... 0,3 2,1.10-3 3,5.10-2 2,9.10-4 8,0.10-3 Sự phụ thuộc điện trở suất vào nồng độ tạp chất Sự phụ thuộc điện trở vào nhiệt độ • Kim loại : Điện trở suất phụ thuộc nhiệt độ gần tuyến tính ρT = ρo ... 0,01 eV Si : mn = 0,33 mo εr = 12 Ei = 0,031 eV Với phép gần dùng, lượng ion hóacho nguyên tử tạp chất thuộc nhóm V Trên thực tế, lượng có khác với tạp chất khác nhau, sai khác không lớn Sự xuất ... dẫn kT m p Ec + Ev = + ln mn Ec Vùng dẫn Ec EF Vùng dẫn Ec EFi Vùng hóa trò Ev Chất bán dẫn riêng Vùng hóa trò loại N Ev Vùng hóa trò loại P EFi Ev V Các hạt tải điện không cân Các hạt tải điện...
... tính khử , Nhận electron mang tính oxy hóa • Từ C Pb khả nhường electron tăngtính oxy hóa giảm • Số Oxi hóa –4 thể C, Si Số oxy hóa + giảm dần từ C→Bsố oxy hóa +2 tăng dần từ C→Pb II GIỚI THIỆU ... tính khử tạo ion • Bán kính nguyên tử tăng từ xuống • Từ Ca có thêm orbitan lớp d f tham gia tạo liên kết hóa học II GIỚI THIỆU VỀ NHÓM IA, IIA, IIIA, IVA 2.2 Nhóm IIA 2.2.1 Đặc tính nguyên tố ... axít, hydroxit, muối Độ bền giảm Ge(+4)→(Pb(+4) tính oxy hóa tăng, đặc biệt PbO2tính oxy hóa mạnh Ge(+2), Sn(+2) chất khử mạnh,Pb(+4) oxi hóa mạnh III.SỰ BIẾN ĐỔI TUẦN HOÀN CÁC TÍNH CHẤT 3.1 Độ...
... trao i cho Núi cỏch khỏc, soliton v antisoliton to s chuyn tip gia cu trỳc suy bin nng lng A v B Trong cu trỳc di, trng thỏi soliton to v nm gia di hoỏ tr v di dn hay cũn gi l trng thỏi trung gian ... h ny, cỏc kớch thc c bn (nh in t, l trng, exciton) chu nh hng bi s giam gi lng t chuyn ng b gii hn dc theo trc giam gi Hiu ng giam gi lng t c quan sỏt thụng qua s dch chuyn v phớa súng xanh ph ... bao gồm: Phần mở đầu Ch-ơng 1: Tổng quan polyme dẫn Ch-ơng 2: Các ph-ơng pháp thực nghiệm Ch-ơng 3: Kết thảo lụân Phần kết luận CHNG 1: TNG QUAN V POLYME DN 1.1 Gii thiu v cụng ngh nanụ 1.1.1 Khỏi...
... nc, nú tn ti cho n b b góy thnh hai gc v s oxi hoỏ hai phõn t pyrrole Khi thi gian sng ca mt phõn t APS tr nờn ngn nhit cao hn, nhiu gc c to nhiu hn nhit cao hn l nhit thp thi gian phn ng ... gm cú: - Truyn dn in t ni phõn t polyme (Intramobility) - Truyn dn in t gia cỏc phõn t (Intermobility) - Truyn dn in t gia cỏc si ca vt liu polyme (Inter fibrilmobilitye of a chage carier) nh ... (a) Quỏ trỡnh truyn dn in t ni phõn t polyme (b) Quỏ trỡnh truyn dn in t gia cỏc phõn t polyme (c) Quỏ trỡnh truyn dn in t gia cỏc si ca vt liu polyme Vi c thự cu trỳc ca mch polyme, dn in polyme...
... điện tử As kết hợp với điện tử Si lân cận tạo thành nối hóa trị, Còn dư lại điện tử As Ở nhiệt độ thấp, tất điện tử nối hóa trị có lượng dải hóa trị, trừ điện tử thừa As không tạo nối hóa trị có ... nguyên tử Si mạng tinh thể Ba điện tử nguyên tử In kết hợp với ba điện tử ba nguyên tử Si kế cận tạo thành nối hóa trị, điện tử Si có lượng dải hóa trị không tạo nối với Indium Giữa In Si ta có ... dải hóa trị khoảng lượng nhỏ chừng 0,08eV 4/13 Chất bán dẫn điện (Semiconductor) Ở nhiệt độ thấp (T=00K), tất điện tử có lượng dải hóa trị Nếu ta tăng nhiệt độ tinh thể có số điện tử dải hóa...
... thái lượng trống) dải hóa trị) Ta nhận thấy số điện tử dải dẫn điện số lỗ trống dải hóa trị Nếu ta gọi n mật độ điện tử có lượng dải dẫn điện p mật độ lỗ trống có lượng dải hóa trị Ta có:n=p=ni...
... lỗ trống tự thực 21 hiện, chúng liên quan đến chuyển mức điện tử lỗ trống vùng lợng cho phép hay vùng cho phép Hấp thụ tạp chất liên quan đến chuyển mức điện tử hay lỗ trống vùng cho phép mức ... lợng cho phép đợc xác định lợng E véctơ sóng véctơ sóng k k (k x , k y , k z ) Sự phụ thuộc lợng E vào miền lợng cho phép phức tạp Tại điểm lân cận cực tiểu miền dẫn cực đại miền hoá trị xem ... ngừng tìm kiếm thông tin tìm kiếm phục vụ cho sống ngời Trong công tìm kiếm đó, nhiều vật liệu đợc tìm ngời dùng chúng để chế tạo thiết bị, máy móc phục vụ cho Một bớc ngoặt quan trọng từ đầu...
... dung khóa luận, trình bày tóm tắt đặc điểm cấu tạo, nguyên lý hoạt động số ứng dụng số linh kiện thu quang như: quang trở, photodiode pin mặt trời Khóa luận kết thúc phần kết luận, nêu tóm tắt kết ... để khóa luận đạt kết tốt nhất, song trình độ thời gian hạn chế tránh khỏi thiếu sót Rất mong nhận ý kiến đóng góp thầy, cô giáo bạn sinh viên quan tâm đến đề tài để khóa luận ngày hoàn thiện ... đáng kể thời gian tái hợp điện tử lỗ trống xuống pico giây (psec), thời gian sống vật liệu GaAs có chất lượng tốt cỡ nano giây (nsec) Với thời gian sống ngắn cho tốc độ hoạt động cao Kết luận chương...
... Quốc gia Hà Nội II TÌNH HÌNH THỰCHIỆN Thời gian thực đề tài: - Theo Hợp đồng ký kết: từ tháng năm 2008 đến tháng năm 2010 - Thực tế thực hiện: từ tháng năm 2008 đến tháng 10 năm 2010 - Được gia ... keo điện hóa siêu âm Kết Theo Thực tế kếhoạch đạt Không đăng ký Đã đăng ký Bằng độc quyền giải pháp hữu ích Ghi (Thời gian kết thúc) 2011 e) Thống kê danh mục sản phẩm KHCN ứng dụng vào thực tế ... METALLIC GOLD BY A SONOELECTROCHEMICAL METHOD d) Kết đào tạo: Số TT Cấp đào tạo, Chuyên ngành đào tạo Số lượng Theo kếThực tế đạt hoạch Thạc sỹ Tiến sỹ 1 1 Ghi (Thời gian kết thúc) bảo vệ 2011 bảo...
... 4.nh SEM ca mng pha 2%Al trc (a) v sau (b) nhit chõn khụng a b Hỡnh 5.nh SEM ca mng pha 2%Al ph lp (a) v 10 lp (b) sau nhit chõn khụng 3.3 dy mng Kt qu o dy mng bng Stylus Profilometer cho ... t mng cú ng u cao, kt tinh tt Vic chn ch nhit 500oC gi l hp lý cho quỏ trỡnh kt tinh v hỡnh thnh mng, kh c cỏc sai hng v cho mng cú nh hng tt Kớch thc ht ln v ng u s lm tng dn in ca mng gim ... nhn thy rừ s khỏc bit hỡnh thỏi b mt mng khụng pha (3a) v cú pha (3b) quan sỏt nh SEM (X20.000) a b Hỡnh nh SEM ca mng khụng pha (a) v cú pha (b) 2%Al (X20.000) Quỏ trỡnh nhit ln chõn khụng khụng...
... Ộ ĩ - 2007 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC T ự NHIÊN PROFECT: INVESTIGATION OF THE THEORY ON THE OPTICAL PROPERTIES OF SEMICONDUCTOR LOW DIMENSIONAL SYSTEMS CODE: OT - - DIRRCTOR ... The kinetic and sound-clectron effects in the semiconductor low dimensional systems (2006) + Lương Vãn r'umi: ] ligh-Frcc|iiency c lì eels in semiconductor supci laiiiccs
... thứccho mẫu với n - 1; 2; Kết hợp vói kết XRD, ta có thê đánh giá giới hạn đảm bảo đơn pha cho nồng độ Cr Mn khoảng %, có phân thâp so với phương pháp phún xa chiều Đê khảo sát tình trạng ơxv hóa ... NXB Đại học quốc gia 2007 Các thư nahiệm đo tù lính sử dụna phép đo từ kê mau runti VSM Hall di thườna khơnu em lại kết qua tù độ cua mầu q nho Đơi với hệ đo Hall có nsun nhân từ thực tê điện tra ... đo d iện ir b ằ n g hon m ũi dò 1: Máy tính 2: Nouồn cuna cấp dòim cho mâu 3: Ampe kế đo dòng cấp cho mẫu Cặp nhiệt diện 5: Vơn kế đo cua mầu R | : Điện trờ chn trong điện trỏ suất, V đo được,...
... liên kết với theo dạng hỗn hợp iổn cộng hóa trị (ví dụ ZnS :77% liên kết iôn 23% liên kết cộng hóa trị) Trong liên kết iôn nguyên tử kim loại A cho hai điện tử hóa trị để trở thành iôn hóa trị ... tham gia phonôn Khi đó, phổ xạ ta quan sát thấy vạch exciton tự vạch lặp lại phonôn dịch phía sóng dài * Tái hợp xạ exciton liên kết: Exciton liên kết cặp điện tử - lỗ trống liên kết với liên kết ... tử kim B nhận hai điện tử trở thành iôn hóa trị âm hai B2' có cấu hình lớp điện tử 3s2p6 Trong liên kết cộng hóa trị nguyên tử A hay B đóng góp vào liên kết chung điện tử để tạo thành cấu hình...
... cau true luc giac va a nhiet tir 1020°C den 1200°C, ZnS hoan toan o dang cau tnic luc giac Nhu vay cd thd xem 1020^C la nhiet chuydn pha tir cau tnic lap phuang sang cau tnic luc giac V6i cac ... thdi gian hoi phuc, dien tir se chiem vi trf day viing din, cdn Id trdng se chiem vi tri dinh xoing hoa tri Trang thai dugc hinh khoang tir lO'^*^lO'^'s Cudng ciia dam biic xa dac tnmg cho tai ... viir ; cua dien tir se cd thd xay kem theo su biic xa va hap thu phonon Su tha:n gia cua phonon la dam bao cho xung lugng dugc bao toan Ne'u chuyen miic kem theo biic xa phonon thi nang lugng...
... nối với kính hiển vi cho phép ghi phổ với độ phân giải không gian tốt Máy tính điện tử kết nối hệ đo với chương trình cài đặt sẵn, cho ta kết cuối xử lí Phổ hiển thị hình dạng phụ thuộc cường độ ... ứng giam giữ lượng tử bên mô hình EMA, dùng mô hình hộp hình cầu với không xác định, xem xét điện tử lỗ trống với khối lượng hiệu dụng đẳng hướng Có hai trường hợp giới hạn, gọi giam giữ yếu giam ... điện tử không bị giam giữ lâu giếng, bị hệ số hấp thụ * Năng lượng liên kết exciton tăng Sự giam giữ lượng tử điện tử lỗ trống dẫn đến tăng lượng liên kết chúng sinh tăng lượng liên kết exciton so...