũ liệu 26 3.2 SRAM • Bit dữ liệu được lưu trữ khi các transistor đóng/mở • Khơng hao hụt điện tích, khơng... Giản đồ thời gian của SRAM Tác vụ viết 32 3.4 DRAM Các bit được lưu dựa trên các tụ điện => ngun nhân Thường xun làm tươi Dung lượng lớn Tốc độ chậm (60-80ns) Dùng làm bộnhớ chính Giá thành phải chăng 33 3.4 DRAM Mỗi tế bào RAM động được chế tạo từ một tụ và một transistor đơn 34 3.4 DRAM Sử dụng DRAM, được một thuận lợi là dung lượng nhớ khá lớn nhưng phải có một số mạch phụ trợ: - Mạch . K09CTT1 LỚP K09CTT1 CHỦ ĐỀ: CHỦ ĐỀ: BỘ NHỚ BÁN DẪN BỘ NHỚ BÁN DẪN - THỰC HIỆN: NHÓM 7 (K09CTT1) - THỰC HIỆN: NHÓM 7 (K09CTT1) Bộ nhớ bán dẫn Bộ nhớ bán dẫn ROM ROM MROM MROM PROM PROM EPROM EPROM Flash. MINH TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN CHỦ ĐỀ: CHỦ ĐỀ: BỘ NHỚ BÁN DẪN BỘ NHỚ BÁN DẪN – LỚP: K09CTT1 - NHĨM 7 – LỚP: K09CTT1 - NHĨM 7 29/04/2010 29/04/2010 GIẢN ĐỒ. MINH TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN CHỦ ĐỀ: CHỦ ĐỀ: BỘ NHỚ BÁN DẪN BỘ NHỚ BÁN DẪN – LỚP: K09CTT1 - NHĨM 7 – LỚP: K09CTT1 - NHĨM 7 29/04/2010 29/04/2010 2.1 Thiết Thiết